 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 입력 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | FDBL9406 | - |  | 8611 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDBL940 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N4126 | 0.0200 |  | 75 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 25V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 120 @ 2mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||
|  | RF1K4915696 | 0.8200 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 365 | N채널 | 30V | 6.3A(타) | 5V | 30m옴 @ 6.3A, 5V | 2V @ 250μA | 65nC @ 10V | ±10V | 2030pF @ 25V | - | 2W(타) | ||||||||||||||||
|  | BF721T1G | - |  | 2316 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 300V | 50mA | 10nA(ICBO) | PNP | 800mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||
|  | FQA19N60 | - |  | 1324 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 18.5A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 9.3A, 10V | 5V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±30V | 3600pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||
|  | IRFN214BTA | 0.1800 |  | 152 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | IRFN214 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,664 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDP6035AL | 1.3600 |  | 106 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 48A(타) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 24A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1250pF | - | 52W(Tc) | ||||||||||||||||||
|  | KSC2330RTA | - |  | 1943년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 40 @ 20mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
|  | KSC5502DTM | - |  | 7816 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 118.16W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 750V | 2A | 100μA | NPN | 1.5V @ 200mA, 1A | 15 @ 200mA, 1V | 11MHz | |||||||||||||||||||||||
|  | FDPF51N25YDTU | 1.9700 |  | 566 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 (Y-형) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 250V | 51A(티씨) | 10V | 60m옴 @ 25.5A, 10V | 5V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±30V | 3410pF @ 25V | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||
|  | BD677AS | - |  | 6526 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | BD677 | 40W | TO-126-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60V | 4A | 500μA | NPN-달링턴 | 2.8V @ 40mA, 2A | 750 @ 2A, 3V | - | |||||||||||||||||||
|  | IRFU220BTU | 0.8300 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-IRFU220BTU-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF13N10 | 0.6100 |  | 146 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 8.7A(Tc) | 10V | 180m옴 @ 4.35A, 10V | 4V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±25V | 25V에서 450pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||
|  | KSA928AYBU | - |  | 7501 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 30V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 2V @ 30mA, 1.5A | 160 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||
|  | KSC838YTA | 0.0200 |  | 1999년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,751 | 30V | 30mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
|  | FMG1G300US60HE | 73.7500 |  | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 892W | 기준 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | - | 600V | 300A | 2.7V @ 15V, 300A | 250μA | 아니요 | |||||||||||||||||||
|  | RFD3055SM9A | 0.4600 |  | 2537 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N채널 | 60V | 12A(TC) | 10V | 150m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 23nC @ 20V | ±20V | 25V에서 300pF | - | 53W(Tc) | ||||||||||||||||||
|  | NDS336P | - |  | 8885 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 1.2A(타) | 2.7V, 4.5V | 200m옴 @ 1.3A, 4.5V | 1V @ 250μA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 360pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||
|  | FQP44N08 | 0.6100 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 80V | 44A(Tc) | 10V | 34m옴 @ 22A, 10V | 4V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1430pF | - | 127W(Tc) | ||||||||||||||||||
|  | ISL9N306AD3 | 0.8700 |  | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 50A, 10V | 3V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3400pF | - | 125W(타) | ||||||||||||||||
|  | FDC6304P | 0.2200 |  | 7373 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FDC6304 | MOSFET(금속) | 700mW | SuperSOT™-6 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 | 2 P채널(듀얼) | 25V | 460mA | 1.1옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1.5nC @ 4.5V | 62pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||
|  | BC546 | 0.0400 |  | 114 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
|  | HUF75842P3 | - |  | 1670년 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 150V | 43A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 43A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 20V | ±20V | 2730pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||
|  | RFP14N05L | 0.4000 |  | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 50V | 14A(TC) | 5V | 100m옴 @ 14A, 5V | 2V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±10V | 25V에서 670pF | - | 48W(Tc) | ||||||||||||||||||
|  | BCX17 | 0.0500 |  | 160 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX17 | 300mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 620mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||
|  | IRFS240B | 0.7200 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 12.8A(Tc) | 10V | 180m옴 @ 6.4A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1700pF | - | 73W(Tc) | ||||||||||||||||
|  | FQP2N80 | 0.7200 |  | 900 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 800V | 2.4A(Tc) | 10V | 6.3옴 @ 1.2A, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 550pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||
|  | KSD986YS | 1.0000 |  | 6085 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80V | 1.5A | 10μA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 1mA, 1A | 8000 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
|  | FDS9933BZ | 0.5100 |  | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS99 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.9A | 46m옴 @ 4.9A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 15nC @ 4.5V | 985pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||
|  | HUF76139P3 | 0.9500 |  | 12 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 78nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 25V | - | 165W(Tc) | 

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