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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600AS 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS7600 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 귀 99 8542.39.0001 279 2 n 채널 (채널) 30V 12a, 22a 7.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 28NC @ 10V 1750pf @ 15V 논리 논리 게이트
SGL50N60RUFDTU Fairchild Semiconductor sgl50n60rufdtu -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA SGL50N60 기준 250 W. HPM F2 - 0000.00.0000 1 300V, 50A, 5.9OHM, 15V 100 ns - 600 v 80 a 150 a 2.8V @ 15V, 50A 1.68mj (on), 1.03mj (OFF) 145 NC 26ns/66ns
FQPF6N50 Fairchild Semiconductor FQPF6N50 0.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 3.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 790 pf @ 25 v - 42W (TC)
FGA40N60UFDTU Fairchild Semiconductor fga40n60ufdtu 2.1700
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 160 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 142 300V, 20A, 10ohm, 15V 95 ns - 600 v 40 a 160 a 3V @ 15V, 20A 470µJ (ON), 130µJ (OFF) 77 NC 15ns/65ns
FQAF44N10 Fairchild Semiconductor FQAF44N10 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 39mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 85W (TC)
FDD8750 Fairchild Semiconductor FDD8750 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 6.5A (TA), 2.7A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 425 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 18W (TC)
FMG2G400US60 Fairchild Semiconductor FMG2G400US60 124.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7 ia -IA 1136 w 기준 오후 7 ia -IA 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 600 v 400 a 2.7V @ 15V, 400A 250 µA 아니요
FJX597JHTF Fairchild Semiconductor FJX597JHTF 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 100MW SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 3.5pf @ 5V 20 v 150 µa @ 5 v 600 mV @ 1 µA 1 MA
FQI10N60CTU Fairchild Semiconductor fqi10n60ctu 0.8300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 156W (TC)
FDP5645 Fairchild Semiconductor FDP5645 -
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 80A (TA) 6V, 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 4468 pf @ 30 v - 125W (TC)
KSB772OS Fairchild Semiconductor KSB772OS 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1 W. TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 250 30 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 80MHz
FQB13N06LTM Fairchild Semiconductor FQB13N06LTM 0.3700
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 569 n 채널 60 v 13.6A (TC) 5V, 10V 110mohm @ 6.8a, 10V 2.5V @ 250µA 6.4 NC @ 5 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 45W (TC)
FDD5810 Fairchild Semiconductor FDD5810 0.9000
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.4A (TA), 37A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 32a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1890 pf @ 25 v - 72W (TC)
FQD20N06LETM Fairchild Semiconductor fqd20n06letm 0.3100
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 17.2A (TC) 5V, 10V 60mohm @ 8.6a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 665 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
SFR9024TM Fairchild Semiconductor SFR9024TM 0.4000
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 175 p 채널 60 v 7.8A (TC) 10V 280mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
SGP13N60UFDTU Fairchild Semiconductor sgp13n60ufdtu 1.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SGP13N60 기준 60 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 300V, 6.5A, 50ohm, 15V 55 ns - 600 v 13 a 52 a 2.6V @ 15V, 6.5A 85µJ (on), 95µJ (OFF) 25 NC 20ns/70ns
FQP70N08 Fairchild Semiconductor FQP70N08 1.1200
RFQ
 ECAD 797 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 70A (TC) 10V 17mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 25V 2700 pf @ 25 v - 155W (TC)
HUF75545S3S Fairchild Semiconductor HUF75545S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 8349 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250µA 235 NC @ 20 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 270W (TC)
FGA180N30DTU Fairchild Semiconductor FGA180N30DTU 4.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA180 기준 480 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 v 180 a 450 a 1.4V @ 15V, 40A - 185 NC -
USB10H Fairchild Semiconductor USB10H 1.0000
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 USB10 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.9a 170mohm @ 1.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 441pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC32716 Fairchild Semiconductor BC32716 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
FDA15N65 Fairchild Semiconductor FDA15N65 2.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 16A (TC) 10V 440mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 3095 pf @ 25 v - 260W (TC)
FGPF7N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGPF7N60LSDTU 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 300V, 7A, 470OHM, 15V 65 ns - 600 v 14 a 21 a 2V @ 15V, 7A 270µJ (on), 3.8mj (OFF) 24 NC 120NS/410NS
FDD6512A Fairchild Semiconductor FDD6512A 0.4100
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 10.7A (TA), 36A (TC) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 10.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 12V 1082 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 43W (TC)
IRL540A Fairchild Semiconductor IRL540A 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 5V 58mohm @ 14a, 5V 2V @ 250µA 54 NC @ 5 v ± 20V 1580 pf @ 25 v - 121W (TC)
PN2222BU Fairchild Semiconductor PN2222BU 0.0200
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 - Rohs3 준수 2156-PN2222BU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
FQU20N06TU Fairchild Semiconductor FQU20N06TU 0.4100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
FDD6N25TF Fairchild Semiconductor FDD6N25TF -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 6 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.2a, 10V 5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 50W (TC)
HUFA76407DK8T Fairchild Semiconductor hufa76407dk8t 1.0000
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76407 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V - 90mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 11.2NC @ 10V 330pf @ 25V 논리 논리 게이트
2N5308 Fairchild Semiconductor 2N5308 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 22 40 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.4V @ 200µA, 200mA 7000 @ 2MA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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