| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJX3013RTF | 1.0000 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | FJX301 | 200mW | SC-70-3 (SOT323) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 250MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50_F133 | - | ![]() | 7819 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 500V | 48A(TC) | 105m옴 @ 24A, 10V | 5V @ 250μA | 137nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6460pF | - | 625W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP100N10 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 159 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 75A, 10V | 250μA에서 4.5V | 100nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7300pF | - | 208W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI50N06LTU | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 52.4A(Tc) | 5V, 10V | 21m옴 @ 26.2A, 10V | 2.5V @ 250μA | 32nC @ 5V | ±20V | 25V에서 1630pF | - | 3.75W(Ta), 121W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7200S | 1.0000 | ![]() | 3898 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDMC72 | MOSFET(금속) | 700mW, 1W | 8-전원33(3x3) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 7A, 13A | 22m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | 660pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC638P | - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 20V | 4.5A(타) | 2.5V, 4.5V | 48m옴 @ 4.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 14nC @ 4.5V | ±8V | 1160pF @ 10V | - | 1.6W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8832-F085 | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDB8832-F085-600039 | 1 | N채널 | 30V | 34A(타) | 4.5V, 10V | 1.9m옴 @ 80A, 10V | 3V @ 250μA | 265nC @ 10V | ±20V | 11400pF @ 15V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
| FDB0260N1007L | - | ![]() | 8700 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | MOSFET(금속) | TO-263-7 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 100V | 200A(Tc) | 10V | 2.6m옴 @ 27A, 10V | 4V @ 250μA | 118nC @ 10V | ±20V | 50V에서 8545pF | - | 3.8W(Ta), 250W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5401-FS | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | 150V | 600mA | 50nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL0120N40 | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerSFN | MOSFET(금속) | 8-HPSOF | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 240A(Tc) | 10V | 1.2m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7735pF | - | 300W(티제이) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N306AP3 | 0.7500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3400pF | - | 125W(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FCD620N60ZF | - | ![]() | 4587 | 0.00000000 | 비교차일드 | HiPerFET™, Polar™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 600V | 7.3A(Tc) | 10V | 620m옴 @ 3.6A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1135pF | - | 89W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2205-E | - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 800mW | TP | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SA2205-E-600039 | 1 | 100V | 2A | 1μA(ICBO) | PNP | 240mV @ 100mA, 1A | 200 @ 100mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343G3 | 0.8000 | ![]() | 546 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 205nC @ 20V | ±20V | 3000pF @ 25V | - | 270W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N60C | 0.7200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 417 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 2.5옴 @ 2.25A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 670pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW5N60RUFDTM | 0.8500 | ![]() | 1026 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SGW5N | 기준 | 60W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 291 | 300V, 5A, 40옴, 15V | 55ns | - | 600V | 8A | 15A | 2.8V @ 15V, 5A | 88μJ(켜짐), 107μJ(꺼짐) | 16nC | 13ns/34ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA70N15 | - | ![]() | 3024 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 150V | 70A(Tc) | 10V | 28m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 10V | ±25V | 5400pF @ 25V | - | 330W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6670A_NL | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 15A(타), 66A(Tc) | 4.5V, 10V | 8m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±20V | 1755pF @ 15V | - | 1.3W(Ta), 63W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60TF | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 2.4A(Tc) | 10V | 3.6옴 @ 1.2A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 450pF | - | 2.5W(Ta), 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB19N10LTM | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 19A(TC) | 5V, 10V | 100m옴 @ 9.5A, 10V | 2V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 25V에서 870pF | - | 3.75W(Ta), 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH11 | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | 25V | 50mA | NPN | 60 @ 4mA, 10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF1300N80ZYD | 1.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 (Y-형) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 800V | 4A(TC) | 10V | 1.3옴 @ 2A, 10V | 4.5V @ 400μA | 21nC @ 10V | ±20V | 100V에서 880pF | - | 24W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N310AD3ST | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 995 | N채널 | 30V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 10옴 @ 35A, 10A | 3V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1800pF | - | 70W(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7000 | - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | 비교차일드 | STripFET™ | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N70 | MOSFET(금속) | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 60V | 350mA(Tc) | 4.5V, 10V | 5옴 @ 500mA, 10V | 3V @ 250μA | 2nC @ 5V | ±18V | 25V에서 43pF | - | 350mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG27N120BN | - | ![]() | 8388 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 500W | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 960V, 27A, 3옴, 15V | NPT | 1200V | 72A | 216A | 2.7V @ 15V, 27A | 2.2mJ(켜짐), 2.3mJ(꺼짐) | 270nC | 24ns/195ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76423D3S | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 32m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 34nC @ 10V | ±16V | 1060pF @ 25V | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5401RA | 1.0000 | ![]() | 7966 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 2N5401 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 150V | 600mA | 50μA(ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2501N | 0.9800 | ![]() | 343 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET(금속) | 600mW | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 6A | 18m옴 @ 6A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 17nC @ 4.5V | 1290pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - | ![]() | 5823 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 52A(타) | 6V, 10V | 15m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 73nC @ 10V | ±20V | 2739pF @ 15V | - | 3.8W(Ta), 83W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9634 | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 250V | 3.4A(Tc) | 10V | 1.30옴 @ 1.7A, 10V | 4V @ 250μA | 37nC @ 10V | ±30V | 25V에서 975pF | - | 33W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

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