SIC
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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FGP5N60LS Fairchild Semiconductor FGP5N60L 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 83 w TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 400 400V, 5A, 10ohm, 15V 현장 현장 600 v 10 a 36 a 3.2v @ 12v, 14a 38µJ (on), 130µJ (OFF) 18.3 NC 4.3ns/36ns
HUFA76404DK8T Fairchild Semiconductor hufa76404dk8t 0.3400
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76404 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 62V 3.6a 110mohm @ 3.6a, 10V 3V @ 250µA 4.9NC @ 5V 250pf @ 25V 논리 논리 게이트
HUFA76445P3 Fairchild Semiconductor HUFA76445P3 0.9900
RFQ
 ECAD 518 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 16V 4965 pf @ 25 v - 310W (TC)
IRF830B Fairchild Semiconductor IRF830B 0.5400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 73W (TC)
FDMS8880 Fairchild Semiconductor FDMS8880 1.0000
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 13.5A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1585 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
MMPQ2222 Fairchild Semiconductor MMPQ2222 0.6800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MMPQ22 1W 16- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 2,500 30V 500ma 50NA (ICBO) 4 NPN (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 1V 300MHz
FGPF70N30TRDTU Fairchild Semiconductor fgpf70n30trdtu 1.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
2SD1683T Fairchild Semiconductor 2SD1683T 1.0000
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 페어차일드 페어차일드 2SD1683 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.5 w TO-225-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 200 50 v 4 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 150MHz
FDJ129P Fairchild Semiconductor FDJ129P 0.4600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75-6 FLMP MOSFET (금속 (() SC75-6 FLMP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 4.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 780 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
FDMC86520L Fairchild Semiconductor FDMC86520L -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 13.5A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4550 pf @ 30 v - 2.3W (TA), 40W (TC)
HUFA76419P3 Fairchild Semiconductor hufa76419p3 0.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 29A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 16V 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
BD233STU Fairchild Semiconductor BD233STU 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 25 W. TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 60 45 v 2 a 100µA (ICBO) NPN 600mv @ 100ma, 1a 25 @ 1a, 2v 3MHz
FJN3306RTA Fairchild Semiconductor fjn3306rta 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn330 300MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BCX71J Fairchild Semiconductor BCX71J 0.0300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 45 v 100 MA 20NA PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V -
BCX20 Fairchild Semiconductor BCX20 0.0300
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 9,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v -
KSD471ACGTA Fairchild Semiconductor KSD471ACGTA 0.0600
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 1v 130MHz
FDB9403L-F085 Fairchild Semiconductor FDB9403L-F085 2.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 1.2MOHM @ 80A, 10V 3V @ 250µA 245 NC @ 10 v ± 20V 13500 pf @ 20 v - 333W (TJ)
FDD8444 Fairchild Semiconductor FDD8444 1.0600
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 327 n 채널 40 v 145A (TC) 10V 5.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 6195 pf @ 25 v - 153W (TC)
ZTX749 Fairchild Semiconductor ZTX749 1.0000
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. TO-226 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 1 25 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 100MHz
FQI5N15TU Fairchild Semiconductor fqi5n15tu 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 5.4A (TC) 10V 800mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 25V 230 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 54W (TC)
RFD3055LE_R4821 Fairchild Semiconductor RFD3055LE_R4821 -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 RFD3055 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
FDI9409-F085 Fairchild Semiconductor FDI9409-F085 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDI9409-F085-600039 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 94W (TJ)
ISL9N315AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N315AD3ST 0.3600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 15 v - 55W (TA)
FGPF70N30TDTU Fairchild Semiconductor fgpf70n30tdtu 0.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FGPF70N30TDTU-600039 1
HUFA75321D3 Fairchild Semiconductor HUFA75321D3 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
2N4401RP Fairchild Semiconductor 2N4401RP 0.0200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4401 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
MJE172STU Fairchild Semiconductor MJE172STU -
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 MJE172 1.5 w TO-126-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 80 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100MA, 1V 50MHz
BC549B Fairchild Semiconductor BC549B 0.0400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FGI3040G2 Fairchild Semiconductor FGI3040G2 1.2400
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
BC182LB Fairchild Semiconductor BC182LB 0.0400
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 5,582 50 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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