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트랜지스터(3821)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 모델 지수(dB 일반 @ f)
HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor HGTP20N35G3VL 1.3700
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 ECAD 326 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 논리 150W TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 380V 20A 2.8V @ 5V, 20A - 28.7nC -
BCX71J Fairchild Semiconductor BCX71J 0.0300
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 ECAD 118 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 45V 100mA 20nA PNP 550mV @ 1.25mA, 50mA 250 @ 2mA, 5V -
BSS63 Fairchild Semiconductor BSS63 0.0300
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 ECAD 17 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS6 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 100V 200mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 2.5mA, 25mA 30 @ 25mA, 1V 50MHz
KSC1674CYBU Fairchild Semiconductor KSC1674CYBU 0.0200
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 ECAD 30 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 15,000 - 20V 20mA NPN 120@1mA, 6V 600MHz 3dB ~ 5dB @ 100MHz
FGL40N150DTU Fairchild Semiconductor FGL40N150DTU -
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 ECAD 3389 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-264-3, TO-264AA 기준 200W 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 - 170ns - 1500V 40A 120A 4.5V @ 15V, 40A - 170nC -
HUF75645S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF75645S3ST_Q 3.8500
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 ECAD 308 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D²PAK - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 100V 75A(Tc) 10V 14m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 238nC @ 20V ±20V 3790pF @ 25V 310W(Tc)
FDMC8878 Fairchild Semiconductor FDMC8878 -
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 ECAD 8504 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMC88 MOSFET(금속) 8-MLP(3.3x3.3) 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 30V 9.6A(Ta), 16.5A(Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 9.6A, 10V 3V @ 250μA 26nC @ 10V ±20V 1230pF @ 15V - 2.1W(Ta), 31W(Tc)
SFR9120TM Fairchild Semiconductor SFR9120TM 0.2500
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 ECAD 27 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 100V 4.9A(Tc) 10V 600m옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 550pF - 2.5W(Ta), 32W(Tc)
ISL9N304AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N304AP3 0.6000
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 ECAD 10 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 105nC @ 10V ±20V 4075pF @ 15V - 145W(타)
HGT1S14N41G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLS 2.0000
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 136W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 - - 445V 25A - - 26nC -
HGTP5N120CN Fairchild Semiconductor HGTP5N120CN -
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 ECAD 5235 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 167W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 960V, 5.5A, 25옴, 15V NPT 1200V 25A 40A 2.4V @ 15V, 5.5A 400μJ(켜짐), 640μJ(꺼짐) 75nC 22ns/180ns
FQB3N30TM Fairchild Semiconductor FQB3N30TM 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 300V 3.2A(Tc) 10V 2.2옴 @ 1.6A, 10V 5V @ 250μA 7nC @ 10V ±30V 230pF @ 25V - 3.13W(Ta), 55W(Tc)
FCP125N60E Fairchild Semiconductor FCP125N60E -
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 ECAD 6733 0.00000000 비교차일드 SuperFET® II 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FCP125 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 600V 29A(TC) 10V 125m옴 @ 14.5A, 10V 250μA에서 3.5V 95nC @ 10V ±20V 380V에서 2990pF - 278W(Tc)
PN2907ATF Fairchild Semiconductor PN2907ATF 0.0400
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 ECAD 54 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 7,036 60V 800mA 20nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FCH47N60F-F085 Fairchild Semiconductor FCH47N60F-F085 12.9700
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 ECAD 421 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, SuperFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 24 N채널 600V 47A (Tc) 10V 75m옴 @ 47A, 10V 5V @ 250μA 250nC @ 10V ±30V 25V에서 8000pF - 417W(Tc)
FQD2N60CTF Fairchild Semiconductor FQD2N60CTF -
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 ECAD 1877년 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 510 N채널 600V 1.9A(Tc) 10V 4.7옴 @ 950mA, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 235pF - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDS6675A Fairchild Semiconductor FDS6675A 1.0000
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 ECAD 1503 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 13m옴 @ 11A, 10V 3V @ 250μA 34nC @ 5V ±25V 15V에서 2330pF - 2.5W(타)
FDB8442-F085-FS Fairchild Semiconductor FDB8442-F085-FS 1.6100
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 ECAD 351 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 40V 28A(Ta), 80A(Tc) 10V 2.9m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 235nC @ 10V ±20V 25V에서 12200pF - 254W(Tc)
RFD14N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05SM_NL 1.0000
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 ECAD 7809 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 14A(TC) 10V 100m옴 @ 14A, 10V 4V @ 250μA 40nC @ 20V ±20V 25V에서 570pF - 48W(Tc)
FJN4310RTA Fairchild Semiconductor FJN4310RTA 0.0200
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 ECAD 6268 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 FJN431 300mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 800 40V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 200MHz 10kΩ
FJC2383OTF Fairchild Semiconductor FJC2383OTF 0.0700
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 ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 4,000 160V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 200mA, 5V 100MHz
SGH20N60RUFDTU-FS Fairchild Semiconductor SGH20N60RUFDTU-FS 1.0000
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 ECAD 3798 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 SGH20N60 기준 195W TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 300V, 20A, 10옴, 15V 50ns - 600V 32A 60A 2.8V @ 15V, 20A 524μJ(켜짐), 473μJ(꺼짐) 80nC 30ns/48ns
NDH8321C Fairchild Semiconductor NDH8321C 0.6700
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 ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) NDH8321 MOSFET(금속) 800mW(타) SuperSOT™-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 3.8A(타), 2.7A(타) 35m옴 @ 3.8A, 4.5V, 70m옴 @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250μA 28nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V 700pF @ 10V, 865pF @ 10V -
FQPF2NA90 Fairchild Semiconductor FQPF2NA90 -
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 ECAD 4799 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 364 N채널 900V 1.7A(Tc) 10V 5.8옴 @ 850mA, 10V 5V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 680pF @ 25V - 39W(Tc)
FDD6682_NL Fairchild Semiconductor FDD6682_NL 0.9600
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(타) 4.5V, 10V 6.2m옴 @ 17A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 5V ±20V 2400pF @ 15V - 1.6W(타)
MMBTH10RG Fairchild Semiconductor MMBTH10RG 0.0700
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 ECAD 378 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 40V 50mA NPN 50 @ 1mA, 6V 450MHz -
KSE13009FTU Fairchild Semiconductor KSE13009FTU 0.2900
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 ECAD 17 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 KSE13009 TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 - NPN 3V @ 3A, 12A 8 @ 5A, 5V 4MHz
FGR15N40A Fairchild Semiconductor FGR15N40A 0.3200
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 ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) 논리 1.25W 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 300V, 150A, 51옴, 4V - 400V 8A 150A 6V @ 4V, 150A - 41nC 180ns/460ns
PN3645 Fairchild Semiconductor PN3645 0.0500
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 ECAD 87 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 60V 800mA 35nA PNP 400mV @ 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V -
FQPF19N10 Fairchild Semiconductor FQPF19N10 0.6100
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 ECAD 582 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 13.6A(Tc) 10V 100m옴 @ 6.8A, 10V 4V @ 250μA 25nC @ 10V ±25V 25V에서 780pF - 38W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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