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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
HUF75229P3 Fairchild Semiconductor HUF75229P3 0.7900
RFQ
ECAD 161 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 50 v 44A (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 90W (TC)
NDS352P Fairchild Semiconductor NDS352P 0.3000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 987 p 채널 20 v 850MA (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 12V 125 pf @ 10 v - 500MW (TA)
FDP040N06 Fairchild Semiconductor FDP040N06 1.7300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 133 NC @ 10 v ± 20V 8235 pf @ 25 v - 231W (TC)
FQD1N50TM Fairchild Semiconductor FQD1N50TM 0.5300
RFQ
ECAD 241 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 1.1A (TC) 10V 9ohm @ 550ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQPF6N50 Fairchild Semiconductor FQPF6N50 0.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 3.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 790 pf @ 25 v - 42W (TC)
FGA40N60UFDTU Fairchild Semiconductor fga40n60ufdtu 2.1700
RFQ
ECAD 142 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 160 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 142 300V, 20A, 10ohm, 15V 95 ns - 600 v 40 a 160 a 3V @ 15V, 20A 470µJ (ON), 130µJ (OFF) 77 NC 15ns/65ns
FQAF44N10 Fairchild Semiconductor FQAF44N10 1.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 39mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 85W (TC)
FDD8750 Fairchild Semiconductor FDD8750 0.3700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 6.5A (TA), 2.7A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 425 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 18W (TC)
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 59.5 nc @ 10 v 3120 pf @ 25 v -
FDM3300NZ Fairchild Semiconductor FDM3300NZ 2.4400
RFQ
ECAD 86 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDM3300 MOSFET (금속 (() 900MW Power33 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 10A 23mohm @ 10a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1610pf @ 10V 논리 논리 게이트
FJV3111RMTF Fairchild Semiconductor FJV3111RMTF -
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fjv311 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
FDS8947A Fairchild Semiconductor FDS8947A 1.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4a 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 730pf @ 15V 논리 논리 게이트
SFR9024TM Fairchild Semiconductor SFR9024TM 0.4000
RFQ
ECAD 5190 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 175 p 채널 60 v 7.8A (TC) 10V 280mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
FGH20N6S2 Fairchild Semiconductor FGH20N6S2 1.0000
RFQ
ECAD 2465 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 125 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 150 390V, 7A, 25ohm, 15V - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7A 25µJ (on), 58µJ (OFF) 30 NC 7.7ns/87ns
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 70W (TC)
FDD5810 Fairchild Semiconductor FDD5810 0.9000
RFQ
ECAD 540 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.4A (TA), 37A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 32a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1890 pf @ 25 v - 72W (TC)
FQD20N06LETM Fairchild Semiconductor fqd20n06letm 0.3100
RFQ
ECAD 54 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 17.2A (TC) 5V, 10V 60mohm @ 8.6a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 665 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
HUF75545S3S Fairchild Semiconductor HUF75545S3S 1.0000
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 7900 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRL540A Fairchild Semiconductor IRL540A 0.7000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 5V 58mohm @ 14a, 5V 2V @ 250µA 54 NC @ 5 v ± 20V 1580 pf @ 25 v - 121W (TC)
PN2222BU Fairchild Semiconductor PN2222BU 0.0200
RFQ
ECAD 8976 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 - Rohs3 준수 2156-PN2222BU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
KSC1674COBU Fairchild Semiconductor KSC1674 COBU 0.0200
RFQ
ECAD 8988 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 12,645 - 20V 20MA NPN 70 @ 1ma, 6V 600MHz 3DB ~ 5dB @ 100MHz
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor KSC2883YTF 0.1200
RFQ
ECAD 110 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 4,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30MA, 1.5A 160 @ 500ma, 2V 120MHz
2N5308 Fairchild Semiconductor 2N5308 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 22 40 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.4V @ 200µA, 200mA 7000 @ 2MA, 5V -
FDMB668P Fairchild Semiconductor FDMB668P 0.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 6.1A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.1a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 8V 2085 pf @ 10 v - 1.9W (TA)
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor fqaf9n50 1.0100
RFQ
ECAD 673 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 90W (TC)
FDB42AN15A0 Fairchild Semiconductor FDB42AN15A0 1.0000
RFQ
ECAD 1899 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 42mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 150W (TC)
FQB65N06TM Fairchild Semiconductor FQB65N06TM 0.8800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 65A (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 2410 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
FQP7N80 Fairchild Semiconductor FQP7N80 1.9400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 6.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.3a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 167W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고