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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IRF640R Harris Corporation IRF640R -
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 ECAD 3065 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 299 N채널 200V 18A(TC) 10V 180m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 125W(Tc)
RFH10N50 Harris Corporation RFH10N50 3.9100
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 ECAD 302 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC MOSFET(금속) TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 10A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
HC3-5504B1-5 Harris Corporation HC3-5504B1-5 6.7600
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 ECAD 411 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HC3-5504B1-5-600026 1
RF1S15N08L Harris Corporation RF1S15N08L 0.6500
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 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 80V 45A - - - - - -
HGTG27N60C3DR Harris Corporation HGTG27N60C3DR 5.9600
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 ECAD 68 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 208W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600V 54A 108A 2.2V @ 15V, 27A - 212nC -
HFA1212IP Harris Corporation HFA1212IP 2.4600
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 ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HFA1212IP-600026 1
RFP3N45 Harris Corporation RFP3N45 1.0000
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 ECAD 5311 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 3A(TC) 10V 3옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 750pF - 60W(Tc)
BD240C Harris Corporation BD240C 0.4900
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 ECAD 4332 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 166
RFD14N05L Harris Corporation RFD14N05L 1.0000
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 ECAD 6552 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 50V 14A(TC) 5V 100m옴 @ 14A, 5V 2V @ 250μA 40nC @ 10V ±10V 25V에서 670pF - 48W(Tc)
MJE16002 Harris Corporation MJE16002 1.0400
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 ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 6V 5A 250μA NPN 1V @ 200mA, 1.5A 5 @ 5A, 5V -
RFG45N06 Harris Corporation RFG45N06 1.0800
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 45A(Tc) 10V 28m옴 @ 45A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 20V ±20V 2050pF @ 25V - 131W(Tc)
RF1S42N03L Harris Corporation RF1S42N03L 0.8700
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 ECAD 400 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 400 N채널 30V 42A(Tc) 5V 25m옴 @ 42A, 5V 2V @ 250μA 60nC @ 10V ±10V 25V에서 1650pF - 90W(Tc)
HGT1S3N60B3DS Harris Corporation HGT1S3N60B3DS 0.7300
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 ECAD 8972 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 33.3W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 480V, 3.5A, 82옴, 15V 28ns - 600V 7A 20A 2.1V @ 15V, 3.5A 66μJ(켜짐), 88μJ(꺼짐) 18nC 18ns/105ns
RFP4N06 Harris Corporation RFP4N06 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,079 N채널 60V 4A(TC) 10V 800m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
2N6478 Harris Corporation 2N6478 1.1000
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 ECAD 400 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 150V 2.5A 2mA NPN 2V @ 500mA, 2.5A 25 @ 1A, 4V
IRFP150R119 Harris Corporation IRFP150R119 1.0000
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 ECAD 5147 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
TIP30B Harris Corporation 팁30B 0.3200
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 ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 80V 1A 300μA PNP 700mV @ 125mA, 1A 40 @ 200mA, 4V 3MHz
HUF76137S3S Harris Corporation HUF76137S3S 1.9300
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 ECAD 197 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 72nC @ 10V ±16V 2100pF @ 25V - 145W(Tc)
IRF621 Harris Corporation IRF621 0.4300
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 ECAD 14 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 5A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 40W(Tc)
2N6756 Harris Corporation 2N6756 -
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 ECAD 2844 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-204AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 14A(TC) 10V 210m옴 @ 14A, 10V 4V @ 250μA 35nC @ 10V ±20V - 4W(Ta), 75W(Tc)
RF1S30N06LESM9A Harris Corporation RF1S30N06LESM9A -
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 ECAD 2645 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 800
IRF442119U Harris Corporation IRF442119U 1.4600
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF442119 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
HC4P5504ALC-9 Harris Corporation HC4P5504ALC-9 10.4000
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 ECAD 924 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HC4P5504ALC-9-600026 1
RF1S9540 Harris Corporation RF1S9540 2.1300
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 ECAD 7 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 19A(TC) 10V 200m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 150W(Tc)
IRF231 Harris Corporation IRF231 0.8700
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 9A(TC) 10V 400m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
IRF621R Harris Corporation IRF621R 0.4300
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 5A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 40W(Tc)
RF1S25N06SM Harris Corporation RF1S25N06SM 0.6000
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 25A - - - - - -
IRF453 Harris Corporation IRF453 1.0000
보상요청
 ECAD 3120 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 7.2A(Tc) 10V 500m옴 @ 7.2A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 25V에서 1800pF - 125W(Tc)
HGTD7N60C3S Harris Corporation HGTD7N60C3S -
보상요청
 ECAD 4129 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 60W TO-252AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 33 - - 600V 14A 56A 2V @ 15V, 7A - 23nC -
IRFD321 Harris Corporation IRFD321 -
보상요청
 ECAD 2713 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 66 N채널 350V 500mA(Tc) 10V 1.8옴 @ 250mA, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 455pF - 1W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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