견적요청
BOM
문의하기

전화: +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-comComponents.com

트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
SFS9630	0.4100	보상요청	16	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1		P채널	200V	4.4A(Tc)	10V	800m옴 @ 2.2A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±30V	25V에서 965pF	-	33W(Tc)
FDC653N	0.2500	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6		MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1,192		N채널	30V	5A(타)	4.5V, 10V	35m옴 @ 5A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	15V에서 350pF	-	1.6W(타)
NDB4060L	1.0000	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수			EAR99	8541.29.0095	800		N채널	60V	15A(Tc)	5V, 10V	80m옴 @ 15A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 5V	±16V	25V에서 600pF	-	50W(Tc)
HUF75639S3ST	1.2800	보상요청	800	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드				EAR99	8541.29.0095	235		N채널	100V	56A(티씨)	10V	25m옴 @ 56A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 20V	±20V	2000pF @ 25V	-	200W(Tc)
TN3440A	0.0700	보상요청	1238	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1W	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	833													250V	100mA	50μA	NPN	500mV @ 4mA, 50mA	40 @ 20mA, 10V	15MHz
FQPF6N60C	0.6600	보상요청	5	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	5.5A(Tc)	10V	2옴 @ 2.75A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 810pF	-	40W(Tc)
HUF76013D3ST	0.2800	보상요청	150	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	20V	20A(TC)	5V, 10V	22m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	20V에서 624pF	-	50W(Tc)
FDS6673AZ	1.2600	보상요청	7443	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	173		P채널	30V	14.5A(타)	4.5V, 10V	7.2m옴 @ 14.5A, 10V	3V @ 250μA	118nC @ 10V	±25V	15V에서 4480pF	-	2.5W(타)
SSR1N60BTM	0.1800	보상요청	33	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	600V	900mA(Tc)	10V	12옴 @ 450mA, 10V	4V @ 250μA	7.7nC @ 10V	±30V	215pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 28W(Tc)
FDZ2553NZ	0.6000	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	18-WFBGA	FDZ25	MOSFET(금속)	2.1W	18-BGA(2.5x4)	다운로드	RoHS 비준수			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		20V	9.6A		14m옴 @ 9.6A, 4.5V	250μA에서 1.5V	18nC @ 5V		1240pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FMBS549	0.0400	보상요청	6326	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			700mW	SuperSOT™-6	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	5													30V	1A	100nA(ICBO)	PNP	750mV @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 2V	100MHz
FDD8874	0.6600	보상요청	3	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널	30V	18A(타), 116A(Tc)	4.5V, 10V	5.1m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	72nC @ 10V	±20V	2990pF @ 15V	-	110W(Tc)
FQP10N20CTSTU	0.3100	보상요청	9282	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	797		N채널	200V	9.5A(Tc)	10V	360m옴 @ 4.75A, 10V	4V @ 250μA	26nC @ 10V	±30V	510pF @ 25V	-	72W(Tc)
FQP70N08	1.1200	보상요청	797	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	80V	70A(Tc)	10V	17m옴 @ 35A, 10V	4V @ 250μA	98nC @ 10V	±25V	2700pF @ 25V	-	155W(Tc)
FDMA1028NZ	0.4600	보상요청	24	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-VDFN옆패드	FDMA1028	MOSFET(금속)	700mW	6-MicroFET(2x2)	다운로드				EAR99	8541.29.0095	654	2 N채널(듀얼)		20V	3.7A		68m옴 @ 3.7A, 4.5V	250μA에서 1.5V	6nC @ 4.5V		340pF @ 10V	게임 레벨 레벨
BSP51	1.0000	보상요청	2612	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			1W	SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500													80V	500mA	10μA	NPN-달링턴	500μA, 500mA에서 1.3V	1000 @ 150mA, 10V	-
IRFS840B	-	보상요청	3949	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	536		N채널	500V	8A(TC)	10V	800m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	44W(Tc)
2N3903	0.0200	보상요청	25	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,000													40V	200mA	-	NPN	300mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 1V	-
HUFA76629D3S	0.3900	보상요청	4	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,800		N채널	100V	20A(TC)	4.5V, 10V	52m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±16V	25V에서 1285pF	-	110W(Tc)
SI4416DY	-	보상요청	8178	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1,353		N채널	30V	9A(타)	-	18m옴 @ 9A, 10V	1V @ 250μA	20nC @ 5V	±20V	15V에서 1340pF	-	1W(타)
2N5550TFR	0.0400	보상요청	76	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드				EAR99	8541.21.0075	7,416													140V	600mA	100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 5mA, 50mA	60 @ 10mA, 5V	300MHz
BDX34B	-	보상요청	5270	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			70W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	200													80V	10A	500μA	PNP-달링턴	2.5V @ 6mA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
FDMA86551L	1.0000	보상요청	7782	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드		MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드					0000.00.0000	1		N채널	60V	7.5A(타)	4.5V, 10V	23m옴 @ 7.5A, 10V	3V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	30V에서 1235pF	-	2.4W(타)
FQPF5N20L	0.3400	보상요청	3	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	200V	3.5A(Tc)	5V, 10V	1.2옴 @ 1.75A, 10V	2V @ 250μA	6.2nC @ 5V	±20V	325pF @ 25V	-	32W(Tc)
FQP14N15	1.0000	보상요청	8339	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50		N채널	150V	14.4A(Tc)	10V	210m옴 @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	23nC @ 10V	±25V	25V에서 715pF	-	104W(Tc)
FQD6N40TM	1.0000	보상요청	4740	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	400V	4.2A(Tc)	10V	1.15옴 @ 2.1A, 10V	5V @ 250μA	17nC @ 10V	±30V	25V에서 620pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
HUF76407DK8TR4810	-	보상요청	7606	비교차일드	*	대부분	활동적인								-					0000.00.0000	388
FDS8874	0.5400	보상요청	4	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	30V	16A(타)	4.5V, 10V	5.5m옴 @ 16A, 10V	2.5V @ 250μA	72nC @ 10V	±20V	3990pF @ 15V	-	2.5W(타)
FDB070AN06A0	1.0000	보상요청	9459	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널	60V	15A(Ta), 80A(Tc)	10V	7m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	66nC @ 10V	±20V	3000pF @ 25V	-	175W(Tc)
BC549CBU	0.0200	보상요청	4528	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	10,000													30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	300MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²