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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BD750A Harris Corporation BD750A 1.8000
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 ECAD 864 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 200°C (TJ) 스루홀 TO-204 200W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 120V 20A 500μA PNP 1V @ 500mA, 5A 25 @ 5A, 2V
5962-9474901MEA Harris Corporation 5962-9474901MEA 26.7200
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
HUF76132S3 Harris Corporation HUF76132S3 1.0000
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 ECAD 2738 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
IRF9633 Harris Corporation IRF9633 0.7600
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 ECAD 6759 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 275 P채널 150V 5.5A(Tc) 10V 1.2옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 550pF - 75W(Tc)
IRFU110 Harris Corporation IRFU110 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU1 MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 919 N채널 100V 4.3A(Tc) 10V 540m옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 8.3nC @ 10V ±20V 25V에서 180pF - 25W(Tc)
CA3082F/3 Harris Corporation CA3082F/3 6.8500
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 CA3082 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1
IRFR420 Harris Corporation IRFR420 0.8800
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 ECAD 779 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 342 N채널 500V 2.4A(Tc) 10V 3옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
IRF84093 Harris Corporation IRF84093 -
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 ECAD 9731 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF8409 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 375
HGT1S20N60B3S Harris Corporation HGT1S20N60B3S 3.0200
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 ECAD 635 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 - - 600V 40A - - -
D44E2 Harris Corporation D44E2 1.0800
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 278 60V 10A 10μA NPN-달링턴 2V @ 20mA, 10A 1000 @ 5A, 5V -
2N5634 Harris Corporation 2N5634 65.8900
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 ECAD 301 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 5 140V 10A 1mA NPN 2V @ 2A, 10A 15 @ 5A, 2V 1MHz
IRFBC40R Harris Corporation IRFBC40R 0.8900
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 ECAD 2991 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 8 N채널 600V 6.2A(Tc) 10V 1.2옴 @ 3.4A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
BUZ73A Harris Corporation BUZ73A 0.4300
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 ECAD 19 0.00000000 해리스 코퍼레이션 SIPMOS® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 200V 5.5A(Tc) 10V 600m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 530pF - 40W(Tc)
IRFP246 Harris Corporation IRFP246 1.4800
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 ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 275V 15A(Tc) 10V 280m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 150W(Tc)
RCA3055 Harris Corporation RCA3055 -
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 ECAD 3222 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 75W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 60V 15A 700μA NPN 1.1V @ 400mA, 4A 20 @ 4A, 4V
2N6491 Harris Corporation 2N6491 2.0300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2N6491 1.8W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.49.7080 1 80V 15A 1mA PNP 3.5V @ 5A, 15A 20 @ 5A, 4V 5MHz
HUF75332P3 Harris Corporation HUF75332P3 0.8900
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 ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 364 N채널 55V 60A(Tc) 10V 19m옴 @ 60A, 10V 4V @ 250μA 85nC @ 20V ±20V 25V에서 1300pF - 145W(Tc)
2N6739 Harris Corporation 2N6739 1.7300
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 ECAD 649 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 100W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 174 350V 8A 100μA NPN 2V @ 4A, 8A 10 @ 5A, 3V 60MHz
RFG40N10LE Harris Corporation RFG40N10LE 1.2200
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 ECAD 489 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
RFP25N06L Harris Corporation RFP25N06L 2.4100
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 25A(TC) 5V 85m옴 @ 12.5A, 5V 2V @ 1mA ±10V 2000pF @ 25V - 75W(Tc)
RF1S45N02LSM Harris Corporation RF1S45N02LSM 0.5100
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 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 20V 45A - - - - - -
TIP111 Harris Corporation TIP111 0.2500
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TIP111 2W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 80V 2A 2mA NPN-달링턴 2.5V @ 8mA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
GE10020 Harris Corporation GE10020 4.7600
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 ECAD 107 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AE 250W TO-204AE 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 300V 60A 250μA NPN-달링턴 2.4V @ 1.2A, 30A 600 @ 15A, 5V -
D45H4 Harris Corporation D45H4 1.0000
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 ECAD 4330 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1 45V 10A 10μA PNP 1.5V @ 400mA, 8A 35 @ 2A, 1V 135MHz
RFG45N06LE Harris Corporation RFG45N06LE 0.8100
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 ECAD 4339 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 300 N채널 60V 45A(Tc) 5V 28m옴 @ 45A, 5V 2V @ 250μA 135nC @ 10V ±10V 2150pF @ 25V - 142W(Tc)
HUF76113T3ST Harris Corporation HUF76113T3ST 0.5500
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HUF76113T3ST-600026 1
RFP45N06LE Harris Corporation RFP45N06LE 0.7000
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 45A(Tc) 5V 28m옴 @ 45A, 5V 2V @ 250μA 135nC @ 10V ±10V 2150pF @ 25V - 142W(Tc)
IRF353 Harris Corporation IRF353 4.3000
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 ECAD 460 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 13A(티씨) 10V 400m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 150W(Tc)
IRF610 Harris Corporation IRF610 -
보상요청
 ECAD 1431 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF610 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 3.3A(Tc) 10V 1.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 140pF - 36W(Tc)
RFD3055LESM9A Harris Corporation RFD3055LESM9A -
보상요청
 ECAD 3106 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 11A(티씨) 5V 107m옴 @ 8A, 5V 3V @ 250μA 11.3nC @ 10V ±16V 25V에서 350pF - 38W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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