전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재 현재 (amp) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 트랜지스터 트랜지스터 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ALD910025 SALI | 5.3628 | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910025 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | |||||||||||||
![]() | ALD810016SCL | 4.7958 | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810016 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1269-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | ||||||||||||
![]() | ALD210800ASCL | 8.7200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1214 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | 25ohm | 10MV @ 10µA | - | 15pf @ 5V | 논리 논리 게이트 | |||||
![]() | ald1110epal | 6.8234 | ![]() | 6708 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1110 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10V | - | 500ohm @ 5V | 1.01V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD210802SCL | 5.7256 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD210802 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | Ald310708pcl | 8.6100 | ![]() | 3247 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD310708 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1297 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 780mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
ALD310702ASCL | 7.4692 | ![]() | 5116 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD310702 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1290 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 180mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD1103SBL | 8.2500 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1103 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1009 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | 40MA, 16MA | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110804SCL | 5.8548 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110804 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1023 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.4v | 420MV @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110808ASCL | 8.9544 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1025 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.8V | 810mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | Ald110800pcl | 6.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110800 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1018 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 20mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD1102PAL | 8.2700 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1006 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD111910MAL | - | ![]() | 8551 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1219 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | ALD1103PBL | 9.2600 | ![]() | 535 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1103 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1008 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 25 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | 40MA, 16MA | 75ohm @ 5v | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
![]() | Ald114935sal | 4.9612 | ![]() | 1067 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114935 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1068 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3.45V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
![]() | ALD1115PAL | 5.6500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1115 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1044 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | n 보완 p 채널 및 | 10.6v | - | 1800ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
![]() | ALD810023SCLI | 5.5750 | ![]() | 9679 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810023 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | |||||||||||||
![]() | ALD810025SCL | 5.6500 | ![]() | 820 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810025 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1259-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | ||||||||||||
![]() | ALD810022SCL | 5.6500 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD810022 | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1275-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 n 채널 | ||||||||||||
![]() | ALD1105SBL | 5.9800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1105 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1011 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
![]() | Ald1115sal | 3.6146 | ![]() | 3719 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD1115 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1045 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | n 보완 p 채널 및 | 10.6v | - | 1800ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
![]() | ALD110808SCL | 4.9140 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1027 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 4.8V | 820mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110900ASAL | 6.8200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD110900 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1031 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | - | 500ohm @ 4v | 10MV @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD310704APCL | 10.1814 | ![]() | 3338 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD310704 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1292 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 380mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD114835SCL | 6.9000 | ![]() | 290 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD114835 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1060 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3.45V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | 고갈 고갈 | |||||
![]() | Ald910018sal | 4.2762 | ![]() | 4256 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | 튜브 | 활동적인 | 10.6v | 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD910018 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1278-5 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 n 채널 (채널) | ||||||||||||
![]() | ALD210808APCL | 8.3302 | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD210808 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n 채널, 채널 쌍 | 10.6v | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | ALD1117PAL | 5.7000 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1117 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1048 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 1800ohm @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
![]() | ALD1102BPAL | 8.8038 | ![]() | 8398 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD1102 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 | 10.6v | - | 270ohm @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | ||||||
ALD310708ASCL | 8.2872 | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ALD310708 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1298 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p 채널, 채널 쌍 | 8V | - | - | 780mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고