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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TIP100 Harris Corporation TIP100 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 60V 8A 50μA NPN-달링턴 2.5V @ 80mA, 8A 1000 @ 3A, 4V 4MHz
IRFF9130 Harris Corporation IRFF9130 -
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ECAD 3675 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 100V 6.5A(Tc) 10V 300m옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 25W(Tc)
IRFP151 Harris Corporation IRFP151 -
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ECAD 2591 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 102 N채널 60V 40A(Tc) 10V 55m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 180W(Tc)
IRF9622 Harris Corporation IRF9622 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 200V 3A(TC) 10V 2.4옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 40W(Tc)
RF1S9640SM9A Harris Corporation RF1S9640SM9A -
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ECAD 5891 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-RF1S9640SM9A-600026 1
TIP32C119 Harris Corporation TIP32C119 -
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ECAD 3566 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BUZ21 Harris Corporation 버즈21 1.3600
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ECAD 43 0.00000000 해리스 코퍼레이션 SIPMOS® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 21A(TC) 85m옴 @ 13A, 10V 4V @ 1mA 25V에서 1300pF -
IRFU320 Harris Corporation IRFU320 -
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ECAD 4933 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 400V 3.1A(Tc) 1.8옴 @ 1.9A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
IRF711 Harris Corporation IRF711 0.4600
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ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 2A(TC) 10V 3.6옴 @ 1.1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 36W(Tc)
BD750B Harris Corporation BD750B 2.2500
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ECAD 289 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 134
IRF841 Harris Corporation IRF841 1.0100
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 8A(TC) 10V 850m옴 @ 4.4A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1225pF - 125W(Tc)
HC5513BIP Harris Corporation HC5513BIP 3.9300
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ECAD 640 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HC5513BIP-600026 1
BD244A Harris Corporation BD244A 0.4100
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ECAD 4422 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 65W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 500 60V 6A 700μA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
IGT6E10 Harris Corporation IGT6E10 -
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ECAD 3154 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 78
RFW2N06RLE Harris Corporation RFW2N06RLE 1.8000
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ECAD 734 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 2A(TC) 5V 200m옴 @ 2A, 5V 2V @ 250μA 30nC @ 10V +10V, -5V 25V에서 535pF - 1.09W(Tc)
3N206 Harris Corporation 3N206 13.8700
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ECAD 612 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 MOSFET TO-72 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 N채널 듀얼 모듈
IRF9512 Harris Corporation IRF9512 0.5500
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 2.5A(Tc) 10V 1.6옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 25V에서 180pF - 20W(Tc)
IRF233 Harris Corporation IRF233 -
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ECAD 8436 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
IRFU322 Harris Corporation IRFU322 0.3600
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ECAD 898 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 898 N채널 400V 2.6A(타) 10V 2.5옴 @ 1.7A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HGT1S12N60B3DS 1.4100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 104W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 78nC 26ns/150ns
BFT19 Harris Corporation BFT19 0.4600
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1W TO-205AD 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 200V 1A 100μA(ICBO) PNP 2.5V @ 3mA, 30mA 25 @ 5mA, 10V -
2N6759 Harris Corporation 2N6759 1.2000
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ECAD 1435년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 120 N채널 350V 4.5A(Tc) 10V 1.5옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
2N6532 Harris Corporation 2N6532 2.9500
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ECAD 832 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 65W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 100V 8A 1mA NPN-달링턴 3V @ 80mA, 8A 1000 @ 5A, 3V -
RFM12N10 Harris Corporation RFM12N10 1.0000
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ECAD 5559 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 21 N채널 100V 12A(TC) 10V 200m옴 @ 12A, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 850pF - 75W(Tc)
RF1S40N10LE Harris Corporation RF1S40N10LE 1.4200
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 -
IRF740S2515 Harris Corporation IRF740S2515 0.7300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF740 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
IRF730U Harris Corporation IRF730U 0.5700
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ECAD 3987 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF73 - 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 417 -
CA3045FX Harris Corporation CA3045FX -
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ECAD 7149 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 CA3045 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1
2N6033 Harris Corporation 2N6033 -
보상요청
ECAD 2997 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AE 140W TO-204AE 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2 120V 40A 10mA NPN 1V @ 4A, 40A 10 @ 40A, 2V
IRFP150 Harris Corporation IRFP150 1.5200
보상요청
ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 100V 41A (Tc) 10V 55m옴 @ 25A, 10V 4V @ 250μA 140nC @ 10V ±20V 25V에서 2800pF - 230W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고