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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 전압 - 출력 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 전압 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RF1S30N06LE Harris Corporation RF1S30N06LE 0.7300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 -
IGT7E20CS Harris Corporation IGT7E20CS 4.3200
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 ECAD 334 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-5 기준 TO-218-5 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 500V 25A - - -
D44C6 Harris Corporation D44C6 -
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 ECAD 6095 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 30W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 362 45V 4A 10μA NPN 500mV @ 50mA, 1A 40 @ 200mA, 1V 50MHz
HFA3128B96 Harris Corporation HFA3128B96 2.4200
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 HFA3128 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HFA3128B96-600026 EAR99 8541.21.0095 1
2N612340 Harris Corporation 2N612340 -
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 ECAD 2376 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
HC4P5502B-5 Harris Corporation HC4P5502B-5 2.9000
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 ECAD 580 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HC4P5502B-5-600026 1
RCA1C03 Harris Corporation RCA1C03 -
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 ECAD 1840년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
IRF741 Harris Corporation IRF741 1.0100
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 ECAD 520 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 10A(TC) 10V 550m옴 @ 5.2A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1250pF - 125W(Tc)
IRFD112 Harris Corporation IRFD112 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 800mA(Tc) 10V 800m옴 @ 800mA, 10V 4V @ 250μA 7nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 1W(Tc)
TIP125GE Harris Corporation TIP125GE 1.0000
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 ECAD 4971 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
RF1S50N06LESM Harris Corporation RF1S50N06LESM 0.9000
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 50A(Tc) 5V 22m옴 @ 50A, 5V 2V @ 250μA 120nC @ 10V ±10V 2100pF @ 25V - 142W(Tc)
BD899 Harris Corporation BD899 0.5300
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 ECAD 9584 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 70W TO-220C 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 18 80V 8A - NPN - - 1MHz
IGTH20N50 Harris Corporation IGTH20N50 2.7500
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 ECAD 269 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 TO-218 절연 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 500V 20A - - -
IRF710R Harris Corporation IRF710R -
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 ECAD 5558 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 2A(TC) 10V 3.6옴 @ 1.1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 36W(Tc)
HGT1S12N60C3 Harris Corporation HGT1S12N60C3 1.4200
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 ECAD 899 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 104W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600V 24A 96A 2V @ 15V, 12A - 62nC -
2N3955A Harris Corporation 2N3955A 6.5900
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 ECAD 162 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-71-6 금속 캔 TO-71 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) - 50V
CA3097E Harris Corporation CA3097E 0.5700
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 ECAD 2993년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 50V - 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) CA3097 16-PDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.59.0080 96 100mA, 10mA NPN, PNP(이미터)
RFP15N05L119 Harris Corporation RFP15N05L119 -
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 ECAD 4124 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
HGTP7N60C3 Harris Corporation HGTP7N60C3 0.7700
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 ECAD 450 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 60W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 450 - - 600V 14A 56A 2V @ 15V, 7A - 30nC -
IRFD121 Harris Corporation IRFD121 0.4500
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 푹스 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 1.3A(Tc) 10V 300m옴 @ 600mA, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 1W(Tc)
2N4989 Harris Corporation 2N4989 1.4700
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 ECAD 922 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 TO-98-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.30.0080 1 - 30V 300mW
HGTD3N60C3 Harris Corporation HGTD3N60C3 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 기준 33W 아이팩 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 10ns - 600V 6A 24A 2V @ 15V, 3A - 13.8nC -
HGTG24N60D1D Harris Corporation HGTG24N60D1D 9.6000
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 ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 125W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 60ns - 600V 40A 96A 2.3V @ 15V, 24A - 155nC -
RFP70N06S5001 Harris Corporation RFP70N06S5001 0.3600
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 ECAD 2513 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFP70 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 800 -
HUF75333S3 Harris Corporation HUF75333S3 0.6200
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 66A(티씨) 16m옴 @ 66A, 10V 4V @ 250μA 85nC @ 20V ±20V 25V에서 1300pF - 150W(Tc)
RFD8P06E Harris Corporation RFD8P06E 0.2900
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
RFD8P06ESM Harris Corporation RFD8P06ESM -
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 ECAD 6983 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 8A - - - - - -
RF1S30P06SM9A Harris Corporation RF1S30P06SM9A -
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 ECAD 9945 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 60V 30A(Tc) 10V 65m옴 @ 30A, 10V 4V @ 250μA 170nC @ 20V ±20V 3200pF @ 25V - 135W(Tc)
D72F5T2 Harris Corporation D72F5T2 0.4100
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 ECAD 159 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1W TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 3A 70 @ 1A, 1V -
IGT6E20 Harris Corporation IGT6E20 3.4800
보상요청
 ECAD 7218 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-247-3 기준 TO-247 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 78 - - 500V 32A - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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