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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FDMC0225	0.1400	보상요청	200	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDMC02	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000										-
FDMS7692A	-	보상요청	9891	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널	30V	13.5A(Ta), 28A(Tc)	4.5V, 10V	8m옴 @ 13A, 10V	3V @ 250μA	22nC @ 10V	±20V	15V에서 1350pF	-	2.5W(Ta), 27W(Tc)
FDB9403	2.3100	보상요청	8	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDB940	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	800										-
HUFA75639S3ST-F085A	1.0300	보상요청	766	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1	N채널	100V	56A(티씨)		25m옴 @ 56A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 20V	±20V	2000pF @ 25V	-	200W(Tc)
FJC690TF	0.1900	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	SOT-89-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	4,000												45V	2A	100nA	NPN	300mV @ 5mA, 1A	500 @ 100mA, 2V	-
FQPF3N60	0.4600	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널	600V	2A(TC)	10V	3.6옴 @ 1A, 10V	5V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	25V에서 450pF	-	34W(Tc)
FDD6680AS	0.5200	보상요청	10	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	N채널	30V	55A(타)	4.5V, 10V	10.5m옴 @ 12.5A, 10V	3V @ 1mA	29nC @ 10V	±20V	15V에서 1200pF	-	60W(타)
HUFA76609D3S	-	보상요청	2128	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	36	N채널	100V	10A(TC)	4.5V, 10V	160m옴 @ 10A, 10V	3V @ 250μA	16nC @ 10V	±16V	25V에서 425pF	-	49W(Tc)
FDP8442	3.3100	보상요청	22	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400	N채널	40V	23A(Ta), 80A(Tc)	10V	3.1m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 10V	±20V	25V에서 12200pF	-	254W(Tc)
FDMS9410L	-	보상요청	7333	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDMS9410	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000										-
2N4401_D11Z	-	보상요청	4219	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92-3	다운로드	해당 없음				EAR99	8541.21.0075	2,000												40V	600mA	-	NPN	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250MHz
KSP45TF	0.0400	보상요청	140	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000												350V	300mA	500nA	NPN	750mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
IRF520	1.0000	보상요청	7757	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널	100V	9.2A(Tc)	10V	270m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±20V	360pF @ 25V	-	60W(Tc)
MMBT2907	0.0300	보상요청	8604	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	10,000												40V	800mA	50nA	PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
FQA13N50C-F109	1.6800	보상요청	792	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널	500V	13.5A(Tc)	10V	480m옴 @ 6.75A, 10V	4V @ 250μA	56nC @ 10V	±30V	2055pF @ 25V	-	218W(Tc)
FQA38N30	1.0000	보상요청	1720	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	FQA3	MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1	N채널	300V	38.4A(Tc)	10V	85m옴 @ 19.2A, 10V	5V @ 250μA	120nC @ 10V	±30V	25V에서 4400pF	-	290W(Tc)
SI9435DY	-	보상요청	6076	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOIC	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500	P채널	30V	5.3A(타)	4.5V, 10V	50m옴 @ 5.3A, 10V	3V @ 250μA	23nC @ 10V	±20V	690pF @ 15V	-	2.5W(타)
KSB744YSTU	0.1200	보상요청	6388	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			1W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	1,918												45V	3A	1μA(ICBO)	PNP	2V @ 150mA, 1.5A	160 @ 500mA, 5V	45MHz
FDU8796	0.4100	보상요청	502	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	75	N채널	25V	35A(Tc)	4.5V, 10V	5.7m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	52nC @ 10V	±20V	13V에서 2610pF	-	88W(Tc)
PN100	0.0400	보상요청	998	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000												45V	500mA	50nA	NPN	400mV @ 20mA, 200mA	100 @ 150mA, 5V	250MHz
NDF0610	-	보상요청	9776	비교차일드	-	대부분	활동적인		스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET(금속)		TO-92-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156F0610-600039			1	P채널	60V	180mA(타)		10옴 @ 500mA, 10V	3.5V @ 1mA	1.43nC @ 10V		25V에서 60pF	-
KSA1156OS	0.1000	보상요청	13	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			1W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	250												400V	500mA	100μA(ICBO)	PNP	1V @ 10mA, 100mA	60 @ 100mA, 5V	-
NJVMJD45H11RLG-VF01	1.0000	보상요청	1181	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			1.75W	DPAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-NJVMJD45H11RLG-VF01-600039			1												80V	8A	1μA	PNP	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4A, 1V	90MHz
HUF76419S3ST	0.6700	보상요청	42	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800	N채널	60V	29A(TC)	4.5V, 10V	35m옴 @ 29A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 10V	±16V	25V에서 900pF	-	75W(Tc)
FQT4N20TF	0.3200	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET(금속)		SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	4,000	N채널	200V	850mA(Tc)	10V	1.4옴 @ 425mA, 10V	5V @ 250μA	6.5nC @ 10V	±30V	220pF @ 25V	-	2.2W(Tc)
PN4122	-	보상요청	5603	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	1,446												40V	100mA	25nA	PNP	300mV @ 5mA, 50mA	150 @ 1mA, 1V	-
BSR16	0.0800	보상요청	15	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350mW	SOT-23-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	3,947												60V	800mA	10nA(ICBO)	PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
KSA1013OBU	-	보상요청	7653	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	KSA1013		900mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1												160V	1A	1μA(ICBO)	PNP	1.5V @ 50mA, 500mA	100 @ 200mA, 5V	50MHz
KSC945CGTA	1.0000	보상요청	5307	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			250mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1												50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN	300mV @ 10mA, 100mA	200@1mA, 6V	300MHz
FDS6576	1.0000	보상요청	1383	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	P채널	20V	11A(타)	2.5V, 4.5V	14m옴 @ 11A, 4.5V	250μA에서 1.5V	60nC @ 4.5V	±12V	10V에서 4044pF	-	2.5W(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²