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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RFP2N18 Harris Corporation RFP2N18 0.2800
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ECAD 6021 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 180V 2A(TC) 10V 3.5옴 @ 1A, 10V 4V @ 2mA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
D44TD4 Harris Corporation D44TD4 -
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ECAD 2565 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 400 350V 2A 100μA NPN 1V @ 400mA, 2A 8 @ 1A, 2V 50MHz
D44D1 Harris Corporation D44D1 -
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ECAD 5613 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2.1W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 441 40V 6A 10μA NPN-달링턴 1.5V @ 3mA, 3A 2000 @ 1A, 2V -
IRF9520 Harris Corporation IRF9520 0.9600
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ECAD 8 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 314 P채널 100V 6A(TC) 600m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 300pF - 40W(Tc)
IRF645 Harris Corporation IRF645 -
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ECAD 3101 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 265 N채널 250V 13A(티씨) 10V 340m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
2N5871 Harris Corporation 2N5871 64.1200
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ECAD 483 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 115W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 5 60V 7A - PNP - 2.5 @ 4A, 20V 4MHz
RFD15N06LESM Harris Corporation RFD15N06LESM 0.4300
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 15A - - - - - -
IRF624 Harris Corporation IRF624 -
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ECAD 5103 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 34 N채널 250V 4.4A(Tc) 10V 1.1옴 @ 2.6A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V ±20V 25V에서 260pF - 50W(Tc)
IRFD311 Harris Corporation IRFD311 0.9300
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 해먹 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 400mA(Tc) 10V 3.6옴 @ 200mA, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 1W(Tc)
HGTG20N50C1D Harris Corporation HGTG20N50C1D 7.6600
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 75W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 26A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
RFD20N03SM Harris Corporation RFD20N03SM 0.4000
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ECAD 8 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 20A(TC) 10V 25m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 75nC @ 20V ±20V 25V에서 1150pF - 90W(Tc)
IRFR1219A Harris Corporation IRFR1219A 0.3900
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
HGTG30N60C3 Harris Corporation HGTG30N60C3 2.4200
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-274AA 기준 208W SUPER-247(TO-274AA) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 480V, 30A, 3옴, 15V - 600V 63A 252A 1.8V @ 15V, 30A 1.05mJ(켜짐), 2.5mJ(꺼짐) 250nC 40ns/320ns
TIP50 Harris Corporation TIP50 0.5100
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ECAD 49 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 632 400V 1A 1mA NPN 1V @ 200mA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
D44Q3 Harris Corporation D44Q3 1.0700
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ECAD 36 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 175V 4A 10μA(ICBO) NPN 1V @ 200mA, 2A 30 @ 200mA, 10V 50MHz
D45D2 Harris Corporation D45D2 -
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ECAD 1377 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2.1W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 448 40V 6A 10μA PNP-달링턴 2V @ 5mA, 5A 2000 @ 1A, 2V -
CA3127ER2323 Harris Corporation CA3127ER2323 2.0100
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ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
IRFR422 Harris Corporation IRFR422 0.4300
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 50W(Tc)
RCA9166A Harris Corporation RCA9166A 2.4100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 250W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 250V 16A 1mA NPN 1V @ 300mA, 3A 30 @ 3A, 4V 20MHz
2N6895 Harris Corporation 2N6895 0.5500
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ECAD 8598 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 21 P채널 100V 1.16A(Tc) 10V 3.65옴 @ 740mA, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 150pF - 8.33W(Tc)
IRFD120S2497 Harris Corporation IRFD120S2497 -
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ECAD 2391 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
RLD03N06CLESM9A Harris Corporation RLD03N06CLESM9A 0.5000
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500
IGTP10N40A Harris Corporation IGTP10N40A 0.8000
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 기준 TO-220 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 10A - - -
RF1S50N06 Harris Corporation RF1S50N06 1.0400
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 60V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 20V ±20V 2020pF @ 25V - 131W(Tc)
IGT6D20 Harris Corporation IGT6D20 3.4800
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ECAD 146 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 32A - - -
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
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ECAD 295 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 SK306 MOSFET(금속) 330mW TO-72 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 2 N채널(듀얼) 20V 50mA - - - - -
HUF75344P3 Harris Corporation HUF75344P3 1.4400
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 210 N채널 55V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 210nC @ 20V ±20V 3200pF @ 25V - 285W(Tc)
IRFF213 Harris Corporation IRFF213 0.8000
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ECAD 6019 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 89 N채널 150V 1.8A(Tc) 10V 2.4옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 15W(Tc)
2N6772 Harris Corporation 2N6772 -
보상요청
ECAD 9761 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 536 550V 1A 100μA NPN 1V @ 200mA, 1A 20 @ 300mA, 3V 50MHz
RFD14N05LSM9A Harris Corporation RFD14N05LSM9A -
보상요청
ECAD 3001 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 50V 14A(TC) 5V 100m옴 @ 14A, 5V 2V @ 250μA 40nC @ 10V ±10V 25V에서 670pF - 48W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고