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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 트랜지스터 트랜지스터
ALD910025SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910025 SALI 5.3628
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910025 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD810016SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810016SCL 4.7958
RFQ
ECAD 5353 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810016 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1269-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800ASCL 8.7200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD210800 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1214 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma 25ohm 10MV @ 10µA - 15pf @ 5V 논리 논리 게이트
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. ald1110epal 6.8234
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1110 MOSFET (금속 (() 600MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD210802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210802SCL 5.7256
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD210802 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD310708PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald310708pcl 8.6100
RFQ
ECAD 3247 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310708 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1297 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 780mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310702ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702ASCL 7.4692
RFQ
ECAD 5116 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310702 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1290 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 180mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1103SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103SBL 8.2500
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1103 MOSFET (금속 (() 500MW 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1009 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 10.6v 40MA, 16MA 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
ALD110804SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110804SCL 5.8548
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110804 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1023 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.4v 420MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808ASCL 8.9544
RFQ
ECAD 6140 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110808 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1025 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 810mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc. Ald110800pcl 6.3700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110800 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1018 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 20mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD1102PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102PAL 8.2700
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1102 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1006 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 270ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - 10pf @ 5V -
ALD111910MAL Advanced Linear Devices Inc. ALD111910MAL -
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 - - - ALD111910 - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1219 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
ALD1103PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1103PBL 9.2600
RFQ
ECAD 535 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1103 MOSFET (금속 (() 500MW 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1008 귀 99 8541.21.0095 25 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 10.6v 40MA, 16MA 75ohm @ 5v 1V @ 10µA - 10pf @ 5V -
ALD114935SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald114935sal 4.9612
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD114935 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1068 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 540ohm @ 0v 3.45V @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD1115PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1115PAL 5.6500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1115 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1044 귀 99 8541.21.0095 50 n 보완 p 채널 및 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD810023SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810023SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 9679 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810023 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810025SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810025SCL 5.6500
RFQ
ECAD 820 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810025 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1259-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810022SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810022SCL 5.6500
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810022 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1275-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD1105SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1105SBL 5.9800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1105 MOSFET (금속 (() 500MW 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1011 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 및 2 p 및 일치 쌍 10.6v - 500ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1115sal 3.6146
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1115 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1045 귀 99 8541.21.0095 50 n 보완 p 채널 및 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD110808SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808SCL 4.9140
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110808 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1027 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 820mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD110900ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110900ASAL 6.8200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110900 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1031 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v - 500ohm @ 4v 10MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD310704APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310704APCL 10.1814
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD310704 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1292 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
ALD114835SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114835SCL 6.9000
RFQ
ECAD 290 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD114835 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1060 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 540ohm @ 0v 3.45V @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
ALD910018SAL Advanced Linear Devices Inc. Ald910018sal 4.2762
RFQ
ECAD 4256 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910018 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1278-5 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD210808APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210808APCL 8.3302
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD210808 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1117PAL 5.7000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1117 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1048 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
ALD1102BPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102BPAL 8.8038
RFQ
ECAD 8398 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1102 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 p 채널 (채널) 일치 한 쌍 10.6v - 270ohm @ 5V 1.2V @ 10µA - 10pf @ 5V -
ALD310708ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708ASCL 8.2872
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD310708 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1298 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 8V - - 780mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고