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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | IRFR9120 | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFU9220 | - | ![]() | 6149 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 65 | p 채널 | 200 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343G3 | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 150 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||
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![]() | IRFP341 | 1.3500 | ![]() | 233 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 233 | n 채널 | 350 v | 11A (TC) | 10V | 550mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
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![]() | IRFR222 | 0.4300 | ![]() | 944 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||
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![]() | RFG50N05 | 4.8200 | ![]() | 145 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 50 v | 50A (TC) | 10V | 22mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250NA | 160 nc @ 20 v | ± 20V | - | 132W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF645 | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 265 | n 채널 | 250 v | 13A (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF9543 | 0.8700 | ![]() | 430 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 80 v | 15A (TC) | 10V | 300mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 150W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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