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트랜지스터 (181)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재 현재 (amp) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 트랜지스터 트랜지스터 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD910017SALI | 5.3628 |  | 7115 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910017 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||
 | Ald110900apal | 8.1500 | | 34 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110900 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1030 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 10MV@ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD212904PAL | 5.6826 | | 2870 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD212904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| ALD114904PAL | 5.8118 | | 4355 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1063 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 360mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD1102ASAL | 9.4700 | | 4188 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1005 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD114913PAL | 5.4888 | | 6588 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114913 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1065 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 2.7v | 1.26V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD1102SAL | 6.9000 | | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1007 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
| ALD1101ASAL | 9.4700 | | 46 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1101 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1001 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| Ald212908apal | 8.6100 | | 1848 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD212908 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | ALD1105PBL | 6.6500 | | 76 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1105 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1010 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| ALD212914PAL | 7.3830 | | 3690 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD212914 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | ALD910030SALI | 5.7854 | | 5473 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | - | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910030 | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-ALD910030SALI | 50 | - | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||||
 | ALD810016SCLI | 5.5750 | | 9144 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810016 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | |||||||||||||
| ALD114904SAL | 5.1500 | | 29 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1064 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 360mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| Ald1102apal | 9.8096 | | 3830 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1004 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD810027SCLI | 5.8548 | | 2419 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810027 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | |||||||||||||
| ALD810029SCLI | 5.7432 | | 1062 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | - | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810029 | 16- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-ALD810029SCLI | 50 | - | 4 n 채널 | |||||||||||||||
| ALD1101SAL | 6.9000 | | 36 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1101 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1003 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD910016SAL | 4.2762 | | 2329 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910016 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1276-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
 | Ald210800pcl | 6.9310 | | 4458 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD210800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1213 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | 25ohm | 20MV @ 10µA | - | 15pf @ 5V | 논리 논리 게이트 | |||||
| ALD212900ASAL | 6.1776 | | 1333 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD212900 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1211 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | 14ohm | 10MV@ 20µA | - | 30pf @ 5V | 논리 논리 게이트 | |||||
| ALD210800APCL | 9.7600 | | 56 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD210800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1216 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | 25ohm | 10MV@ 10µA | - | 15pf @ 5V | 논리 논리 게이트 | |||||
| ALD1101PAL | 8.2700 | | 100 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1101 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1002 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD114804ASCL | 6.8020 | | 3282 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1054 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 380mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD910025SAL | 4.2762 | | 3443 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910025 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1265-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
| ALD910023SALI | 5.3628 | | 4517 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910023 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||
| ALD114813SCL | 5.8826 | | 3801 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114813 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1058 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 2.7v | 1.26V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| Ald1110esal | 6.8234 | | 7127 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1110 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10V | - | 500ohm @ 5V | 1.01V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
| ALD114804APCL | 9.0404 | | 1078 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD114804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1053 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 3.6v | 380mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
| ALD212904SAL | 5.6228 | | 1634 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD212904 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 |
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