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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
D42C1N Harris Corporation D42C1N 0.3300
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 ECAD 6065 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 411
TIP42 Harris Corporation TIP42 1.0000
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 ECAD 2577 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 40V 6A 700μA PNP 1.5V @ 600mA, 6A 15 @ 3A, 4V 3MHz
TIP32B Harris Corporation TIP32B 0.1700
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 ECAD 3047 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,267 80V 3A 300μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
2N6757 Harris Corporation 2N6757 -
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 ECAD 8728 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 800pF - 75W(Tc)
D45C1 Harris Corporation D45C1 -
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 ECAD 1238 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 30W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 53 30V 4A 10μA PNP 500mV @ 100mA, 1A 25 @ 1A, 1V 40MHz
HUF75309D3S Harris Corporation HUF75309D3S 0.2700
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 ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 55V 19A(TC) 10V 70m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 55W(Tc)
IRFF211 Harris Corporation IRFF211 1.1600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 2.2A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 15W(Tc)
RFP18N08 Harris Corporation RFP18N08 1.1000
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 18A(TC) 10V 100m옴 @ 9A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
TIP32A Harris Corporation TIP32A 0.1700
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 ECAD 8971 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 60V 3A 300μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 25 @ 1A, 4V 3MHz
IRF731 Harris Corporation IRF731 1.3700
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 5.5A(Tc) 10V 1옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 35nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
HUF75333S3ST Harris Corporation HUF75333S3ST -
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 ECAD 3585 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) - 해당 없음 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 66A(티씨) 10V 16m옴 @ 66A, 10V 4V @ 250μA 85nC @ 20V ±20V 25V에서 1300pF - 150W(Tc)
RFG75N05E Harris Corporation RFG75N05E 7.0400
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 ECAD 18 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 400nC @ 20V ±20V - 240W(Tc)
2N6792TX Harris Corporation 2N6792TX 7.8200
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 ECAD 335 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 2A(TC) 10V 1.8옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 600pF - 20W(Tc)
IRFR2209A Harris Corporation IRFR2209A 0.5100
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 IRFR2209 - 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 -
IRFD322 Harris Corporation IRFD322 1.5600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 400mA(Tc) 10V 2.5옴 @ 250mA, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 455pF - 1W(Tc)
BD534 Harris Corporation BD534 0.3300
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 ECAD 1909년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 44 45V 8A 100μA PNP 800mV @ 600mA, 6A 25 @ 2A, 2V -
IRF644 Harris Corporation IRF644 1.8400
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 ECAD 24 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF644 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 250V 14A(TC) 10V 280m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 68nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
IRFU9220 Harris Corporation IRFU9220 -
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 ECAD 6149 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 65 P채널 200V 3.6A(Tc) 10V 1.5옴 @ 2.2A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 340pF @ 25V - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
BD750A Harris Corporation BD750A 1.8000
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 ECAD 864 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 200°C (TJ) 스루홀 TO-204 200W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 120V 20A 500μA PNP 1V @ 500mA, 5A 25 @ 5A, 2V
5962-9474901MEA Harris Corporation 5962-9474901MEA 26.7200
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
HUF76132S3 Harris Corporation HUF76132S3 1.0000
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 ECAD 2738 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
IRF9633 Harris Corporation IRF9633 0.7600
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 ECAD 6759 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 275 P채널 150V 5.5A(Tc) 10V 1.2옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 550pF - 75W(Tc)
IRFU110 Harris Corporation IRFU110 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU1 MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 919 N채널 100V 4.3A(Tc) 10V 540m옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 8.3nC @ 10V ±20V 25V에서 180pF - 25W(Tc)
CA3082F/3 Harris Corporation CA3082F/3 6.8500
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 CA3082 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1
IRFR420 Harris Corporation IRFR420 0.8800
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 ECAD 779 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 342 N채널 500V 2.4A(Tc) 10V 3옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
IRF84093 Harris Corporation IRF84093 -
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 ECAD 9731 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF8409 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 375
HGT1S20N60B3S Harris Corporation HGT1S20N60B3S 3.0200
보상요청
 ECAD 635 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 - - 600V 40A - - -
D44E2 Harris Corporation D44E2 1.0800
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 278 60V 10A 10μA NPN-달링턴 2V @ 20mA, 10A 1000 @ 5A, 5V -
2N5634 Harris Corporation 2N5634 65.8900
보상요청
 ECAD 301 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 5 140V 10A 1mA NPN 2V @ 2A, 10A 15 @ 5A, 2V 1MHz
IRFBC40R Harris Corporation IRFBC40R 0.8900
보상요청
 ECAD 2991 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 8 N채널 600V 6.2A(Tc) 10V 1.2옴 @ 3.4A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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