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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
2N3904RLRAH	0.0200	보상요청	140	비교차일드	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2N3904RLRAH-600039			1
D45H8	0.5300	보상요청	3154	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W		TO-220-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	177															60V	10A						10μA			PNP	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4A, 1V	40MHz
FQT3P20TF_SB82100	-	보상요청	7758	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)			SOT-223-4	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		P채널		200V	670mA(Tc)	10V	2.7옴 @ 335mA, 10V	5V @ 250μA	8nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	2.5W(Tc)
IRLR210ATM	0.5200	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		200V	2.7A(Tc)	5V	1.5옴 @ 1.35A, 5V	2V @ 250μA	9nC @ 5V	±20V	25V에서 240pF	-	2.5W(Ta), 21W(Tc)
HUF75852G3	8.6700	보상요청	2	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)			TO-247	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		150V	75A(Tc)	10V	16m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	480nC @ 20V	±20V	25V에서 7690pF	-	500W(Tc)
FDFME3N311ZT	1.0000	보상요청	5747	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UFDFN 옆형 패드			MOSFET(금속)			6-UMLP(1.6x1.6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	5,000		N채널		30V	1.8A(타)		299m옴 @ 1.6A, 4.5V	250μA에서 1.5V	1.4nC @ 4.5V	±12V	75pF @ 15V	-	600mW(타)
HUF76429S3ST_Q	-	보상요청	8101	비교차일드	*	대부분	활동적인										-						0000.00.0000	150
FJN3306RTA	0.0200	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	FJN330			300mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000															50V	100mA						100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	250MHz	10kΩ	47kΩ
TN4033A	0.0900	보상요청	99	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN4033			1W		TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000															80V	1A						50nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	-
FGPF50N30TTU	1.3200	보상요청	800	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		기준		46.8W		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			-											도랑	300V		120A	1.5V @ 15V, 15A	-	97nC	-
FDD6606	0.7200	보상요청	214	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		30V	75A(타)	4.5V, 10V	6m옴 @ 17A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 5V	±20V	2400pF @ 15V	-	71W(Tc)
FDN372S	0.1500	보상요청	111	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)			SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널		30V	2.6A(타)	4.5V, 10V	40m옴 @ 2.6A, 10V	3V @ 1mA	8.1nC @ 5V	±16V	15V에서 630pF	-	500mW(타)
FGH40T65SH	-	보상요청	7262	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
TN5415A	0.0500	보상요청	1778년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				1W		TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,456															200V	100mA						50μA			PNP	2.5V @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
FDMC8678S	0.7000	보상요청	336	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)			파워33	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널		30V	15A(타), 18A(Tc)	4.5V, 10V	5.2m옴 @ 15A, 10V	3V @ 1mA	34nC @ 10V	±20V	2075pF @ 15V	-	2.3W(Ta), 41W(Tc)
IRF630BTSTU	-	보상요청	1443	비교차일드	*	대부분	활동적인				IRF630		-				-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1												-
NDS8434A	-	보상요청	1167	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널		20V	7.8A(타)	2.5V, 4.5V	24m옴 @ 7.9A, 4.5V	1V @ 250μA	55nC @ 4.5V	±8V	1730pF @ 10V	-	2.5W(타)
FMG1G400US60H	104.0200	보상요청	21	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준				1136W	기준	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1	하나의													-	600V	400A		2.7V @ 15V, 400A				250μA	아니요
FDMS7620S	1.0000	보상요청	5147	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	FDMS7620		MOSFET(금속)	1W		파워56	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(듀얼)			30V	10.1A, 12.4A		20m옴 @ 10.1A, 10V	3V @ 250μA	11nC @ 10V		608pF @ 15V	게임 레벨 레벨
HUF75333P3_NS2552	0.6400	보상요청	8745	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	324		N채널		55V	66A(티씨)	10V	16m옴 @ 66A, 10V	4V @ 250μA	85nC @ 20V	±20V	25V에서 1300pF	-	150W(Tc)
FQI3N25TU	0.3400	보상요청	3	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널		250V	2.8A(Tc)	10V	2.2옴 @ 1.4A, 10V	5V @ 250μA	5.2nC @ 10V	±30V	25V에서 170pF	-	3.13W(Ta), 45W(Tc)
SS9014CTA	-	보상요청	6452	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				450mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000															45V	100mA						50nA(ICBO)			NPN	300mV @ 5mA, 100mA	200@1mA, 5V	270MHz
2N3904	0.0500	보상요청	9872	비교차일드	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			2156-2N3904-FS	EAR99	8541.21.0075	25															40V	200mA						50nA			NPN	300mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300MHz
FMG1G75US60L	39.0100	보상요청	52	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	오후 7시-가				310W	기준	오후 7시-가	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	15	하나의													-	600V	75A		2.8V @ 15V, 75A				250μA	아니요	30V에서 7.056nF
FDMS7680	-	보상요청	1255	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)			8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		30V	14A(Ta), 28A(Tc)	4.5V, 10V	6.9m옴 @ 14A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 10V	±20V	15V에서 1850pF	-	2.5W(Ta), 33W(Tc)
FDP5500	2.2600	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	FDP55		MOSFET(금속)			TO-220-3	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널		55V	80A(Tc)	10V	7m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	269nC @ 20V	±20V	3565pF @ 25V	-	375W(Tc)
FDMS8570SDC	1.3700	보상요청	11	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS85		MOSFET(금속)			듀얼 쿨링™56	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널		25V	28A(Ta), 60A(Tc)	4.5V, 10V	2.8m옴 @ 28A, 10V	2.2V @ 1mA	42nC @ 10V	±12V	2825pF @ 13V	쇼트키 다이오드(본체)	3.3W(Ta), 59W(Tc)
FJN4305RTA	0.0300	보상요청	126	비교차일드	-	대부분	활동적인		스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	FJN430			300mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1															50V	100mA						100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	30 @ 5mA, 5V	200MHz	4.7kΩ	10kΩ
2N5551YBU	1.0000	보상요청	9131	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	10,000															160V	600mA						-			NPN	200mV @ 5mA, 50mA	180 @ 10mA, 5V	100MHz
FDC658P	-	보상요청	8750	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)			SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		P채널		30V	4A(타)	10V	50m옴 @ 4A, 10V	3V @ 250μA	12nC @ 5V	±20V	15V에서 750pF	-	1.6W(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²