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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FDP5N50	0.5300	보상요청	1	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50	N채널	500V	5A(Tc)	10V	1.4옴 @ 2.5A, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 640pF	-	85W(Tc)
BC556CTA	0.0200	보상요청	617	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록		500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000												65V	100mA				15nA(ICBO)		PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	150MHz
FDN3401	-	보상요청	1526	비교차일드	*	대부분	활동적인							-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우				3,000
FDMS7560S	0.7300	보상요청	1	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	409	N채널	25V	30A(타), 49A(Tc)	4.5V, 10V	1.45m옴 @ 30A, 10V	3V @ 1mA	93nC @ 10V	±20V	13V에서 5945pF	-	2.5W(Ta), 89W(Tc)
SI4466DY	-	보상요청	2668	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	173	N채널	20V	15A(타)	2.5V, 4.5V	7.5m옴 @ 15A, 4.5V	250μA에서 1.5V	66nC @ 5V	±12V	10V에서 4700pF	-	1W(타)
NZT6714	0.0900	보상요청	59	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA		1W	SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,500												30V	2A				100nA(ICBO)		NPN	500mV @ 100mA, 1A	60 @ 100mA, 1V	-
KSA709YTA	0.0600	보상요청	395	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록		800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000												150V	700mA				100nA(ICBO)		PNP	400mV @ 20mA, 200mA	120@50mA, 2V	50MHz
FDSS2407_SB82086	0.7300	보상요청	1	비교차일드	*	대부분	활동적인							다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDSS2407_SB82086-600039			1
TIP115TU	0.4500	보상요청	940	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000												60V	2A				2mA		PNP-달링턴	2.5V @ 8mA, 2A	1000 @ 1A, 4V	-
FDD8878	0.4900	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	611	N채널	30V	11A(Ta), 40A(Tc)	4.5V, 10V	15m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	26nC @ 10V	±20V	15V에서 880pF	-	40W(Tc)
2N3859A	1.0000	보상요청	5026	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1												60V	500mA				500nA(ICBO)		NPN	-	100 @ 1mA, 1V	250MHz
J112	-	보상요청	4979	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		625mW	TO-92-3	다운로드						0000.00.0000	27	N채널								-					35V	15V에서 5mA	1V @ 1μA		50옴
FQU1N80TU	-	보상요청	9472	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	MOSFET(금속)		아이팩	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널	800V	1A(Tc)	10V	20옴 @ 500mA, 10V	5V @ 250μA	7.2nC @ 10V	±30V	25V에서 195pF	-	2.5W(Ta), 45W(Tc)
MJ21193G	-	보상요청	1831년	비교차일드	-	대부분	활동적인	-65°C ~ 200°C (TJ)	스루홀	TO-204AA, TO-3		250W	TO-204AA (TO-3)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-MJ21193G-600039			1												250V	16A				100μA		PNP	4V @ 3.2A, 16A	25 @ 8A, 5V	4MHz
FDZ209N	0.8700	보상요청	20	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	12-WFBGA	MOSFET(금속)		12-BGA(2x2.5)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널	60V	4A(타)	5V	80m옴 @ 4A, 5V	3V @ 250μA	9nC @ 5V	±20V	30V에서 657pF	-	2W(타)
HUFA75842P3	0.9200	보상요청	6	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400	N채널	150V	43A(Tc)	10V	42m옴 @ 43A, 10V	4V @ 250μA	175nC @ 20V	±20V	2730pF @ 25V	-	230W(Tc)
IRFW644BTM	0.3400	보상요청	21	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800	N채널	250V	14A(TC)	10V	280m옴 @ 7A, 10V	4V @ 250μA	60nC @ 10V	±30V	25V에서 1600pF	-	3.13W(Ta), 139W(Tc)
BC858C	0.0400	보상요청	67	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		380mW	SOT-23-3(TO-236)	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.21.0075	8,460												30V	100mA				15nA(ICBO)		PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	100MHz
FDMA410NZT	-	보상요청	6910	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UDFN 옆패드	MOSFET(금속)		6-UDFN(2.05x2.05)	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FDMA410NZT-600039			1	N채널	20V	9.5A(타)	1.5V, 4.5V	23m옴 @ 9.5A, 4.5V	1V @ 250μA	14nC @ 4.5V	±8V	1310pF @ 10V	-	2.4W(타)
NTD5C446NT4G	1.3700	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	MOSFET(금속)		DPAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NTD5C446NT4G-600039			1	N채널	40V	110A(TC)	10V	3.5m옴 @ 50A, 10V	4V @ 250μA	34.3nC @ 10V	±20V	2300pF @ 20V	-	66W(Tc)
RFD8P06LE	0.3300	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1	P채널	60V	8A(TC)	4.5V, 5V	300m옴 @ 8A, 5V	2V @ 250μA	30nC @ 10V	±10V	675pF @ 25V	-	48W(Tc)
KSB1116YTA	0.0500	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록		750mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000												50V	1A				100nA(ICBO)		PNP	300mV @ 50mA, 1A	135 @ 100mA, 2V	120MHz
FDS7088N7	2.0300	보상요청	1	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	30V	23A(타)	4.5V, 10V	3m옴 @ 23A, 10V	3V @ 250μA	48nC @ 5V	±20V	15V에서 3845pF	-	3W(타)
SFR9120TF	0.2000	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000	P채널	100V	4.9A(Tc)	10V	600m옴 @ 2.5A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 550pF	-	2.5W(Ta), 32W(Tc)
FDMC7664	1.0000	보상요청	2707	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	MOSFET(금속)		8-MLP(3.3x3.3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널	30V	18.8A(Ta), 24A(Tc)	4.5V, 10V	4.2m옴 @ 18.8A, 10V	3V @ 250μA	76nC @ 10V	±20V	15V에서 4865pF	-	2.3W(Ta), 45W(Tc)
BC337-25	-	보상요청	9755	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		625mW	TO-92	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	1												45V	800mA				100nA		NPN	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
KSD1621RTF	0.1400	보상요청	6823	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA		500mW	SOT-89-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	170												25V	2A				100nA(ICBO)		NPN	400mV @ 75mA, 1.5A	100 @ 100mA, 2V	150MHz
NDC631N	0.1700	보상요청	11	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000	N채널	20V	4.1A(타)	2.7V, 4.5V	60m옴 @ 4.1A, 4.5V	1V @ 250μA	14nC @ 4.5V	8V	10V에서 365pF	-	1.6W(타)
HUF75344S3ST	0.6700	보상요청	41	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800	N채널	55V	75A(Tc)	10V	8m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	210nC @ 20V	±20V	3200pF @ 25V	-	285W(Tc)
FQP4N80	1.0000	보상요청	7505	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널	800V	3.9A(Tc)	10V	3.6옴 @ 1.95A, 10V	5V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 880pF	-	130W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²