SIC
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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
KSD471ACYBU Fairchild Semiconductor KSD471ACYBU 1.0000
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 130MHz
FQPF2P25 Fairchild Semiconductor FQPF2P25 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 1.8A (TC) 10V 4ohm @ 900ma, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 32W (TC)
MMBT2907-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907-D87Z 0.0300
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0095 10,000 40 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
BC546CBU Fairchild Semiconductor BC546CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
SFP9610 Fairchild Semiconductor SFP9610 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 1.75A (TC) 10V 3ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 285 pf @ 25 v - 20W (TC)
NDS8426A Fairchild Semiconductor NDS8426A 0.4100
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 10.5A (TA) 2.7V, 4.5V 13.5mohm @ 10.5a, 4.5v 1V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 8V 2150 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
SFS9Z14 Fairchild Semiconductor SFS9Z14 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 24W (TC)
TIP41C Fairchild Semiconductor TIP41C -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 65 w TO-220 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-TIP41C-600039 1 100 v 6 a 400µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v -
FDS2672 Fairchild Semiconductor FDS2672 -
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 3.9A (TA) 6V, 10V 70mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 2535 pf @ 100 v - 2.5W (TA)
FDMS8570SDC Fairchild Semiconductor FDMS8570SDC 1.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS85 MOSFET (금속 (() 듀얼 듀얼 ™ 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 25 v 28A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 28a, 10V 2.2v @ 1ma 42 NC @ 10 v ± 12V 2825 pf @ 13 v Schottky Diode (Body) 3.3W (TA), 59W (TC)
KSD471ACYTA Fairchild Semiconductor KSD471ACYTA 0.1000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 800MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,174 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 130MHz
BCX59-9 Fairchild Semiconductor BCX59-9 -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 45 v 100 MA - NPN - 250 @ 2MA, 5V 125MHz
RFD8P05SM Fairchild Semiconductor RFD8P05SM 1.0000
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 8A (TC) 300mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 20 v -
BD13610STU Fairchild Semiconductor BD13610STU 0.3200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.25 w TO-126-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 933 45 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
FCA22N60N Fairchild Semiconductor fca22n60n 4.6600
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8541.29.0095 65 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1950 pf @ 100 v - 205W (TC)
IRFW630BTM Fairchild Semiconductor IRFW630BTM -
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 720 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 72W (TC)
FCP125N60E Fairchild Semiconductor FCP125N60E -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP125 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2990 pf @ 380 v - 278W (TC)
FQAF70N15 Fairchild Semiconductor FQAF70N15 2.3700
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 150 v 44A (TC) 10V 28mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 25V 5400 pf @ 25 v - 130W (TC)
IRFS830B Fairchild Semiconductor IRFS830B 0.2500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 4.5A (TJ) 10V 1.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 38W (TJ)
BD433S Fairchild Semiconductor BD433S 0.2700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 36 w TO-126-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 22 v 4 a 100µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 40 @ 10ma, 5V 3MHz
FDD6632 Fairchild Semiconductor FDD6632 0.1400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TC) 4.5V, 10V 70mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 4 NC @ 5 v ± 20V 255 pf @ 15 v - 15W (TC)
SI9933BDY Fairchild Semiconductor si9933bdy -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9933 - 900MW (TA) 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 20V 3.4A (TA) 75mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V -
FDS7788 Fairchild Semiconductor FDS7788 2.6000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
KSD261GBU Fairchild Semiconductor KSD261GBU 0.0300
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 9,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 200 @ 100ma, 1v -
TIP30CTU Fairchild Semiconductor tip30ctu -
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-TIP30CTU-600039 1 100 v 1 a 300µA PNP 700mv @ 125ma, 1a 40 @ 200ma, 4v 3MHz
MJD31CITU Fairchild Semiconductor MJD31CITU 0.2000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MJD31 1.56 w i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1,480 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
FDA62N28 Fairchild Semiconductor FDA62N28 3.6600
RFQ
 ECAD 854 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 280 v 62A (TC) 10V 51mohm @ 31a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 4630 pf @ 25 v - 500W (TC)
FQP7P06 Fairchild Semiconductor FQP7P06 0.6600
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 457 p 채널 60 v 7A (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 45W (TC)
FCH47N60F-F085 Fairchild Semiconductor FCH47N60F-F085 12.9700
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, Superfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 24 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 75mohm @ 47a, 10V 5V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 30V 8000 pf @ 25 v - 417W (TC)
FDA16N50 Fairchild Semiconductor FDA16N50 1.6000
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 16.5A (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1945 pf @ 25 v - 205W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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