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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 트랜지스터 트랜지스터
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904ASAL 6.1776
RFQ
ECAD 6987 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD114904 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1062 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 3.6v 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD110902SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110902SAL 4.9800
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110902 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1035 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4.2v 220MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310702SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702SCL 6.0054
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310702 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1291 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 180mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald110900apal 8.1500
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1030 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 10MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD212900ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900ASAL 6.1776
RFQ
ECAD 1333 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1211 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma 14ohm 10MV @ 20µA - 30pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BSAL 6.6082
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1217 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 40ma - - - - -
ALD910028SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910028SALI 5.3812
RFQ
ECAD 4378 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910028 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD114804APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804APCL 9.0404
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD114804 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1053 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 3.6v 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL 6.6000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1212 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma 14ohm 20mV @ 20µA - 30pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD212914PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212914PAL 7.3830
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212914 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD210808PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald210808pcl 5.8764
RFQ
ECAD 1991 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210808 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800APCL 9.7600
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210800 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1216 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma 25ohm 10MV @ 10µA - 15pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BPAL 8.8038
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - - -
ALD212908APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald212908apal 8.6100
RFQ
ECAD 1848 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD212908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD310700PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald310700pcl 7.1248
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310700 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1285 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310700SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700SCL 6.0054
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310700 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1287 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD910017SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910017SAL 4.2762
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910017 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1277-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD310704PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310704PCL 8.6100
RFQ
ECAD 7235 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310704 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1293 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1101apal 9.8096
RFQ
ECAD 3107 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1000 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108ESCL 5.2920
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1108 MOSFET (금속 (() 600MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 25pf @ 5V -
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101ASAL 9.4700
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1101 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1001 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - - -
ALD1107PBL Advanced Linear Devices Inc. Ald1107pbl 6.6500
RFQ
ECAD 323 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1107 MOSFET (금속 (() 500MW 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1014 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD910026SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SAL 5.5900
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910026 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD1110ESAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1110esal 6.8234
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1110 MOSFET (금속 (() 600MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1102APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1102apal 9.8096
RFQ
ECAD 3830 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1102 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1004 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 270ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - - -
ALD810030SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810030SCLI 6.8000
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810030 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 80ma 4 n 채널
ALD910029SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910029SALI 5.7854
RFQ
ECAD 5798 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 - 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910029 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-ald910029sali 50 - 2 n 채널 (채널)
ALD910016SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910016SAL 4.2762
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910016 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1276-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910019SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910019SAL 5.0400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910019 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1279-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD810016SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810016SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810016 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고