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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
2N6757 Harris Corporation 2N6757 -
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 ECAD 8728 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
BD750A Harris Corporation BD750A 1.8000
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 ECAD 864 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 200°C (TJ) 스루홀 TO-204 200W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 120V 20A 500μA PNP 1V @ 500mA, 5A 25 @ 5A, 2V
2N6739 Harris Corporation 2N6739 1.7300
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 ECAD 649 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 100W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 174 350V 8A 100μA NPN 2V @ 4A, 8A 10 @ 5A, 3V 60MHz
2N5634 Harris Corporation 2N5634 65.8900
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 ECAD 301 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 5 140V 10A 1mA NPN 2V @ 2A, 10A 15 @ 5A, 2V 1MHz
IRFR420 Harris Corporation IRFR420 0.8800
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 ECAD 779 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 342 N채널 500V 2.4A(Tc) 10V 3옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
IRF84093 Harris Corporation IRF84093 -
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 ECAD 9731 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF8409 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 375
RFD16N02L Harris Corporation RFD16N02L 0.4600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 20V 16A(티씨) 5V 22m옴 @ 16A, 5V 2V @ 250μA 60nC @ 10V ±10V 20V에서 1300pF - 90W(Tc)
HUF75309D3S Harris Corporation HUF75309D3S 0.2700
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 ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 55V 19A(TC) 10V 70m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 55W(Tc)
HUF75343G3 Harris Corporation HUF75343G3 -
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 ECAD 5131 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 150 N채널 55V 75A(Tc) 9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 205nC @ 20V ±20V 3000pF @ 25V - 270W(Tc)
RCA9166A Harris Corporation RCA9166A 2.4100
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 250W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 250V 16A 1mA NPN 1V @ 300mA, 3A 30 @ 3A, 4V 20MHz
2N6895 Harris Corporation 2N6895 0.5500
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 ECAD 8598 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 21 P채널 100V 1.16A(Tc) 10V 3.65옴 @ 740mA, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 150pF - 8.33W(Tc)
IRFD120S2497 Harris Corporation IRFD120S2497 -
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 ECAD 2391 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
IRFR422 Harris Corporation IRFR422 0.4300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
IGTP10N40A Harris Corporation IGTP10N40A 0.8000
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 기준 TO-220 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 10A - - -
RLD03N06CLESM9A Harris Corporation RLD03N06CLESM9A 0.5000
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500
CA3127ER2323 Harris Corporation CA3127ER2323 2.0100
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 ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
RFG40N10LE Harris Corporation RFG40N10LE 1.2200
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 ECAD 489 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
2N6491 Harris Corporation 2N6491 2.0300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2N6491 1.8W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.49.7080 1 80V 15A 1mA PNP 3.5V @ 5A, 15A 20 @ 5A, 4V 5MHz
HUF7554S3S Harris Corporation HUF7554S3S 1.3800
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 ECAD 839 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 HUF7554 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
IRF611 Harris Corporation IRF611 -
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 ECAD 1930년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 405 N채널 150V 3.3A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.6A, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 43W(Tc)
2N5786 Harris Corporation 2N5786 20.8900
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 ECAD 2649 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1W TO-39 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 40V 3.5A 100μA NPN 2V @ 800mA, 3.2A 4 @ 3.2A, 2V 4MHz
IRFF213 Harris Corporation IRFF213 0.8000
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 ECAD 6019 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 89 N채널 150V 1.8A(Tc) 10V 2.4옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 15W(Tc)
RFP18N08 Harris Corporation RFP18N08 1.1000
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 18A(TC) 10V 100m옴 @ 9A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
TIP32A Harris Corporation TIP32A 0.1700
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 ECAD 8971 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 60V 3A 300μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 25 @ 1A, 4V 3MHz
IRF731 Harris Corporation IRF731 1.3700
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 5.5A(Tc) 10V 1옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 35nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
IRF711 Harris Corporation IRF711 0.4600
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 ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 2A(TC) 10V 3.6옴 @ 1.1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 36W(Tc)
IRFU320 Harris Corporation IRFU320 -
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 ECAD 4933 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 400V 3.1A(Tc) 1.8옴 @ 1.9A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
D45D6 Harris Corporation D45D6 -
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 ECAD 7298 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2.1W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 384 80V 6A 10μA PNP-달링턴 2V @ 5mA, 5A 2000 @ 1A, 2V -
IRFP150 Harris Corporation IRFP150 1.5200
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 ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 100V 41A (Tc) 10V 55m옴 @ 25A, 10V 4V @ 250μA 140nC @ 10V ±20V 25V에서 2800pF - 230W(Tc)
BUZ21 Harris Corporation 버즈21 1.3600
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 ECAD 43 0.00000000 해리스 코퍼레이션 SIPMOS® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 21A(TC) 85m옴 @ 13A, 10V 4V @ 1mA 25V에서 1300pF -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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