| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUFA75623S3ST | 0.5100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 592 | N채널 | 100V | 22A(TC) | 10V | 64m옴 @ 22A, 10V | 4V @ 250μA | 52nC @ 20V | ±20V | 25V에서 790pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N06 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 9.4A(Tc) | 10V | 135m옴 @ 4.7A, 10V | 4V @ 250μA | 7.5nC @ 10V | ±25V | 310pF @ 25V | - | 24W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V5036P3 | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | 비교차일드 | EcoSPARK® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 논리 | 250W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1k옴, 5V | - | 390V | 46A | 1.6V @ 4V, 10A | - | 32nC | -/10.8μs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2328AYBU | 0.1200 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,485 | 30V | 2A | 100nA(ICBO) | NPN | 2V @ 30mA, 1.5A | 160 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS630B | 0.5200 | ![]() | 743 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-IRFS630B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33716TFR | 0.0400 | ![]() | 4034 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,272 | 45V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5HP01M-TL-E | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | MOSFET(금속) | 3-MCP | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-5HP01M-TL-E-600039 | 1 | P채널 | 50V | 70mA(타) | 4V, 10V | 22옴 @ 40mA, 10V | 100μA에서 2.5V | 1.32nC @ 10V | ±20V | 10V에서 6.2pF | - | 150mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA2712 | 9.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 250V | 64A(티씨) | 10V | 34m옴 @ 40A, 10V | 5V @ 250μA | 129nC @ 10V | ±30V | 10175pF @ 25V | - | 357W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5550-FS | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 9,113 | 140V | 600mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76609D3ST_NL | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 10A(TC) | 4.5V, 10V | 160m옴 @ 10A, 10V | 3V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±16V | 25V에서 425pF | - | 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3476-TL-W | 0.0900 | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 플랫 리드 | MOSFET(금속) | SC-70FL/MCPH3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 2A(타) | 125m옴 @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 1.8nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 128pF | - | 800mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1015GRTA | 0.0300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 368년 | 1.0000 | ![]() | 1834년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20V | 1A | 10μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 85 @ 500mA, 1V | 65MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4303RTA | 0.0200 | ![]() | 101 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN430 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 56 @ 5mA, 5V | 200MHz | 22kΩ | 22kΩ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629D3STNL | 0.3400 | ![]() | 1653년 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 206 | N채널 | 100V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 52m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 43nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1285pF | - | 150W(티제이) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002T | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | 2N7002 | MOSFET(금속) | SOT-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 115mA(타) | 5V, 10V | 7.5옴 @ 50mA, 5V | 2V @ 250μA | ±20V | 25V에서 50pF | - | 200mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550BTA | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4402TFR | 0.0200 | ![]() | 6833 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,166 | 40V | 600mA | - | PNP | 750mV @ 50mA, 500mA | 50 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF30N30TTU | 0.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | 44.6W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 200V, 20A, 20옴, 15V | 도랑 | 300V | 80A | 1.5V @ 15V, 10A | - | 65nC | 22ns/130ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76645S3S | 1.2100 | ![]() | 3305 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 176 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±16V | 25V에서 4400pF | - | 310W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB46N15TM | 1.4100 | ![]() | 570 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 150V | 45.6A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 22.8A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±25V | 3250pF @ 25V | - | 3.75W(Ta), 210W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50 | 0.8500 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 5.3A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 2.65A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2785YTA | 0.0200 | ![]() | 338 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | 250mW | TO-92S | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 120@1mA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905BU | - | ![]() | 9899 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 40V | 200mA | - | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC839YBU | 0.0200 | ![]() | 1935년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,957 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FP7G100US60 | 33.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워-SPM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 방역 | EPM7 | 400W | 기준 | EPM7 | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | 다리 다리 | - | 600V | 100A | 2.8V @ 15V, 100A | 250μA | 아니요 | 30V에서 6.085nF | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50T | 0.6200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 485 | N채널 | 500V | 5A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 2.5A, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 640pF | - | 28W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP5N60LS | 0.7500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 83W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | 400V, 5A, 10옴, 15V | 필드스톱 | 600V | 10A | 36A | 3.2V @ 12V, 14A | 38μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) | 18.3nC | 4.3ns/36ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW720BTMNL | 0.1700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 400V | 3.3A(Tc) | 10V | 1.75옴 @ 1.65A, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±30V | 25V에서 600pF | - | 3.13W(Ta), 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA14 | - | ![]() | 7671 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.210075 | 3,000 | 30V | 1.2A | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz |

일일 평균 견적 요청량

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