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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
2N5088TA Fairchild Semiconductor 2N5088TA 1.0000
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ECAD 7338 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 30V 100mA 50nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 350 @ 1mA, 5V 50MHz
SS8050DBU Fairchild Semiconductor SS8050DBU 0.1000
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ECAD 313 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.29.0075 2,929 25V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 80mA, 800mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
MMBT5401 Fairchild Semiconductor MMBT5401 -
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ECAD 5571 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT23-3(TO-236) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MMBT5401-600039 1 150V 600mA 50nA(ICBO) PNP 500mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 300MHz
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121P3 0.4000
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ECAD 26 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 47A (Tc) 4.5V, 10V 21m옴 @ 47A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 850pF - 75W(Tc)
FDB7042L Fairchild Semiconductor FDB7042L 0.6000
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ECAD 119 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 50A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 25A, 10V 2V @ 250mA 51nC @ 4.5V ±12V 15V에서 2418pF - 83W(타)
FDU8896 Fairchild Semiconductor FDU8896 0.7200
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ECAD 116 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 30V 17A(타), 94A(Tc) 4.5V, 10V 5.7m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 2525pF @ 15V - 80W(Tc)
FDPC1012S Fairchild Semiconductor FDPC1012S 0.4300
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ECAD 7 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDPC1 MOSFET(금속) 800mW(Ta), 900mW(Ta) 파워클립-33 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 428 2 N채널(이중) 배열 25V 13A(Ta), 35A(Tc), 26A(Ta), 88A(Tc) 7m옴 @ 12A, 4.5V, 2.2m옴 @ 23A, 4.5V 2.2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 13V에서 1075pF, 13V에서 3456pF -
BD17910STU Fairchild Semiconductor BD17910STU 0.4900
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ECAD 9 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 30W TO-126-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-BD17910STU-600039 1 80V 3A 100μA(ICBO) NPN 800mV @ 100mA, 1A 63 @ 150mA, 2V 3MHz
FQN1N60CBU Fairchild Semiconductor FQN1N60CBU -
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ECAD 2920 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET(금속) TO-92-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 300mA(Tc) 10V 11.5옴 @ 150mA, 10V 4V @ 250μA 6.2nC @ 10V ±30V 25V에서 170pF - 1W(Ta), 3W(Tc)
FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FCPF11N60NT 2.2300
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ECAD 14 0.00000000 비교차일드 슈퍼모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 135 N채널 600V 10.8A(Tc) 10V 299m옴 @ 5.4A, 10V 4V @ 250μA 35.6nC @ 10V ±30V 100V에서 1505pF - 32.1W(Tc)
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047AN08A0 1.0000
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ECAD 9498 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 75V 15A(Tc) 6V, 10V 4.7m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 138nC @ 10V ±20V 25V에서 6600pF - 310W(Tc)
FCPF4300N80Z Fairchild Semiconductor FCPF4300N80Z 1.0600
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ECAD 931 0.00000000 비교차일드 SuperFET® II 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 284 N채널 800V 1.6A(Tc) 10V 4.3옴 @ 800mA, 10V 4.5V에서 160μA 8.8nC @ 10V ±20V 100V에서 355pF - 19.2W(Tc)
FDMS86252L Fairchild Semiconductor FDMS86252L -
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ECAD 9092 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FDMS86252L EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 4.4A(Ta), 12A(Tc) 4.5V, 10V 56m옴 @ 4.4A, 10V 3V @ 250μA 21nC @ 10V ±20V 75V에서 1335pF - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
HUFA75652G3 Fairchild Semiconductor HUFA75652G3 3.3800
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ECAD 1203 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 - ROHS3 준수 2156-HUFA75652G3-FS EAR99 8541.29.0095 150 N채널 100V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 475nC @ 20V ±20V 25V에서 7585pF - 515W(Tc)
KSP92ATA Fairchild Semiconductor KSP92ATA -
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ECAD 5567 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-KSP92ATA-600039 1 300V 500mA 250nA(ICBO) PNP 500mV @ 2mA, 20mA 40 @ 10mA, 10V 50MHz
FQB17N08TM Fairchild Semiconductor FQB17N08TM 0.2100
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 80V 16.5A(Tc) 10V 115m옴 @ 8.25A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 450pF - 3.13W(Ta), 65W(Tc)
RF1K49157 Fairchild Semiconductor RF1K49157 0.5100
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ECAD 960 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 6.3A(타) 4.5V, 10V 30m옴 @ 6.3A, 10V 3V @ 250μA 88nC @ 20V ±20V 25V에서 1575pF - 2W(타)
BC560C Fairchild Semiconductor BC560C 0.0700
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ECAD 6745 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 2156-BC560C-FS EAR99 8541.21.0075 5,000 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 250mV @ 5mA, 100mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
FDB6670AL Fairchild Semiconductor FDB6670AL 1.0000
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ECAD 91 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 80A(타) 4.5V, 10V 6.5m옴 @ 40A, 10V 3V @ 250μA 33nC @ 5V ±20V 15V에서 2440pF - 68W(Tc)
FDS6679Z Fairchild Semiconductor FDS6679Z -
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ECAD 1993년 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 13A, 10V 3V @ 250μA 94nC @ 10V +20V, -25V 3803pF @ 15V - 2.5W(타)
NDS9410A Fairchild Semiconductor NDS9410A 0.6800
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 7.3A(타) 4.5V, 10V 28m옴 @ 7.3A, 10V 3V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 15V에서 830pF - 2.5W(타)
KSA733YTA Fairchild Semiconductor KSA733YTA 0.0300
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ECAD 217 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSA733 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120@1mA, 6V 180MHz
NDS8425 Fairchild Semiconductor NDS8425 0.8200
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ECAD 60 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NDS842 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 20V 7.4A(타) 2.7V, 4.5V 22m옴 @ 7.4A, 4.5V 250μA에서 1.5V 18nC @ 4.5V ±8V 15V에서 1098pF - 2.5W(타)
HUF75631S3S Fairchild Semiconductor HUF75631S3S 0.7000
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET(금속) D²PAK(TO-263AB) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 33A(티씨) 10V 40m옴 @ 33A, 10V 4V @ 250μA 79nC @ 20V ±20V 25V에서 1220pF - 120W(Tc)
FQI4N20 Fairchild Semiconductor FQI4N20 -
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ECAD 4903 0.00000000 비교차일드 QFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 950 N채널 200V 3.6A(Tc) 10V 1.4옴 @ 1.8A, 10V 5V @ 250μA 6.5nC @ 10V ±30V 220pF @ 25V - 3.13W(Ta), 45W(Tc)
FQP6N60C Fairchild Semiconductor FQP6N60C 0.8500
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ECAD 20 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 353 N채널 600V 5.5A(Tc) 10V 2옴 @ 2.75A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 810pF - 125W(Tc)
2N4403RP Fairchild Semiconductor 2N4403RP 0.0200
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ECAD 349 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 2N4403 625mW TO-92 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1 40V 600mA 100nA PNP 750mV @ 50mA, 500mA 60 @ 1mA, 10V 200MHz
FJAFS1720TU Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU 2.8300
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 ESBC™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 FJAFS172 60W TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 800V 12A 100μA NPN 250mV @ 3.33A, 10A 8.5 @ 11A, 5V 15MHz
KST05MTF Fairchild Semiconductor KST05MTF 0.0300
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ECAD 9821 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 60V 500mA 100nA NPN 250mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
HUFA75329D3 Fairchild Semiconductor HUFA75329D3 0.7200
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 55V 20A(TC) 10V 26m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 20V ±20V 1060pF @ 25V - 128W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고