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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TIP32C Harris Corporation TIP32C 0.2900
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,039 100V 3A 300μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
IRF630 Harris Corporation IRF630 0.8500
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 ECAD 22 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 382 N채널 200V 9A(TC) 400m옴 @ 5.4A, 10V 4V @ 250μA 43nC @ 10V 25V에서 800pF -
RFD7N10LE Harris Corporation RFD7N10LE 0.5000
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 ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 7A(TC) 5V 300m옴 @ 7A, 5V 2V @ 250μA 150nC @ 10V +10V, -8V 360pF @ 25V - 47W(Tc)
RFP10N15L Harris Corporation RFP10N15L 0.8100
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 ECAD 35 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 10A(TC) 5V 300m옴 @ 5A, 5V ±10V 25V에서 1200pF - 60W(Tc)
IRF1S30P05SM Harris Corporation IRF1S30P05SM 1.0000
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 ECAD 1883년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
D44VH1116 Harris Corporation D44VH1116 -
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 ECAD 5824 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 240 NPN
TIP29B Harris Corporation TIP29B 0.1700
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 ECAD 7240 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 1A 300μA NPN 700mV @ 125mA, 1A 15 @ 1A, 4V 3MHz
HGTG34N100E2 Harris Corporation HGTG34N100E2 7.5400
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 208W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1000V 55A 200A 3.3V @ 15V, 34A - 240nC -
IRF642R Harris Corporation IRF642R 0.8100
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 ECAD 500 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 16A(티씨) 10V 220m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 125W(Tc)
RFM12P10 Harris Corporation RFM12P10 -
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 ECAD 1009 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 12A(TC) 10V 300m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1500pF - 100W(Tc)
HC55182BIM Harris Corporation HC55182BIM 3.3800
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 ECAD 451 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HC55182BIM-600026 1
HGTD7N60B3S Harris Corporation HGTD7N60B3S 0.7500
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 ECAD 703 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 60W TO-252AA 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 7A, 50옴, 15V - 600V 14A 56A 2.1V @ 15V, 7A 72μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 37nC 26ns/130ns
HGT4E30N60B3S Harris Corporation HGT4E30N60B3S 4.8000
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 ECAD 450 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
IRF614 Harris Corporation IRF614 0.4100
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 ECAD 2703 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF614 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 695 N채널 250V 2.7A(Tc) 10V 2옴 @ 1.6A, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 140pF - 36W(Tc)
2N3416 Harris Corporation 2N3416 0.3100
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 ECAD 5588 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N341 625mW TO-92-3 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-2N3416 EAR99 8541.21.0095 1 50V 500mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 3mA, 50mA 75 @ 2mA, 4.5V -
IRF612 Harris Corporation IRF612 1.0000
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 ECAD 1935년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 2.6A(Tc) 10V 2.4옴 @ 1.6A, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 43W(Tc)
RFM6P10 Harris Corporation RFM6P10 1.7000
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 6A(TC) 10V 600m옴 @ 6A, 10V 4V @ 250μA ±20V 25V에서 800pF - 60W(Tc)
RF1S530SM9AS2457 Harris Corporation RF1S530SM9AS2457 0.8800
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 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 800 -
2N6752 Harris Corporation 2N6752 -
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 ECAD 6629 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-204AA 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 26 450V 10A 100μA NPN 3V @ 3A, 10A 8 @ 5A, 3V 60MHz
IRF610S2497 Harris Corporation IRF610S2497 0.1800
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRF610 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 -
RFM10N15L Harris Corporation RFM10N15L 2.1800
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 ECAD 1363 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 109 N채널 150V 10A(TC) 5V 300m옴 @ 5A, 5V ±10V 25V에서 1200pF - 75W(Tc)
RF1S15N06 Harris Corporation RF1S15N06 0.5700
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RF1S - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 -
IRF523 Harris Corporation IRF523 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 8A(TC) 10V 360m옴 @ 5.6A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 60W(Tc)
BUZ41A Harris Corporation BUZ41A 1.3600
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 ECAD 7 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 4.5A(Tc) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 2000pF @ 25V - 75W(Tc)
RFH75N05E Harris Corporation RFH75N05E -
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 ECAD 5774 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC MOSFET(금속) TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 20 N채널 50V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 400nC @ 20V ±20V - 240W(Tc)
RFP17N06L Harris Corporation RFP17N06L 1.1300
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 17A(TC) 4V, 5V 130m옴 @ 17A, 5V 2V @ 1mA 45nC @ 30V ±10V - 60W(Tc)
HUF75321S3S Harris Corporation HUF75321S3S 0.4300
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 ECAD 991 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 35A(Tc) 10V 34m옴 @ 35A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 20V ±20V 680pF @ 25V - 93W(Tc)
RF1S17N06LSM Harris Corporation RF1S17N06LSM 0.6500
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 17A - - - - - -
BD277 Harris Corporation BD277 -
보상요청
 ECAD 6598 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 70W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 903 45V 7A 1mA PNP 500mV @ 100mA, 1.75A 30 @ 1.75A, 2V 10MHz
IRFP153 Harris Corporation IRFP153 1.7900
보상요청
 ECAD 6464 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 60V 34A(티씨) 10V 80m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 180W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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