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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 트랜지스터 트랜지스터
ALD910016SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910016SAL 4.2762
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910016 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1276-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910019SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910019SAL 5.0400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910019 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1279-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD810016SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810016SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810016 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810027SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810027SCLI 5.8548
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810027 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD910017SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910017SALI 5.3628
RFQ
ECAD 7115 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910017 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910022SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910022SALI 5.3628
RFQ
ECAD 8363 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910022 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910026SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SALI 5.3812
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910026 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910027SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910027SALI 5.3812
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910027 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD810029SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810029SCLI 5.7432
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 - 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810029 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-ALD810029SCLI 50 - 4 n 채널
ALD210800PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald210800pcl 6.9310
RFQ
ECAD 4458 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210800 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1213 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma 25ohm 20MV @ 10µA - 15pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD212908ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908ASAL 7.7706
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD910023SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910023SALI 5.3628
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910023 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD114913PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL 5.4888
RFQ
ECAD 6588 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD114913 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1065 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 2.7v 1.26V @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD110802PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802PCL 6.5006
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110802 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1020 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 4.2v 220MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD910024SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910024SAL 5.0800
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910024 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1264-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD210802PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald210802pcl 6.3498
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210802 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD1115MAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115mal -
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ALD1115 MOSFET (금속 (() 500MW 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 n 보완 p 채널 및 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110914SAL 4.7014
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110914 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1043 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 5.4v 1.42V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310700ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700ASCL 7.4692
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310700 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1286 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1102ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102ASAL 9.4700
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1102 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1005 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 270ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - - -
ALD810020SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810020SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 7088 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810020 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD910030SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910030SALI 5.7854
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 - 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910030 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-ALD910030SALI 50 - 2 n 채널 (채널)
ALD114804ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804ASCL 6.8020
RFQ
ECAD 3282 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD114804 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1054 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 3.6v 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL 5.6228
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212904 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD310708APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708APCL 10.1814
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310708 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1296 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 780mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310702PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald310702pcl 7.1248
RFQ
ECAD 4744 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310702 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1289 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 180mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800APCL 9.6400
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110800 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1016 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 10MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108EPCL -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1108 MOSFET (금속 (() 600MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 25pf @ 5V -
ALD1101SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101SAL 6.9000
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1003 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - - -
ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110902PAL 5.6464
RFQ
ECAD 9379 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110902 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1034 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4.2v 220MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고