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트랜지스터 (181)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재 현재 (amp) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 트랜지스터 트랜지스터 |
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| Ald1115sal | 3.6146 | | 3719 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1115 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1045 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | n 보완 p 채널 및 | 10.6v | - | 1800ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
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| ALD110804SCL | 5.8548 | | 3209 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1023 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.4v | 420MV @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - |
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