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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IRFU221 Harris Corporation IRFU221 0.4000
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 4.6A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 50W(Tc)
IRF331 Harris Corporation IRF331 2.3700
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 5.5A(Tc) 10V 1옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 35nC @ 10V ±20V 25V에서 700pF - 75W(Tc)
HGTH12N50C1 Harris Corporation HGTH12N50C1 1.9100
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 ECAD 8314 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 75W TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 12A 17.5A 3.2V @ 20V, 17.5A - 19nC -
HGTG12N60DID Harris Corporation HGTG12N60DID 3.4100
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 ECAD 15 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 88
IRFF111 Harris Corporation IRFF111 3.0000
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 ECAD 176 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 3.5A(Tc) 10V 600m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 15W(Tc)
IRF120 Harris Corporation IRF120 1.8400
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 ECAD 357 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 8A(TC) 10V 300m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 40W(Tc)
2N4990 Harris Corporation 2N4990 1.0000
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 ECAD 7100 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.30.0080 1
RF1S70N03 Harris Corporation RF1S70N03 1.6000
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 ECAD 789 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 30V 70A(Tc) 10m옴 @ 70A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 20V ±20V 3300pF @ 25V - 150W(Tc)
HGTD7N60B3S Harris Corporation HGTD7N60B3S 0.7500
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 ECAD 703 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 60W TO-252AA 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 7A, 50옴, 15V - 600V 14A 56A 2.1V @ 15V, 7A 72μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 37nC 26ns/130ns
IRF532 Harris Corporation IRF532 1.2100
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 ECAD 4371 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 195 N채널 100V 12A(TC) 10V 230m옴 @ 8.3A, 10V 4V @ 250μA 26nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 79W(Tc)
HUF75337P3 Harris Corporation HUF75337P3 0.2500
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 75A(Tc) 14m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 109nC @ 20V ±20V 25V에서 1775pF - 175W(Tc)
HUF75309P3 Harris Corporation HUF75309P3 -
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 ECAD 5371 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 19A(TC) 70m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 55W(Tc)
RFP12N10L Harris Corporation RFP12N10L 1.0000
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 ECAD 9637 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 12A(TC) 5V 200m옴 @ 12A, 5V 2V @ 250μA ±10V 25V에서 900pF - 60W(Tc)
IRF642 Harris Corporation IRF642 0.8800
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 ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 16A(티씨) 10V 220m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 125W(Tc)
IRFP152 Harris Corporation IRFP152 -
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 ECAD 3101 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 27 N채널 100V 34A(티씨) 10V 80m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 180W(Tc)
IRFP142R Harris Corporation IRFP142R -
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 ECAD 7056 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 6 N채널 100V 27A (Tc) 10V 99m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 180W(Tc)
RF1S45N06LESM9A Harris Corporation RF1S45N06LESM9A 0.9500
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 317
RFL1P08 Harris Corporation RFL1P08 0.5200
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 ECAD 2428 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 4 P채널 80V 1A(Tc) 10V 3.65옴 @ 1A, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 150pF - 8.33W(Tc)
CA3183EX Harris Corporation CA3183EX 1.0000
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 ECAD 7671 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 CA3183 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1
HGTD7N60B3 Harris Corporation HGTD7N60B3 0.6800
보상요청
 ECAD 900 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 기준 60W 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 480V, 7A, 50옴, 15V - 600V 14A 56A 2.1V @ 15V, 7A 160μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 30nC 26ns/130ns
CA3096CM Harris Corporation CA3096CM 0.8100
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) CA3096 200mW 16-SOIC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 24V 50mA, 10mA 1μA NPN, PNP 700mV @ 1mA, 10mA / 400mV, 100μA, 1mA 100 @ 1mA, 5V / 30 @ 100μA, 5V 335MHz, 6.8MHz
D44T1 Harris Corporation D44T1 -
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 ECAD 5733 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1
RF1S640 Harris Corporation RF1S640 1.3800
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 ECAD 4950 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 18A(TC) 10V 180m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 125W(Tc)
IRF730R4587 Harris Corporation IRF730R4587 0.5700
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF73 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 -
2N6767 Harris Corporation 2N6767 4.1400
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 ECAD 3274 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 9 N채널 350V 12A(TC) 10V 400m옴 @ 7.75A, 10V 4V @ 1mA ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
HGT1S3N60B3S Harris Corporation HGT1S3N60B3S 0.5600
보상요청
 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 33.3W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 3.5A, 82옴, 15V 16ns - 600V 7A 20A 2.1V @ 15V, 3.5A 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) 21nC 18ns/105ns
RFIS70N06SM Harris Corporation RFIS70N06SM 1.3000
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFIS70 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
HUF75339P3 Harris Corporation HUF75339P3 0.8300
보상요청
 ECAD 19 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 364 N채널 55V 75A(Tc) 10V 12m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
IRF540P2 Harris Corporation IRF540P2 -
보상요청
 ECAD 1842년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
RFP15N12 Harris Corporation RFP15N12 1.0600
보상요청
 ECAD 12 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 120V 15A(Tc) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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