| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFD3055SM9A | 0.4600 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N채널 | 60V | 12A(TC) | 10V | 150m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 23nC @ 20V | ±20V | 25V에서 300pF | - | 53W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6035AL | 1.3600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 48A(타) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 24A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1250pF | - | 52W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC546 | 0.0400 | ![]() | 114 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G300US60HE | 73.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 892W | 기준 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | - | 600V | 300A | 2.7V @ 15V, 300A | 250μA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS240B | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 12.8A(Tc) | 10V | 180m옴 @ 6.4A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1700pF | - | 73W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSD986YS | 1.0000 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80V | 1.5A | 10μA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 1mA, 1A | 8000 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9933BZ | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS99 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.9A | 46m옴 @ 4.9A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 15nC @ 4.5V | 985pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139P3 | 0.9500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 78nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 25V | - | 165W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | RFP14N05L | 0.4000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 50V | 14A(TC) | 5V | 100m옴 @ 14A, 5V | 2V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±10V | 25V에서 670pF | - | 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842P3 | - | ![]() | 1670년 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 150V | 43A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 43A, 10V | 4V @ 250μA | 175nC @ 20V | ±20V | 2730pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS720B | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 3.3A(티제이) | 10V | 1.75옴 @ 1.65A, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±30V | 25V에서 600pF | - | 33W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | NDS336P | - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 1.2A(타) | 2.7V, 4.5V | 200m옴 @ 1.3A, 4.5V | 1V @ 250μA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 360pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2N80 | 0.7200 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 800V | 2.4A(Tc) | 10V | 6.3옴 @ 1.2A, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 550pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQP44N08 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 80V | 44A(Tc) | 10V | 34m옴 @ 22A, 10V | 4V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1430pF | - | 127W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | J112-D27Z | - | ![]() | 1960년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | - | 35V | 15V에서 5mA | 1V @ 1μA | 50옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N06_F102 | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 10V | 22m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 150nC @ 20V | ±20V | 2020pF @ 25V | - | 131W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDB3652SB82059 | 2.6000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDB3652 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631SK8T_NB82083 | 0.7100 | ![]() | 651 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 100V | 5.5A(타) | 10V | 39m옴 @ 5.5A, 10V | 4V @ 250μA | 79nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1225pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7660DC | - | ![]() | 9332 | 0.00000000 | 비교차일드 | 듀얼 쿨링™, PowerTrench® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 듀얼 쿨링™ 33 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDMC7660DC-600039 | 1 | N채널 | 30V | 30A(Ta), 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 22A, 10V | 2.5V @ 250μA | 76nC @ 10V | ±20V | 5170pF @ 15V | - | 3W(Ta), 78W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP150A | - | ![]() | 9521 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 185 | N채널 | 100V | 43A(Tc) | 40m옴 @ 21.5A, 10V | 4V @ 250μA | 97nC @ 10V | ±20V | 2270pF @ 25V | - | 193W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQP24N08 | 1.0000 | ![]() | 7566 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 80V | 24A(TC) | 10V | 60m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±25V | 25V에서 750pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76413D3 | 0.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 49m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±16V | 25V에서 645pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQP2N60 | 0.9000 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 2.4A(Tc) | 10V | 4.7옴 @ 1.2A, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 25V에서 350pF | - | 64W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB12N50FTM | 0.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDB12N | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3ST_NL | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 80V | 75A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 235nC @ 20V | ±20V | 3750pF @ 25V | - | 270W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7P06 | 0.4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P채널 | 60V | 5.3A(Tc) | 10V | 410m옴 @ 2.65A, 10V | 4V @ 250μA | 8.2nC @ 10V | ±25V | 295pF @ 25V | - | 24W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4354 | - | ![]() | 1905년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 375 | 60V | 800mA | 50nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 50 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2484 | - | ![]() | 7247 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2484 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 60V | 100mA | 10nA(ICBO) | NPN | 100μA, 1mA에서 350mV | 100 @ 10μA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS5680 | 1.0000 | ![]() | 7325 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS56 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 8A(타) | 6V, 10V | 20m옴 @ 8A, 10V | 4V @ 250μA | 42nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1850pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDD850N10L | - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 100V | 15.7A(Tc) | 5V, 10V | 75m옴 @ 12A, 10V | 2.5V @ 250μA | 28.9nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1465pF | - | 50W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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