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트랜지스터(181)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 내구성 인증(암페어) 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 거주형태
ALD114804ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804ASCL 6.8020
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 ECAD 3282 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD114804 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1054 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 3.6V 1μA에서 380mV - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD910024SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910024SAL 5.0800
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 ECAD 100 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910024 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1264-5 EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD810027SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810027SCLI 5.8548
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 ECAD 2419 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD810027 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 4N 채널
ALD910026SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SALI 5.3812
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 ECAD 1253 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910026 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD212914PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212914PAL 7.3830
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 ECAD 3690 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 - 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD212914 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL 6.6000
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 ECAD 7 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD212900 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1212 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 80mA 14옴 20mV @ 20μA - 30pF @ 5V 게임 레벨 레벨
ALD114804APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804APCL 9.0404
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 ECAD 1078 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD114804 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1053 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 3.6V 1μA에서 380mV - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD910017SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910017SAL 4.2762
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 ECAD 8051 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910017 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1277-5 EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD1110ESAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL 6.8234
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 ECAD 7127 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD1110 MOSFET(금속) 600mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10V - 500옴 @ 5V 1.01V @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800APCL 9.7600
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 ECAD 56 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD210800 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1216 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA 25옴 10mV @ 10μA - 15pF @ 5V 게임 레벨 레벨
ALD114813SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114813SCL 5.8826
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 ECAD 3801 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD114813 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1058 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 2.7V 1.26V @ 1μA - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD310700PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700PCL 7.1248
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 ECAD 8207 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD310700 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1285 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 20mV - 2.5pF @ 5V -
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL 5.6228
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 ECAD 1634년 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD212904 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 80mA - 10μA에서 20mV - - 게임 레벨 레벨
ALD310708APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708APCL 1814년 10월
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 ECAD 2890 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD310708 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1296 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 780mV - 2.5pF @ 5V -
ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900APAL 8.1500
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 ECAD 34 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110900 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1030 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V - 500옴 @ 4V 10mV @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110914SAL 4.7014
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 ECAD 9699 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD110914 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1043 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 5.4V 1.42V @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL 8.2700
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 ECAD 100 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1101 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1002 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V - 75옴 @ 5V 1V @ 10μA - - -
ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908APAL 7.8996
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 ECAD 4117 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110908 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1038 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 4.8V 810mV @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108ESCL 5.2920
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 ECAD 7993 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD1108 MOSFET(금속) 600mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10V - 500옴 @ 5V 1.01V @ 1μA - 25pF @ 5V -
ALD210800SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800SCL 7.2700
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 ECAD 48 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD210800 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1210 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V 80mA 25옴 10μA에서 20mV - 15pF @ 5V 게임 레벨 레벨
ALD110800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800APCL 9.6400
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 ECAD 38 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110800 MOSFET(금속) 500mW 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1016 EAR99 8541.21.0095 50 4 N 채널, 일치쌍 10.6V - 500옴 @ 4V 10mV @ 1μA - 2.5pF @ 5V -
ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110902PAL 5.6464
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 ECAD 9379 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD110902 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1034 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V - 500옴 @ 4.2V 1μA에서 220mV - 2.5pF @ 5V -
ALD1107PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1107PBL 6.6500
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 ECAD 323 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 14-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1107 MOSFET(금속) 500mW 14-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1014 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 10.6V - 1800옴 @ 5V 1V @ 1μA - 3pF @ 5V -
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BSAL 6.6082
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 ECAD 5829 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD1101 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1217 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 40mA - - - - -
ALD114904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904SAL 5.1500
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 ECAD 29 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD® 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD114904 MOSFET(금속) 500mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1064 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V 12mA, 3mA 500옴 @ 3.6V 1μA에서 360mV - 2.5pF @ 5V 고갈 모드
ALD910026SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SAL 5.5900
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 ECAD 111 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 SAB™ 튜브 활동적인 10.6V 슈퍼커패시터 자동 가치런싱 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ALD910026 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 80mA 2 N채널(듀얼)
ALD1115MAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1115MAL -
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 ECAD 4197 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) ALD1115 MOSFET(금속) 500mW 8-MSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 N 및 P 채널 보완 10.6V - 1800옴 @ 5V 1V @ 1μA - 3pF @ 5V -
ALD310700SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700SCL 6.0054
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 ECAD 8142 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 EPAD®, 소수값™ 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ALD310700 MOSFET(금속) 500mW 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1287 EAR99 8541.21.0095 50 4 P 채널, 일치쌍 8V - - 1μA에서 20mV - 2.5pF @ 5V -
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101APAL 9.8096
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 ECAD 3107 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1101 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1014-1000 EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V - 75옴 @ 5V 1V @ 10μA - 10pF @ 5V -
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BPAL 8.8038
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 ECAD 6794 0.00000000 어드밴스드 리니어 장치 주식회사 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (TJ) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) ALD1101 MOSFET(금속) 500mW 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 50 2 N채널(이중)정확 10.6V - 75옴 @ 5V 1V @ 10μA - - -
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