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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RFP15N12 Harris Corporation RFP15N12 1.0600
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ECAD 12 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 120V 15A(Tc) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
IRF540P2 Harris Corporation IRF540P2 -
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ECAD 1842년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
RFIS70N06SM Harris Corporation RFIS70N06SM 1.3000
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFIS70 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
HC9P5504DLC-5 Harris Corporation HC9P5504DLC-5 10.4000
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ECAD 188 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HC9P5504DLC-5-600026 1
RFD3055RLESM9A Harris Corporation RFD3055RLESM9A 0.4400
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ECAD 7327 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD3055 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 590 -
D44TD3 Harris Corporation D44TD3 0.6000
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 503 300V 2A 100μA NPN 1V @ 400mA, 2A 8 @ 1A, 2V 50MHz
RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation RFD3055SM9AS2479 1.0000
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ECAD 4241 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD3055 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 2,500 -
3N187 Harris Corporation 3N187 1.0000
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ECAD 3433 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 330mW TO-72 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 N채널 20V 8.5pF @ 15V 6.5V 15V에서 5mA 500mV @ 50μA
RFP14N06L Harris Corporation RFP14N06L 0.3600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
IRFF423 Harris Corporation IRFF423 -
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ECAD 3199 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 1.4A(Tc) 10V 4옴 @ 1A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 300pF - 20W(Tc)
RF1S45N06LESM Harris Corporation RF1S45N06LESM 0.9700
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ECAD 843 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 45A - - - - - -
HGTG12N60C3D Harris Corporation HGTG12N60C3D 4.3900
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ECAD 600 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 104W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 69 - 42ns - 600V 24A 96A 2.2V @ 15V, 15A 380μJ(켜짐), 900μJ(꺼짐) 48nC -
IGT6D21 Harris Corporation IGT6D21 3.4800
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ECAD 209 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 32A - - -
IRF121 Harris Corporation IRF121 -
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ECAD 4152 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 20 N채널 60V 8A(타) - - -
2N6969 Harris Corporation 2N6969 8.2100
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ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
HGT1S12N60B3S Harris Corporation HGT1S12N60B3S 1.4100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 104W D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 68nC 26ns/150ns
HGTP20N60C3R Harris Corporation HGTP20N60C3R 4.5300
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ECAD 79 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 164W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 20A, 10옴, 15V 24ns - 600V 45A 300A 1.8V @ 15V, 20A 500μJ(켜짐), 500μJ(꺼짐) 122nC 28ns/151ns
RF1S45N06SM Harris Corporation RF1S45N06SM 0.8500
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ECAD 700 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 45A - - - - - -
HGT1S20N35F3VLR4505 Harris Corporation HGT1S20N35F3VLR4505 1.7600
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
HGTG15N120C3 Harris Corporation HGTG15N120C3 3.9800
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ECAD 577 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 164W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200V 35A 120A 3.5V @ 15V, 15A - 100nC -
IRFR91109A Harris Corporation IRFR91109A 0.3600
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
RFB18N10CSVM Harris Corporation RFB18N10CSVM 1.0000
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ECAD 1540 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-5 MOSFET(금속) TO-220-5 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 18A(TC) 10V 100m옴 @ 9A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V - 79W(Tc)
RFP4N35 Harris Corporation RFP4N35 -
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ECAD 7495 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 350V 4A(TC) 10V 2옴 @ 2A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 750pF - 75W(Tc)
RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation RFD8P05SM9AS2463 0.4600
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD8P05 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
HGTP3N60A4 Harris Corporation HGTP3N60A4 1.2900
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ECAD 106 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 70W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 390V, 3A, 50옴, 15V - 600V 17A 40A 2.7V @ 15V, 3A 37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) 21nC 6ns/73ns
HUF75339P3 Harris Corporation HUF75339P3 0.8300
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ECAD 19 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 364 N채널 55V 75A(Tc) 10V 12m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
HGT1S12N60C3D Harris Corporation HGT1S12N60C3D 1.2300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 104W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 40ns - 600V 24A 96A 2.2V @ 15V, 15A - 62nC -
IRF712 Harris Corporation IRF712 -
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ECAD 1466 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 1.7A(Tc) 10V 5옴 @ 1.1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 36W(Tc)
RF1S30P05SM Harris Corporation RF1S30P05SM -
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ECAD 9212 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 92 P채널 50V 30A - - - - - -
HGT1S12N60B3D Harris Corporation HGT1S12N60B3D 1.2600
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ECAD 400 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 104W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 78nC 26ns/150ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고