전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9V3036P3 | 1.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ecospark® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 논리 | 150 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 v | 21 a | 1.6V @ 4V, 6A | - | 17 NC | -/4.8µs | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf9n25ct | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 250 v | 8.8A (TC) | 10V | 430mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 710 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6680S | 0.5200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11.5A (TA) | 4.5V, 10V | 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 5 v | ± 20V | 2010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJZ594JBTF | 0.0200 | ![]() | 687 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-623F | 100MW | SOT-623F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µa @ 5 v | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4435A | 1.2100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 2V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 20V | 2010 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8878 | 0.3000 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 880 pf @ 15 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | fqi32n20ctu | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 28A (TC) | 10V | 82mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 2220 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd3n50ctf | 1.0000 | ![]() | 4867 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 365 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf3n80cydtu | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 (Y- 형성) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 30V | 705 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF16N25C | 0.9200 | ![]() | 360 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 250 v | 11.4A (TC) | 10V | 270mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 53.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1080 pf @ 25 v | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08L | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 16.5A (TC) | 5V, 10V | 100mohm @ 8.25a, 10V | 2V @ 250µA | 11.5 nc @ 5 v | ± 20V | 520 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9412 | 0.2700 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7.9A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 7.9a, 10V | 2V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 830 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60S | 17.3100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 오후 25 a aa | 89 w | 단상 단상 정류기 | 오후 25 a aa | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 600 v | 20 a | 2.7V @ 15V, 20A | 250 µA | 예 | 1.277 NF @ 30 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1.0000 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 3805 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
FD6M033N06 | 3.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Power-SPM ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | EPM15 | FD6M033 | MOSFET (금속 (() | - | EPM15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 73A | 3.3mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 129NC @ 10V | 6010pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JFTJ105 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | - | 25 v | 500 ma @ 15 v | 4.5 V @ 1 µA | 3 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N20 | 0.8300 | ![]() | 684 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 200 v | 15A (TC) | 10V | 150mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | fqd7n10tm | 0.5100 | ![]() | 176 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5.8A (TC) | 10V | 350mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 25V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | sgp13n60uftu | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SGP13N60 | 기준 | 60 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85µJ (on), 95µJ (OFF) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6812A | 1.0000 | ![]() | 3538 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS68 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.7a | 22mohm @ 6.7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 19NC @ 4.5V | 1082pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS6G10US60 | 15.4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 오후 25 a aa | 66 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | 오후 25 a aa | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 3 단계 인버터 | - | 600 v | 10 a | 2.7V @ 15V, 10A | 250 µA | 예 | 710 pf @ 30 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdy2001pz | 0.0600 | ![]() | 161 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | fdy20 | MOSFET (금속 (() | 446MW | SOT-563F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 150ma | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 100pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS654B | 1.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 250 v | 21A (TJ) | 10V | 140mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | 123 NC @ 10 v | ± 30V | 3400 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76423S3st | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 35a, 10V | 3V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 16V | 1060 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFI9510TU | 0.7300 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 100 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.8a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 30V | 335 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ197PZ | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, WLCSP | FDZ19 | MOSFET (금속 (() | 6-WLCSP (1.0x1.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 1.5V, 4.5V | 64mohm @ 2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1570 pf @ 10 v | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86152 | 2.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 114 | n 채널 | 100 v | 14A (TA), 45A (TC) | 6V, 10V | 6MOHM @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3370 pf @ 50 v | - | 2.7W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB16AN08A0 | 1.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 239 | n 채널 | 75 v | 9A (TA), 58A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 58a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1857 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdme910pzt | 1.0000 | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | MOSFET (금속 (() | 마이크로 마이크로 1.6x1.6 얇은 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | p 채널 | 20 v | 8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2110 pf @ 10 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4470 | 0.9100 | ![]() | 194 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 329 | n 채널 | 40 v | 12.5A (TA) | 10V | 9mohm @ 12.5a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | +30V, -20V | 2659 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고