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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
HUFA75623S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75623S3ST 0.5100
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ECAD 32 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 592 N채널 100V 22A(TC) 10V 64m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 52nC @ 20V ±20V 25V에서 790pF - 85W(Tc)
FQPF13N06 Fairchild Semiconductor FQPF13N06 0.3100
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 9.4A(Tc) 10V 135m옴 @ 4.7A, 10V 4V @ 250μA 7.5nC @ 10V ±25V 310pF @ 25V - 24W(Tc)
ISL9V5036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3 -
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ECAD 2337 0.00000000 비교차일드 EcoSPARK® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 논리 250W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1k옴, 5V - 390V 46A 1.6V @ 4V, 10A - 32nC -/10.8μs
KSC2328AYBU Fairchild Semiconductor KSC2328AYBU 0.1200
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ECAD 85 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 2,485 30V 2A 100nA(ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5A 160 @ 500mA, 2V 120MHz
IRFS630B Fairchild Semiconductor IRFS630B 0.5200
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ECAD 743 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-IRFS630B-600039 1
BC33716TFR Fairchild Semiconductor BC33716TFR 0.0400
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ECAD 4034 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,272 45V 800mA 100nA NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
5HP01M-TL-E Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E -
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ECAD 8837 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 SC-70, SOT-323 MOSFET(금속) 3-MCP - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-5HP01M-TL-E-600039 1 P채널 50V 70mA(타) 4V, 10V 22옴 @ 40mA, 10V 100μA에서 2.5V 1.32nC @ 10V ±20V 10V에서 6.2pF - 150mW(타)
FDA2712 Fairchild Semiconductor FDA2712 9.5400
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3PN 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 250V 64A(티씨) 10V 34m옴 @ 40A, 10V 5V @ 250μA 129nC @ 10V ±30V 10175pF @ 25V - 357W(Tc)
MMBT5550-FS Fairchild Semiconductor MMBT5550-FS 0.0500
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ECAD 9 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 9,113 140V 600mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 50MHz
HUFA76609D3ST_NL Fairchild Semiconductor HUFA76609D3ST_NL 0.1800
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 10A(TC) 4.5V, 10V 160m옴 @ 10A, 10V 3V @ 250μA 16nC @ 10V ±16V 25V에서 425pF - 49W(Tc)
MCH3476-TL-W Fairchild Semiconductor MCH3476-TL-W 0.0900
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ECAD 7750 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) SC-70FL/MCPH3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 2A(타) 125m옴 @ 1A, 4.5V 1.3V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V ±12V 10V에서 128pF - 800mW(타)
KSA1015GRTA Fairchild Semiconductor KSA1015GRTA 0.0300
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ECAD 43 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 400mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
BC368 Fairchild Semiconductor 368년 1.0000
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ECAD 1834년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 20V 1A 10μA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 1A 85 @ 500mA, 1V 65MHz
FJN4303RTA Fairchild Semiconductor FJN4303RTA 0.0200
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ECAD 101 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 FJN430 300mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
HUF76629D3STNL Fairchild Semiconductor HUF76629D3STNL 0.3400
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ECAD 1653년 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 206 N채널 100V 20A(TC) 4.5V, 10V 52m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 43nC @ 10V ±16V 25V에서 1285pF - 150W(티제이)
2N7002T Fairchild Semiconductor 2N7002T -
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ECAD 2887 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 2N7002 MOSFET(금속) SOT-523F 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 115mA(타) 5V, 10V 7.5옴 @ 50mA, 5V 2V @ 250μA ±20V 25V에서 50pF - 200mW(타)
BC550BTA Fairchild Semiconductor BC550BTA 0.0200
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ECAD 26 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 300MHz
2N4402TFR Fairchild Semiconductor 2N4402TFR 0.0200
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ECAD 6833 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,166 40V 600mA - PNP 750mV @ 50mA, 500mA 50 @ 150mA, 2V -
FGPF30N30TTU Fairchild Semiconductor FGPF30N30TTU 0.8400
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 기준 44.6W TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 200V, 20A, 20옴, 15V 도랑 300V 80A 1.5V @ 15V, 10A - 65nC 22ns/130ns
HUFA76645S3S Fairchild Semiconductor HUFA76645S3S 1.2100
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ECAD 3305 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 176 N채널 100V 75A(Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 153nC @ 10V ±16V 25V에서 4400pF - 310W(Tc)
FQB46N15TM Fairchild Semiconductor FQB46N15TM 1.4100
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ECAD 570 0.00000000 비교차일드 QFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 150V 45.6A(Tc) 10V 42m옴 @ 22.8A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±25V 3250pF @ 25V - 3.75W(Ta), 210W(Tc)
FQPF9N50 Fairchild Semiconductor FQPF9N50 0.8500
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ECAD 43 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500V 5.3A(Tc) 10V 730m옴 @ 2.65A, 10V 5V @ 250μA 36nC @ 10V ±30V 25V에서 1450pF - 50W(Tc)
KSC2785YTA Fairchild Semiconductor KSC2785YTA 0.0200
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ECAD 338 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 250mW TO-92S 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 100mA 120@1mA, 6V 300MHz
2N3905BU Fairchild Semiconductor 2N3905BU -
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ECAD 9899 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 1,000 40V 200mA - PNP 400mV @ 5mA, 50mA 50 @ 10mA, 1V -
KSC839YBU Fairchild Semiconductor KSC839YBU 0.0200
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ECAD 1935년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 9,957 30V 100mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 1mA, 10mA 120 @ 2mA, 12V 200MHz
FP7G100US60 Fairchild Semiconductor FP7G100US60 33.5000
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 파워-SPM™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 방역 EPM7 400W 기준 EPM7 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.29.0095 5 다리 다리 - 600V 100A 2.8V @ 15V, 100A 250μA 아니요 30V에서 6.085nF
FDPF5N50T Fairchild Semiconductor FDPF5N50T 0.6200
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ECAD 55 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 485 N채널 500V 5A(Tc) 10V 1.4옴 @ 2.5A, 10V 5V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 640pF - 28W(Tc)
FGP5N60LS Fairchild Semiconductor FGP5N60LS 0.7500
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ECAD 20 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 83W TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 400 400V, 5A, 10옴, 15V 필드스톱 600V 10A 36A 3.2V @ 12V, 14A 38μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) 18.3nC 4.3ns/36ns
IRFW720BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW720BTMNL 0.1700
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ECAD 11 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 400V 3.3A(Tc) 10V 1.75옴 @ 1.65A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 3.13W(Ta), 49W(Tc)
MMBTA14 Fairchild Semiconductor MMBTA14 -
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ECAD 7671 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.210075 3,000 30V 1.2A 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고