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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 - RDS(켜짐) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FDMC3020DC Fairchild Semiconductor FDMC3020DC 1.0000
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ECAD 7001 0.00000000 비교차일드 듀얼 쿨링™, PowerTrench® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 파워33 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 17A(Ta), 40A(Tc) 4.5V, 10V 6.25m옴 @ 12A, 10V 3V @ 250μA 23nC @ 10V ±20V 1385pF @ 15V - 3W(Ta), 50W(Tc)
MJD41CTF Fairchild Semiconductor MJD41CTF 1.0000
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ECAD 4051 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MJD41 1.75W TO-252, (D-박) - 0000.00.0000 1 100V 6A 10μA NPN 1.5V @ 600mA, 6A 15 @ 3A, 4V 3MHz
MMBFJ176 Fairchild Semiconductor MMBFJ176 -
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ECAD 5115 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225mW SOT-23-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1 P채널 - 30V 2mA @ 15V 1V @ 10nA 250옴
FQA9P25 Fairchild Semiconductor FQA9P25 -
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ECAD 5041 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3P - 0000.00.0000 1 P채널 250V 10.5A(Tc) 10V 620m옴 @ 5.25A, 10V 5V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1180pF - 150W(Tc)
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0.2400
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ECAD 224 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 200V 2.7A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.35A, 10V 4V @ 250μA 9.3nC @ 10V ±30V 25V에서 225pF - 2.5W(Ta), 26W(Tc)
FGH40T120SMDL4 Fairchild Semiconductor FGH40T120SMDL4 -
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ECAD 8823 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 기준 555W TO-247 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 600V, 40A, 10옴, 15V 65ns 트렌치 필드스톱 1200V 80A 160A 2.4V @ 15V, 40A 2.24mJ(켜짐), 1.02mJ(꺼짐) 370nC 44ns/464ns
HUF75339G3_NL Fairchild Semiconductor HUF75339G3_NL 0.7500
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ECAD 6516 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 60 N채널 55V 75A(Tc) 10V 12m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
FQPF46N15 Fairchild Semiconductor FQPF46N15 1.2400
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ECAD 6 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 150V 25.6A(Tc) 10V 42m옴 @ 12.8A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±25V 3250pF @ 25V - 66W(Tc)
FDPF12N35 Fairchild Semiconductor FDPF12N35 0.5300
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 350V 12A(TC) 10V 380m옴 @ 6A, 10V 5V @ 250μA 25nC @ 10V ±30V 25V에서 1110pF - 31.3W(Tc)
HGTG20N60B3 Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3 -
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ECAD 9298 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HGTG20N60B3-600039 1 - - 600V 40A 160A 2V @ 15V, 20A - 135nC -
BCX70H Fairchild Semiconductor BCX70H 0.0300
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ECAD 150 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 45V 200mA 20nA NPN 550mV @ 1.25mA, 50mA 180 @ 2mA, 5V 125MHz
FDMS86569-F085 Fairchild Semiconductor FDMS86569-F085 1.0000
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ECAD 9977 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 65A(Tc) 10V 5.6m옴 @ 65A, 10V 4V @ 250μA 54nC @ 10V ±20V 30V에서 2560pF - 100W(티제이)
FDMC2512SDC Fairchild Semiconductor FDMC2512SDC -
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ECAD 2558 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(3.3x3.3) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 25V 32A(Ta), 40A(Tc) 4.5V, 10V 2m옴 @ 27A, 10V 2.5V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 4410pF @ 13V - 3W(Ta), 66W(Tc)
SGP6N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGP6N60UFDTU 0.5500
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ECAD 869 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SGP6N 기준 30W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 3A, 80옴, 15V 52ns - 600V 6A 25A 2.6V @ 15V, 3A 57μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) 15nC 15ns/60ns
IRF740B Fairchild Semiconductor IRF740B 1.0000
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ECAD 7799 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 400V 10A(TC) 10V 540m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 53nC @ 10V ±30V 25V에서 1800pF - 134W(Tc)
MJD47TF Fairchild Semiconductor MJD47TF -
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ECAD 8521 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.56W TO-252-3(DPAK) - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-MJD47TF-600039 1 250V 1A 200μA NPN 1V @ 200mA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
NZT749 Fairchild Semiconductor NZT749 0.2400
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.2W SOT-223-4 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 1,268 25V 4A 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 100mA, 1A 80 @ 1A, 2V 75MHz
FQD5N20LTF Fairchild Semiconductor FQD5N20LTF -
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ECAD 9925 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 834 N채널 200V 3.8A(Tc) 5V, 10V 1.2옴 @ 1.9A, 10V 2V @ 250μA 6.2nC @ 5V ±20V 325pF @ 25V - 2.5W(Ta), 37W(Tc)
FDMC86520L Fairchild Semiconductor FDMC86520L -
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ECAD 9527 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-MLP(3.3x3.3) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 13.5A(Ta), 22A(Tc) 4.5V, 10V 7.9m옴 @ 13.5A, 10V 3V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 30V에서 4550pF - 2.3W(Ta), 40W(Tc)
FDP6676 Fairchild Semiconductor FDP6676 0.9800
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ECAD 20 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 84A(타) 4.5V, 10V 6m옴 @ 42A, 10V 3V @ 250μA 60nC @ 5V ±16V 15V에서 5324pF - 93W(Tc)
FDU6512A Fairchild Semiconductor FDU6512A 0.7800
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 386 N채널 20V 10.7A(Ta), 36A(Tc) 2.5V, 4.5V 21m옴 @ 10.7A, 4.5V 250μA에서 1.5V 19nC @ 4.5V ±12V 1082pF @ 10V - 3.8W(Ta), 43W(Tc)
HUFA76419S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76419S3ST -
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ECAD 1642년 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 700 N채널 60V 29A(TC) 4.5V, 10V 35m옴 @ 29A, 10V 3V @ 250μA 28nC @ 10V ±16V 25V에서 900pF - 75W(Tc)
2N7002VA Fairchild Semiconductor 2N7002VA 0.2800
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ECAD 12 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET(금속) 250mW SOT-563F 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1,078 2 N채널(듀얼) 60V 280mA 7.5옴 @ 50mA, 5V 2.5V @ 250μA - 50pF @ 25V 게임 레벨 레벨
MMBF4091 Fairchild Semiconductor MMBF4091 -
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ECAD 3799 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-MMBF4091-600039 EAR99 8541.21.0095 1
FCPF290N80 Fairchild Semiconductor FCPF290N80 3.0800
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ECAD 8 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 FCPF290 MOSFET(금속) TO-220F 다운로드 EAR99 8542.39.0001 98 N채널 800V 17A(TC) 10V 290m옴 @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 75nC @ 10V ±20V 100V에서 3205pF - 40W(Tc)
HUFA75321D3 Fairchild Semiconductor HUFA75321D3 0.3000
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ECAD 6 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 55V 20A(TC) 10V 36m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 20V ±20V 680pF @ 25V - 93W(Tc)
ZTX749 Fairchild Semiconductor ZTX749 1.0000
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ECAD 9804 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1W TO-226 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 1 25V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 2V 100MHz
FDMC8884 Fairchild Semiconductor FDMC8884 0.3300
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ECAD 441 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-MLP(3.3x3.3) 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-FDMC8884-600039 1 N채널 30V 9A(Ta), 15A(Tc) 4.5V, 10V 19m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 250μA 14nC @ 10V ±20V 15V에서 685pF - 2.3W(Ta), 18W(Tc)
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor SGR6N60UFTF 1.0000
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ECAD 1585 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 SGR6N 기준 30W TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,000 300V, 3A, 80옴, 15V - 600V 6A 25A 2.6V @ 15V, 3A 57μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) 15nC 15ns/60ns
MMBT2907-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907-D87Z 0.0300
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ECAD 494 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.21.0095 10,000 40V 800mA 20nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고