 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ISL9V2040D3ST | 0.9700 |  | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 309 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF18N50V2SDTU | 1.5300 |  | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 500V | 18A(티제이) | 10V | 265m옴 @ 9A, 10V | 5V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±30V | 3290pF @ 25V | - | 69W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | MPSW56 | 0.1200 |  | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-226-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,500 | 80V | 1A | 500nA | PNP | 500mV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N4401BU | - |  | 8397 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | - | NPN | 750mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FGH30N120FTDTU | 1.0000 |  | 7432 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 339W | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 730ns | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 60A | 90A | 2V @ 15V, 30A | - | 208nC | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | FGP3040G2 | 1.0100 |  | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | RFD16N05NL | 0.5100 |  | 776 | 0.00000000 | 비교차일드 | PSPICE® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 50V | 16A(티씨) | 10V | 47m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 80nC @ 20V | ±20V | 25V에서 900pF | - | 72W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | FQA18N50V2 | 2.8400 |  | 380 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 500V | 20A(TC) | 10V | 265m옴 @ 10A, 10V | 5V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±30V | 3290pF @ 25V | - | 277W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | MJD117TF | 0.3000 |  | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.75W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MJD117TF-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 2A | 20μA | PNP-달링턴 | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FJNS3206RTA | 0.0200 |  | 6358 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | FJNS32 | 300mW | TO-92S | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,900 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 68 @ 5mA, 5V | 250MHz | 10kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BD159STU | - |  | 7295 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | BD159 | 20W | TO-126-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 350V | 500mA | 100μA(ICBO) | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5086 | - |  | 2079 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1.5W | TO-92 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-2N5086-600039 | 1 | 50V | 50mA | 50nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 1mA, 10mA | 150@1mA, 5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDMS3602S | 1.7100 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS3602 | MOSFET(금속) | 1W | 파워56 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 192 | 2 N채널(듀얼) | 25V | 15A, 26A | 5.6m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 10V | 13V에서 1680pF | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FDC655N | 0.1900 |  | 78 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDC655 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MPSH17-D26Z | 0.0700 |  | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | HUF76633P3-F085 | 0.9300 |  | 2919 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 39A(Tc) | 4.5V, 10V | 35m옴 @ 39A, 10V | 3V @ 250μA | 67nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1820pF | - | 145W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | FDS6680 | 0.8800 |  | 58 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 11.5A(타) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 11.5A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 5V | ±20V | 2070pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF6N40CF | 0.6400 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 400V | 6A(TC) | 10V | 1옴 @ 3A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 625pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | SFP9634 | 0.4100 |  | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 250V | 5A(Tc) | 10V | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 37nC @ 10V | ±30V | 25V에서 975pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | ISL9N308AS3ST | 0.8100 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 8옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 15V | - | 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | KSE13007H2SMTU | - |  | 3760 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | KSE13007 | TO-220-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 8 @ 2A, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FCPF20N60ST | - |  | 1253 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET™ | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FCPF20 | MOSFET(금속) | TO-220F | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 20A(TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
|  | FCPF11N60T | - |  | 9096 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FCPF11 | MOSFET(금속) | TO-220F | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 600V | 11A(티씨) | 10V | 380m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 52nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1490pF | - | 36W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
|  | FDA16N50LDTU | 1.5800 |  | 26 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3(성형 리드) | MOSFET(금속) | TO-3PN(L형) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 190 | N채널 | 500V | 16.5A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 8.3A, 10V | 5V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±30V | 1945pF @ 25V | - | 205W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | FDPF5N50NZF | 0.7900 |  | 552 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET-II™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 500V | 4.2A(Tc) | 10V | 1.75옴 @ 2.1A, 10V | 5V @ 250μA | 12nC @ 10V | ±25V | 25V에서 485pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | FGH40T65SHD | 1.0000 |  | 8890 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | IRFS740B | - |  | 8436 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC32725 | 0.0600 |  | 53 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800mA | 100nA | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | NTD24N06LT4G | - |  | 9924 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | NTD24 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 24A(타) | 5V | 45m옴 @ 10A, 5V | 2V @ 250μA | 32nC @ 5V | ±15V | 25V에서 1140pF | - | 1.36W(Ta), 62.5W(Tj) | |||||||||||||||||||||||||
|  | FJY3012R | 0.0200 |  | 2009년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | FJY301 | 200mW | SOT-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 1mA, 5V | 250MHz | 47kΩ | 

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