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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 전압 - 출력 FET 종류 테스트 조건 전압 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 전압 - 전압(Vt) 과거 - 과거에서 기록으로의 유출(Igao) 현재 - 팔레트(Iv) 현재 -
IRF521 Harris Corporation IRF521 0.6200
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ECAD 26 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 9.2A(Tc) 10V 270m옴 @ 5.6A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 60W(Tc)
HUF76129P3 Harris Corporation HUF76129P3 0.7600
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ECAD 24 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 56A(티씨) 4.5V, 10V 16옴 @ 56A, 10V 3V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 1350pF @ 25V - 105W(Tc)
IRFP243 Harris Corporation IRFP243 2.4000
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ECAD 181 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 18A(TC) 10V 220m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 150W(Tc)
IRF641 Harris Corporation IRF641 1.6000
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ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 18A(TC) 10V 180m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 125W(Tc)
D44E1 Harris Corporation D44E1 1.0100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 1.67W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 40V 10A 10μA NPN-달링턴 2V @ 20mA, 10A 1000 @ 5A, 5V -
2N6500 Harris Corporation 2N6500 29.4000
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ECAD 60 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-213AA, TO-66-2 20W TO-66 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.30.0080 12 110V 4A - NPN - 15 @ 3A, 2V 60MHz
BFT19A Harris Corporation BFT19A -
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ECAD 7831 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1W TO-205AD 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 300V 1A 100μA(ICBO) PNP 2.5V @ 3mA, 30mA 25 @ 5mA, 10V -
GES6028 Harris Corporation GES6028 0.2200
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ECAD 8163 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1,000 6V 1.5V 300mW 1.6V 10nA 25μA 150nA
HUF75307T3ST136 Harris Corporation HUF75307T3ST136 0.2400
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 HUF75307 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
BUX14 Harris Corporation BUX14 -
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ECAD 4595 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 15 400V 10A 1.5mA NPN 1.5V @ 1.2A, 6A 15 @ 3A, 4V 8MHz
IGTM20N50 Harris Corporation IGTM20N50 1.0000
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ECAD 4800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 - - 500V 20A - - -
TIP12525 Harris Corporation TIP12525 -
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ECAD 8782 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1
RFP50N05 Harris Corporation RFP50N05 0.9200
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ECAD 30 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250nA 160nC @ 20V ±20V - 132W(Tc)
TIP115 Harris Corporation TIP115 -
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ECAD 3125 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 50 60V 2mA PNP-달링턴 2.5V @ 8mA, 2A 1000 @ 1A, 4V 25MHz
IRFD313 Harris Corporation IRFD313 0.8500
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ECAD 900 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 해먹 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 300mA(Tc) 10V 5옴 @ 200mA, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 1W(Tc)
IRFR121 Harris Corporation IRFR121 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 80V 8.4A - - - - - -
RLD03N06CLESM Harris Corporation RLD03N06CLESM 0.7700
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
RFH30N15 Harris Corporation RFH30N15 3.9100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC MOSFET(금속) TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 30A(Tc) 10V 75m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1mA ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
2N6292 Harris Corporation 2N6292 0.3800
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ECAD 850 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220-3 - 2156-2N6292 850 70V 7A 1mA NPN 3.5V @ 3A, 7A 30 @ 2A, 4V 4MHz
RFM10N45 Harris Corporation RFM10N45 -
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ECAD 2712 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 10A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
BUZ60BU Harris Corporation BUZ60BU 9.8400
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ECAD 200 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 BUZ60 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
IRF9541 Harris Corporation IRF9541 1.7700
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 80V 19A(TC) 10V 200m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 150W(Tc)
MJ13091 Harris Corporation MJ13091 4.4200
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ECAD 272 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 175W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 6V 15A 500μA NPN 3V @ 3A, 15A 8 @ 10A, 3V -
HGT1S7N60B3 Harris Corporation HGT1S7N60B3 0.9800
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ECAD 400 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 60W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 7A, 50옴, 15V - 600V 14A 56A 2.1V @ 15V, 7A 160μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 30nC 26ns/130ns
RFP2P08 Harris Corporation RFP2P08 0.2500
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 80V 2A(TC) 10V 3.5옴 @ 1A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 150pF - 25W(Tc)
RF1S40N10SM Harris Corporation RF1S40N10SM 1.3200
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 40A - - - - - -
HRF3205 Harris Corporation HRF3205 1.4600
보상요청
ECAD 6230 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 - RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 100A(Tc) 10V 8m옴 @ 59A, 10V 4V @ 250μA 170nC @ 10V ±20V 25V에서 4000pF - 175W(Tc)
IRF647 Harris Corporation IRF647 0.9600
보상요청
ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 275V 13A(티씨) 10V 340m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0.9900
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ECAD 1666년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 19 P채널 100V 5.5A(Tc) 10V 400m옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 25W(Tc)
2N5492 Harris Corporation 2N5492 1.0200
보상요청
ECAD 7456 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 292 55V 7A 1mA NPN 1V @ 250mA, 2.5A 20 @ 2.5A, 4V 800kHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고