| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPSA13RA | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 1.2A | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3904CTA | - | ![]() | 2570 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40V | 200mA | - | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60TU | 1.3100 | ![]() | 627 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 10.5A(Tc) | 10V | 700m옴 @ 5.3A, 10V | 5V @ 250μA | 54nC @ 10V | ±30V | 1900pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 180W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | FQB4N80TM | 1.0000 | ![]() | 1932년 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 800V | 3.9A(Tc) | 10V | 3.6옴 @ 1.95A, 10V | 5V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 25V에서 880pF | - | 3.13W(Ta), 130W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FQB6N70TM | 2.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 700V | 6.2A(Tc) | 10V | 1.5옴 @ 3.1A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1400pF | - | 3.13W(Ta), 142W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | 237년 | 0.0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 350mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 120 @ 2mA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1699E-PM-AA | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF13009H1TU | 0.8900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드 | 50W | TO-220F-3 (Y-형) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 337 | 400V | 12A | - | NPN | 3V @ 3A, 12A | 6 @ 8A, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TIP110 | 1.0000 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 2mA | NPN-달링턴 | 2.5V @ 8mA, 2A | 1000 @ 1A, 4V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2907ATF | 0.0500 | ![]() | 99 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,138 | 60V | 600mA | 10nA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQA27N25 | 1.5900 | ![]() | 712 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 189 | N채널 | 250V | 27A (Tc) | 10V | 110m옴 @ 13.5A, 10V | 5V @ 250μA | 65nC @ 10V | ±30V | 25V에서 2450pF | - | 210W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | KSA812YMTF | - | ![]() | 7403 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150mW | SOT-23-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSA812YMTF-600039 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 135@1mA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||
![]() | KSE2955T | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 600mW | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 895 | 60V | 10A | 700μA | PNP | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||
![]() | KSE182STU | - | ![]() | 7975 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.5W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,745 | 80V | 3A | 100nA(ICBO) | NPN | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FCPF380N60E | 1.0000 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FCPF380 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 10.2A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 5A, 10V | 250μA에서 3.5V | 45nC @ 10V | ±20V | 1770pF @ 25V | - | 31W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRFS640A | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 9.8A(Tc) | 10V | 180m옴 @ 4.9A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1500pF | - | 43W(Tc) | |||||||||||||
![]() | FDD6796A | 0.5200 | ![]() | 749 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 750 | N채널 | 25V | 20A(Ta), 40A(Tc) | 5.7m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 34nC @ 10V | ±20V | 1780pF @ 13V | - | 3.7W(Ta), 42W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | FDY2000PZ | 0.1600 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | FDY20 | MOSFET(금속) | 446mW | SOT-563F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 350mA | 1.2옴 @ 350mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1.4nC @ 4.5V | 100pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
![]() | MMBF170 | - | ![]() | 4869 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 500mA(타) | 10V | 5옴 @ 200mA, 10V | 3V @ 1mA | ±20V | 10V에서 40pF | - | 300mW(타) | |||||||||||||||||
![]() | NDS9952A | - | ![]() | 3220 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | NDS995 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N 및 P 채널 | 30V | 3.7A, 2.9A | 80m옴 @ 1A, 10V | 2.8V @ 250μA | 25nC @ 10V | 320pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
![]() | FDMS3600AS | 1.0100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS3600 | MOSFET(금속) | 2.2W, 2.5W | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(이중) 배열 | 25V | 15A, 30A | 5.6m옴 @ 15A, 10V | 2.7V @ 250μA | 27nC @ 10V | 1770pF @ 13V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
![]() | FJN4309RTA | 0.0200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN430 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 1mA, 5V | 200MHz | 4.7kΩ | ||||||||||||||||
![]() | FDP8N50NZ | - | ![]() | 5475 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 500V | 8A(TC) | 10V | 850m옴 @ 4A, 10V | 5V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±25V | 25V에서 735pF | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FQP9N08 | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 9.3A(Tc) | 10V | 210m옴 @ 4.65A, 10V | 4V @ 250μA | 7.7nC @ 10V | ±25V | 25V에서 250pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | HUF75545P3_NL | 2.1100 | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N채널 | 80V | 75A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 235nC @ 20V | ±20V | 3750pF @ 25V | - | 270W(Tc) | |||||||||||||
![]() | KSH29CTF | - | ![]() | 2532 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | KSH29 | 1.56W | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100V | 1A | 50μA | NPN | 700mV @ 125mA, 1A | 15 @ 1A, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||
| 2SA1707S-AN-FS | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | SC-71 | 2SA1707 | 1W | 3-NMP | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 3A | 1μA(ICBO) | PNP | 700mV @ 100mA, 2A | 140 @ 100mA, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | KSD363R | 0.5300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 40W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 120V | 6A | 1mA(ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 1A | 40 @ 1A, 5V | 10MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDMC0208 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMC02 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5302DTU | 0.1700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 2A | 10μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 200mA, 1A | 10 @ 1A, 1V | - |

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