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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDD8874	0.6600	보상요청	3	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널		30V	18A(타), 116A(Tc)	4.5V, 10V	5.1m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	72nC @ 10V	±20V	2990pF @ 15V	-	110W(Tc)
HUF75639S3ST	1.2800	보상요청	800	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	235	N채널		100V	56A(티씨)	10V	25m옴 @ 56A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 20V	±20V	2000pF @ 25V	-	200W(Tc)
BSP51	1.0000	보상요청	2612	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			1W	SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500													80V	500mA	10μA	NPN-달링턴	500μA, 500mA에서 1.3V	1000 @ 150mA, 10V	-
FDPF16N50	-	보상요청	5923	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	N채널		500V	16A(티씨)	10V	380m옴 @ 8A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±30V	1945pF @ 25V	-	38.5W(Tc)
FDZ595PZ	-	보상요청	2593	비교차일드	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우				250
MMBTA05	-	보상요청	5097	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA05		350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000													60V	500mA	100nA	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
FDI025N06	3.0400	보상요청	8621	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	29	N채널		60V	265A(Tc)	10V	2.5m옴 @ 75A, 10V	250μA에서 4.5V	226nC @ 10V	±20V	25V에서 14885pF	-	395W(Tc)
HUF76013D3ST	0.2800	보상요청	150	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널		20V	20A(TC)	5V, 10V	22m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	20V에서 624pF	-	50W(Tc)
SFS9630	0.4100	보상요청	16	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1	P채널		200V	4.4A(Tc)	10V	800m옴 @ 2.2A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±30V	25V에서 965pF	-	33W(Tc)
FQP19N10L	0.4100	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널		100V	19A(TC)	5V, 10V	100m옴 @ 9.5A, 10V	2V @ 250μA	18nC @ 5V	±20V	25V에서 870pF	-	75W(Tc)
FDC653N	0.2500	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6		MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1,192	N채널		30V	5A(타)	4.5V, 10V	35m옴 @ 5A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	15V에서 350pF	-	1.6W(타)
FJN3303RTA	-	보상요청	3848	비교차일드	-	대부분	활동적인		스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	FJN330		300mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1													50V	100mA	100nA(ICBO)	NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	56 @ 5mA, 5V	250MHz	22kΩ	22kΩ
HUF76437S3S	0.5300	보상요청	4	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50	N채널		60V	71A (Tc)	4.5V, 10V	14m옴 @ 71A, 10V	3V @ 250μA	71nC @ 10V	±16V	2230pF @ 25V	-	155W(Tc)
FCH067N65S3-F155	-	보상요청	9718	비교차일드	SuperFET® III	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널		650V	44A(Tc)	10V	67m옴 @ 22A, 10V	4.5V @ 4.4mA	78nC @ 10V	±30V	400V에서 3090pF	-	312W(Tc)
FDP16AN08A0	0.9100	보상요청	3	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	357	N채널		75V	9A(Ta), 58A(Tc)	6V, 10V	16m옴 @ 58A, 10V	4V @ 250μA	42nC @ 10V	±20V	25V에서 1857pF	-	135W(Tc)
FDFMA2P853T	0.2700	보상요청	23	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-VDFN옆패드		MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000	P채널		20V	3A(타)	1.8V, 4.5V	120m옴 @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250μA	6nC @ 4.5V	±8V	10V에서 435pF	쇼트키 다이오드(절연)	1.4W(타)
FDMS2508SDC	1.4300	보상요청	31	비교차일드	Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널		25V	34A(Ta), 49A(Tc)	4.5V, 10V	1.95m옴 @ 28A, 10V	3V @ 1mA	69nC @ 10V	±20V	13V에서 4515pF	-	3.3W(Ta), 78W(Tc)
FQAF33N10	0.7200	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360	N채널		100V	25.8A(Tc)	10V	52m옴 @ 12.9A, 10V	4V @ 250μA	51nC @ 10V	±25V	25V에서 1500pF	-	83W(Tc)
KSC2682YS	0.1000	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			1.2W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	250													180V	100mA	1μA(ICBO)	NPN	500mV @ 5mA, 50mA	160 @ 10mA, 5V	200MHz
BC32825TA	0.0200	보상요청	1412	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	596													25V	800mA	100nA	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
HUFA75343P3	0.7800	보상요청	643	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400	N채널		55V	75A(Tc)	10V	9m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	205nC @ 20V	±20V	3000pF @ 25V	-	270W(Tc)
SSF7N60B	-	보상요청	6587	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1	N채널		600V	5.4A(Tc)	10V	1.2옴 @ 2.7A, 10V	4V @ 250μA	50nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	86W(Tc)
KSP10TA	0.0400	보상요청	29	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			350mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	7,036		-											25V	-		NPN		60 @ 4mA, 10V	650MHz			-
2SA1708T-AN	-	보상요청	8379	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	SC-71			1W	3-NMP	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SA1708T-AN-600039			1													100V	1A	100nA	PNP	600mV @ 40mA, 400mA	200 @ 100mA, 5V	120MHz
TIP112	-	보상요청	4968	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			2W	TO-220-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-TIP112-600039	EAR99	8541.29.0095	1													100V	2A	2mA	NPN-달링턴	2.5V @ 8mA, 2A	1000 @ 1A, 4V	-
FDP5N60NZ	1.0000	보상요청	7880	비교차일드	UniFET-II™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널		600V	4.5A(Tc)	10V	2옴 @ 2.25A, 10V	5V @ 250μA	13nC @ 10V	±25V	25V에서 600pF	-	100W(Tc)
FDMC0223	0.1700	보상요청	6	비교차일드	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000
FQB5N60CTM	0.6000	보상요청	1	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	FQB5	MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263AB)	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	800	N채널		600V	4.5A(Tc)	10V	2.5옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	19nC @ 10V	±30V	25V에서 670pF	-	3.13W(Ta), 100W(Tc)
NDB4060L	1.0000	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	800	N채널		60V	15A(Tc)	5V, 10V	80m옴 @ 15A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 5V	±16V	25V에서 600pF	-	50W(Tc)
SS9015BTA	0.0200	보상요청	2898	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			450mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	12,384													45V	100mA	50nA(ICBO)	PNP	700mV @ 5mA, 100mA	100 @ 1mA, 5V	190MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²