| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5088TA | 1.0000 | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 350 @ 1mA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | SS8050DBU | 0.1000 | ![]() | 313 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,929 | 25V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 80mA, 800mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT5401 | - | ![]() | 5571 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT23-3(TO-236) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MMBT5401-600039 | 1 | 150V | 600mA | 50nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||
![]() | HUF76121P3 | 0.4000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 47A (Tc) | 4.5V, 10V | 21m옴 @ 47A, 10V | 3V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±20V | 25V에서 850pF | - | 75W(Tc) | ||||||||||||
![]() | FDB7042L | 0.6000 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 50A(타) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 250mA | 51nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 2418pF | - | 83W(타) | ||||||||||||
![]() | FDU8896 | 0.7200 | ![]() | 116 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 30V | 17A(타), 94A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.7m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V | - | 80W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | FDPC1012S | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDPC1 | MOSFET(금속) | 800mW(Ta), 900mW(Ta) | 파워클립-33 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 428 | 2 N채널(이중) 배열 | 25V | 13A(Ta), 35A(Tc), 26A(Ta), 88A(Tc) | 7m옴 @ 12A, 4.5V, 2.2m옴 @ 23A, 4.5V | 2.2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA | 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V | 13V에서 1075pF, 13V에서 3456pF | - | |||||||||||||
![]() | BD17910STU | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 30W | TO-126-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-BD17910STU-600039 | 1 | 80V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 800mV @ 100mA, 1A | 63 @ 150mA, 2V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FQN1N60CBU | - | ![]() | 2920 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET(금속) | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 300mA(Tc) | 10V | 11.5옴 @ 150mA, 10V | 4V @ 250μA | 6.2nC @ 10V | ±30V | 25V에서 170pF | - | 1W(Ta), 3W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | FCPF11N60NT | 2.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | 슈퍼모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 135 | N채널 | 600V | 10.8A(Tc) | 10V | 299m옴 @ 5.4A, 10V | 4V @ 250μA | 35.6nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1505pF | - | 32.1W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | FDH047AN08A0 | 1.0000 | ![]() | 9498 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 15A(Tc) | 6V, 10V | 4.7m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 138nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6600pF | - | 310W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | FCPF4300N80Z | 1.0600 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 284 | N채널 | 800V | 1.6A(Tc) | 10V | 4.3옴 @ 800mA, 10V | 4.5V에서 160μA | 8.8nC @ 10V | ±20V | 100V에서 355pF | - | 19.2W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | FDMS86252L | - | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDMS86252L | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 150V | 4.4A(Ta), 12A(Tc) | 4.5V, 10V | 56m옴 @ 4.4A, 10V | 3V @ 250μA | 21nC @ 10V | ±20V | 75V에서 1335pF | - | 2.5W(Ta), 50W(Tc) | ||||||||||||
![]() | HUFA75652G3 | 3.3800 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | - | ROHS3 준수 | 2156-HUFA75652G3-FS | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 475nC @ 20V | ±20V | 25V에서 7585pF | - | 515W(Tc) | |||||||||||||
![]() | KSP92ATA | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSP92ATA-600039 | 1 | 300V | 500mA | 250nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FQB17N08TM | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 80V | 16.5A(Tc) | 10V | 115m옴 @ 8.25A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 450pF | - | 3.13W(Ta), 65W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RF1K49157 | 0.5100 | ![]() | 960 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 6.3A(타) | 4.5V, 10V | 30m옴 @ 6.3A, 10V | 3V @ 250μA | 88nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1575pF | - | 2W(타) | ||||||||||||
![]() | BC560C | 0.0700 | ![]() | 6745 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2156-BC560C-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 250mV @ 5mA, 100mA | 380 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | FDB6670AL | 1.0000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 80A(타) | 4.5V, 10V | 6.5m옴 @ 40A, 10V | 3V @ 250μA | 33nC @ 5V | ±20V | 15V에서 2440pF | - | 68W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | FDS6679Z | - | ![]() | 1993년 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 13A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 13A, 10V | 3V @ 250μA | 94nC @ 10V | +20V, -25V | 3803pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||
![]() | NDS9410A | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 7.3A(타) | 4.5V, 10V | 28m옴 @ 7.3A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±20V | 15V에서 830pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||
![]() | KSA733YTA | 0.0300 | ![]() | 217 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSA733 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 120@1mA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||
![]() | NDS8425 | 0.8200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | NDS842 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 20V | 7.4A(타) | 2.7V, 4.5V | 22m옴 @ 7.4A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 18nC @ 4.5V | ±8V | 15V에서 1098pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||
![]() | HUF75631S3S | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263AB) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 10V | 40m옴 @ 33A, 10V | 4V @ 250μA | 79nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1220pF | - | 120W(Tc) | |||||||||||
![]() | FQI4N20 | - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 950 | N채널 | 200V | 3.6A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 1.8A, 10V | 5V @ 250μA | 6.5nC @ 10V | ±30V | 220pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||
![]() | FQP6N60C | 0.8500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 353 | N채널 | 600V | 5.5A(Tc) | 10V | 2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 810pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | 2N4403RP | 0.0200 | ![]() | 349 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 2N4403 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 600mA | 100nA | PNP | 750mV @ 50mA, 500mA | 60 @ 1mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | FJAFS1720TU | 2.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | ESBC™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | FJAFS172 | 60W | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V | 12A | 100μA | NPN | 250mV @ 3.33A, 10A | 8.5 @ 11A, 5V | 15MHz | |||||||||||||||
![]() | KST05MTF | 0.0300 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 60V | 500mA | 100nA | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 50 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | HUFA75329D3 | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 55V | 20A(TC) | 10V | 26m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 65nC @ 20V | ±20V | 1060pF @ 25V | - | 128W(Tc) |

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