SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 모델 지수(dB 일반 @ f)
KSP05TA Fairchild Semiconductor KSP05TA 0.0300
보상요청
ECAD 2353 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSP05 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 60V 500mA 100nA NPN 250mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
KSC2715YMTF Fairchild Semiconductor KSC2715YMTF 0.0600
보상요청
ECAD 126 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 50mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 1mA, 10mA 120 @ 2mA, 12V 400MHz
IRFS540A Fairchild Semiconductor IRFS540A 0.6600
보상요청
ECAD 92 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 17A(TC) 10V 52m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 250μA 78nC @ 10V - 25V에서 1710pF - 39W(Tc)
HUF76137P3 Fairchild Semiconductor HUF76137P3 0.8400
보상요청
ECAD 13 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 72nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V - 145W(Tc)
BD244BTU Fairchild Semiconductor BD244BTU 0.3600
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 BD244B 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 65W TO-220 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BD244BTU-600039 EAR99 8541.29.0095 833 80V 6A 700μA PNP 1.5V @ 1A, 6A 30 @ 300mA, 4V 3MHz
FDS6670A Fairchild Semiconductor FDS6670A 0.3900
보상요청
ECAD 110 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 779 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 8m옴 @ 13A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 5V ±20V 15V에서 2220pF - 2.5W(타)
FMM7G20US60N Fairchild Semiconductor FMM7G20US60N 28.1700
보상요청
ECAD 22 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 기준기준 89W 삼상 다리 정류기 - 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-FMM7G20US60N EAR99 8541.29.0095 1 브레이크가 있는 3상인터 - 600V 20A 2.7V @ 15V, 20A 250μA 30V에서 1.277nF
MPSW06 Fairchild Semiconductor MPSW06 -
보상요청
ECAD 1726년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1W TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 824 80V 500mA 500nA NPN 400mV @ 10mA, 250mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
MMBT2369 Fairchild Semiconductor MMBT2369 -
보상요청
ECAD 7778 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 15V 200mA 400nA(ICBO) NPN 250mV @ 1mA, 10mA 40 @ 10mA, 1V -
HGTG18N120BN Fairchild Semiconductor HGTG18N120BN -
보상요청
ECAD 6491 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 HGTG18 기준 390W TO-247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 960V, 18A, 3옴, 15V NPT 1200V 54A 165A 2.7V @ 15V, 18A 800μJ(켜짐), 1.8mJ(꺼짐) 165nC 23ns/170ns
FDW6923 Fairchild Semiconductor FDW6923 1.2800
보상요청
ECAD 767 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 45m옴 @ 3.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 16nC @ 4.5V ±12V 1030pF @ 10V - 1.2W(타)
FJY3010R Fairchild Semiconductor FJY3010R 0.0200
보상요청
ECAD 1471 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-89, SOT-490 FJY301 200mW SOT-523F 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
2SK4066-DL-1EX Fairchild Semiconductor 2SK4066-DL-1EX 1.0000
보상요청
ECAD 8797 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 2SK4066 MOSFET(금속) TO-263-2 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 100A(타) 4.7m옴 @ 50A, 10V - 220nC @ 10V 20V에서 12500pF - 1.65W(Ta), 90W(Tc)
SGU20N40LTU Fairchild Semiconductor SGU20N40LTU 1.2500
보상요청
ECAD 69 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA SGU20 기준 45W 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 - 도랑 400V 150A 8V @ 4.5V, 150A - -
KSA642GBU Fairchild Semiconductor KSA642GBU 0.0200
보상요청
ECAD 6342 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,726 25V 300mA 100nA(ICBO) PNP 600mV @ 30mA, 300mA 200 @ 50mA, 1V -
2N3663 Fairchild Semiconductor 2N3663 1.0000
보상요청
ECAD 3328 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 1.5dB 12V 50mA NPN 20 @ 8mA, 10V 2.1GHz 6.5dB @ 60MHz
HUFA75545P3 Fairchild Semiconductor HUFA75545P3 0.8700
보상요청
ECAD 345 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 345 N채널 80V 75A(Tc) 10V 10m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 235nC @ 20V ±20V 3750pF @ 25V - 270W(Tc)
FDMA8884 Fairchild Semiconductor FDMA8884 1.0000
보상요청
ECAD 6776 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 MOSFET(금속) 6-MicroFET(2x2) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 6.5A(Ta), 8A(Tc) 4.5V, 10V 23m옴 @ 6.5A, 10V 3V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±20V 15V에서 450pF - 1.9W(타)
FMG1G300US60L Fairchild Semiconductor FMG1G300US60L 90.6600
보상요청
ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 892W 기준 - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 하나의 - 600V 300A 2.7V @ 15V, 300A 250μA 아니요
HUF75617D3 Fairchild Semiconductor HUF75617D3 0.2500
보상요청
ECAD 5 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 100V 16A(티씨) 10V 90m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 39nC @ 20V ±20V 25V에서 570pF - 64W(Tc)
FQPF4N50 Fairchild Semiconductor FQPF4N50 0.4700
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 2.3A(Tc) 10V 2.7옴 @ 1.15A, 10V 5V @ 250μA 13nC @ 10V ±30V 25V에서 460pF - 35W(Tc)
BD240CTU-FS Fairchild Semiconductor BD240CTU-FS 0.3000
보상요청
ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BD240 30W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 100V 2A PNP 700mV @ 200mA, 1A 40 @ 200mA, 4V -
FDH047AN08AD Fairchild Semiconductor FDH047AN08AD -
보상요청
ECAD 1545년 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-FDH047AN08AD-600039 1
FDFS2P753Z Fairchild Semiconductor FDFS2P753Z 0.2900
보상요청
ECAD 422 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 2,500 P채널 30V 3A(타) 115m옴 @ 3A, 10V 3V @ 250μA 9.3nC @ 10V ±25V 10V에서 455pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.6W(타)
FJP5554TU Fairchild Semiconductor FJP5554TU 0.3100
보상요청
ECAD 7 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FJP555 70W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 400V 4A 250μA NPN 1.5V @ 1A, 3.5A 20 @ 800mA, 3V -
FQI9N50TU Fairchild Semiconductor FQI9N50TU 0.9800
보상요청
ECAD 756 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 9A(TC) 10V 730m옴 @ 4.5A, 10V 5V @ 250μA 36nC @ 10V ±30V 25V에서 1450pF - 3.13W(Ta), 147W(Tc)
FDP2710_SW82258 Fairchild Semiconductor FDP2710_SW82258 -
보상요청
ECAD 2120 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 250V 50A(Tc) 10V 42.5m옴 @ 25A, 10V 5V @ 250μA 101nC @ 10V ±30V 25V에서 7280pF - 260W(Tc)
FQPF27P06 Fairchild Semiconductor FQPF27P06 -
보상요청
ECAD 9363 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 17A(TC) 70m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 250μA 43nC @ 10V ±25V 25V에서 1400pF - 47W(Tc)
FDD6682 Fairchild Semiconductor FDD6682 0.9500
보상요청
ECAD 28 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 75A(타) 4.5V, 10V 6.2m옴 @ 17A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 5V ±20V 2400pF @ 15V - 71W(타)
SGH20N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH20N120RUFDTU -
보상요청
ECAD 4216 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 SGH20N 기준 230W TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 9 600V, 20A, 15옴, 15V 80ns - 1200V 32A 60A 3V @ 15V, 20A 1.3mJ(켜짐), 1.3mJ(꺼짐) 140nC 30ns/70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고