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트랜지스터(181)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	응용	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	내구성 인증(암페어)	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	거주형태
ALD810016SCL	4.7958	보상요청	5353	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810016			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1269-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD114813PCL	7.1248	보상요청	6043	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD114813	MOSFET(금속)	500mW	16-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1057	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	12mA, 3mA	500옴 @ 2.7V	1.26V @ 1μA	-	2.5pF @ 5V	고갈 모드
ALD1105SBL	5.9800	보상요청	50	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	-	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD1105	MOSFET(금속)	500mW	14-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1011	EAR99	8541.21.0095	50	2 N 및 2 P 채널 일치		10.6V	-	500옴 @ 5V	1V @ 1μA	-	3pF @ 5V	-
ALD1103SBL	8.2500	보상요청	105	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	-	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD1103	MOSFET(금속)	500mW	14-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1009	EAR99	8541.21.0095	50	2 N 및 2 P 채널 일치		10.6V	40mA, 16mA	75옴 @ 5V	1V @ 10μA	-	10pF @ 5V	-
ALD1115SAL	3.6146	보상요청	3719	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	-	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD1115	MOSFET(금속)	500mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1045	EAR99	8541.21.0095	50	N 및 P 채널 보완		10.6V	-	1800옴 @ 5V	1V @ 1μA	-	3pF @ 5V	-
ALD210808ASCL	7.5122	보상요청	5149	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD210808	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	80mA	-	10μA에서 20mV	-	-	게임 레벨 레벨
ALD110802SCL	5.8548	보상요청	7664	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD110802	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1021	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	-	500옴 @ 4.2V	1μA에서 220mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD1102PAL	8.2700	보상요청	54	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	-	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		스루홀	8-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD1102	MOSFET(금속)	500mW	8-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1006	EAR99	8541.21.0095	50	2 P채널(이중) 일치		10.6V	-	270옴 @ 5V	1.2V @ 10μA	-	10pF @ 5V	-
ALD114804PCL	6.9740	보상요청	3506	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD114804	MOSFET(금속)	500mW	16-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1055	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	12mA, 3mA	500옴 @ 3.6V	1μA에서 360mV	-	2.5pF @ 5V	고갈 모드
ALD114835SCL	6.9000	보상요청	290	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD114835	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1060	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	12mA, 3mA	540옴 @ 0V	3.45V @ 1μA	-	2.5pF @ 5V	고갈 모드
ALD310702SCL	6.0054	보상요청	2024년	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD310702	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1291	EAR99	8541.21.0095	50	4 P 채널, 일치쌍		8V	-	-	1μA에서 180mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD110808SCL	4.9140	보상요청	1445	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD110808	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1027	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	12mA, 3mA	500옴 @ 4.8V	1μA에서 820mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD1115PAL	5.6500	보상요청	33	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	-	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		스루홀	8-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD1115	MOSFET(금속)	500mW	8-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1044	EAR99	8541.21.0095	50	N 및 P 채널 보완		10.6V	-	1800옴 @ 5V	1V @ 1μA	-	3pF @ 5V	-
ALD310708PCL	8.6100	보상요청	3247	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C		스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD310708	MOSFET(금속)	500mW	16-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1297	EAR99	8541.21.0095	50	4 P 채널, 일치쌍		8V	-	-	1μA에서 780mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD110902SAL	4.9800	보상요청	33	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD110902	MOSFET(금속)	500mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1035	EAR99	8541.21.0095	50	2 N채널(이중)정확		10.6V	-	500옴 @ 4.2V	1μA에서 220mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD110804SCL	5.8548	보상요청	3209	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD110804	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1023	EAR99	8541.21.0095	50	4 N 채널, 일치쌍		10.6V	12mA, 3mA	500옴 @ 4.4V	1μA에서 420mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD910020SAL	4.2762	보상요청	1448	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD910020			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1280-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 N채널(듀얼)
ALD810028SCLI	5.8548	보상요청	8470	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810028			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD310704APCL	1814년 10월	보상요청	3338	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C		스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD310704	MOSFET(금속)	500mW	16-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1292	EAR99	8541.21.0095	50	4 P 채널, 일치쌍		8V	-	-	1μA에서 380mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD310708ASCL	8.2872	보상요청	7851	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C		표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD310708	MOSFET(금속)	500mW	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1298	EAR99	8541.21.0095	50	4 P 채널, 일치쌍		8V	-	-	1μA에서 780mV	-	2.5pF @ 5V	-
ALD810017SCLI	5.5750	보상요청	5175	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810017			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD110900ASAL	6.8200	보상요청	22	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®, 소수값™	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD110900	MOSFET(금속)	500mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1031	EAR99	8541.21.0095	50	2 N채널(이중)정확		10.6V	-	500옴 @ 4V	10mV @ 1μA	-	2.5pF @ 5V	-
ALD910028SAL	4.7014	보상요청	3317	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD910028			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1268-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 N채널(듀얼)
ALD810022SCLI	5.5750	보상요청	4876	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810022			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD810018SCL	4.7958	보상요청	8086	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810018			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1271-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD114904APAL	6.8234	보상요청	7241	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	EPAD®	튜브	활동적인		0°C ~ 70°C (TJ)		스루홀	8-DIP(0.300", 7.62mm)	ALD114904	MOSFET(금속)	500mW	8-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1061	EAR99	8541.21.0095	50	2 N채널(이중)정확		10.6V	12mA, 3mA	500옴 @ 3.6V	1μA에서 380mV	-	2.5pF @ 5V	고갈 모드
ALD810025SCL	5.6500	보상요청	820	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	ALD810025			16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1259-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								4N 채널
ALD910021SALI	6.3200	보상요청	491	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD910021			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 N채널(듀얼)
ALD910018SAL	4.2762	보상요청	4256	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD910018			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1278-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 N채널(듀얼)
ALD910022SAL	5.0400	보상요청	594	어드밴스드 리니어 장치 주식회사	SAB™	튜브	활동적인	10.6V		슈퍼커패시터 자동 가치런싱	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	ALD910022			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	1014-1282-5	EAR99	8541.21.0095	50		80mA								2 N채널(듀얼)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(181)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²