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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQPF4N50 Fairchild Semiconductor FQPF4N50 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 35W (TC)
HGTD3N60C3S9A Fairchild Semiconductor Hgtd3n60c3s9a 0.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 33 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 480V, 3A, 82OHM, 15V - 600 v 6 a 24 a 2V @ 15V, 3A 85µJ (on), 245µJ (OFF) 10.8 NC -
SGR6N60UFTM Fairchild Semiconductor sgr6n60uftm 1.0000
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 sgr6n 기준 30 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 3A, 80ohm, 15V - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (on), 25µJ (OFF) 15 NC 15ns/60ns
FGH50N6S2 Fairchild Semiconductor FGH50N6S2 5.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 463 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 150 390v, 30a, 3ohm, 15v - 600 v 75 a 240 a 2.7V @ 15V, 30A 260µJ (on), 250µJ (OFF) 70 NC 13ns/55ns
FGH75N60SFTU Fairchild Semiconductor fgh75n60sftu -
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 452 W. TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 75A, 3ohm, 15V 현장 현장 600 v 150 a 225 a 2.9V @ 15V, 75A 2.7mj (on), 1mj (Off) 250 NC 26ns/138ns
FQD2N60CTF Fairchild Semiconductor fqd2n60ctf -
RFQ
ECAD 1877 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 510 n 채널 600 v 1.9A (TC) 10V 4.7ohm @ 950ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 235 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
FQPF2NA90 Fairchild Semiconductor FQPF2NA90 -
RFQ
ECAD 4799 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 364 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 5.8ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 25 v - 39W (TC)
TIP31 Fairchild Semiconductor 팁 31 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,200 40 v 3 a 300µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
HUF75344S3ST Fairchild Semiconductor HUF75344S3ST 0.6700
RFQ
ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 20 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 285W (TC)
NZT6728 Fairchild Semiconductor NZT6728 0.1000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 60 v 1.2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
KSA642GBU Fairchild Semiconductor KSA642GBU 0.0200
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,726 25 v 300 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 200 @ 50MA, 1V -
FDD6796 Fairchild Semiconductor FDD6796 0.6100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 20A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2315 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 42W (TC)
FDP5N50 Fairchild Semiconductor FDP5N50 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 640 pf @ 25 v - 85W (TC)
KSC945CYBU Fairchild Semiconductor KSC945CYBU 0.0300
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 9,723 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 1ma, 6V 300MHz
FQI3N30TU Fairchild Semiconductor fqi3n30tu 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 3.2A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.6a, 10V 5V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 55W (TC)
SGR15N40LTF Fairchild Semiconductor sgr15n40ltf -
RFQ
ECAD 2207 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SGR15 기준 45 W. TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 도랑 400 v 130 a 8V @ 4.5V, 130A - -
HUFA76633S3ST Fairchild Semiconductor hufa7663s3st 1.0100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 16V 1820 pf @ 25 v - 145W (TC)
HUF76445S3ST Fairchild Semiconductor HUF76445S3ST 1.4000
RFQ
ECAD 385 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 16V 4965 pf @ 25 v - 310W (TC)
FGI40N60SFTU Fairchild Semiconductor fgi40n60sftu 3.3100
RFQ
ECAD 900 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 290 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 40A, 10ohm, 15V 현장 현장 600 v 80 a 120 a 2.9V @ 15V, 40A 1.13mj (on), 310µj (OFF) 120 NC 25ns/115ns
FQAF14N30 Fairchild Semiconductor FQAF14N30 1.0400
RFQ
ECAD 310 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 310 n 채널 300 v 11.4A (TC) 10V 290mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1360 pf @ 25 v - 90W (TC)
2N5639 Fairchild Semiconductor 2N5639 0.3200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 310 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30 v 10pf @ 12v (vgs) 35 v 25 ma @ 20 v 60 옴
KSB1116YTA Fairchild Semiconductor KSB1116YTA 0.0500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50ma, 1a 135 @ 100MA, 2V 120MHz
FDD2612 Fairchild Semiconductor FDD2612 0.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 4.9A (TA) 10V 720mohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 234 pf @ 100 v - 42W (TA)
FDW2512NZ Fairchild Semiconductor FDW2512NZ 0.5500
RFQ
ECAD 213 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6A 28mohm @ 6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12NC @ 4.5V 670pf @ 10V 논리 논리 게이트
SGP40N60UFTU Fairchild Semiconductor sgp40n60uftu 3.7800
RFQ
ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SGP40 기준 160 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 300V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.6V @ 15V, 20A 160µJ (on), 200µJ (OFF) 97 NC 15ns/65ns
FQAF16N25 Fairchild Semiconductor FQAF16N25 0.9200
RFQ
ECAD 682 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 12.4A (TC) 10V 230mohm @ 6.2A, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 85W (TC)
FQI2N30TU Fairchild Semiconductor fqi2n30tu 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 2.1A (TC) 10V 3.7ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 40W (TC)
FQI6N40CTU Fairchild Semiconductor fqi6n40ctu 0.2900
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 140 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 73W (TC)
FDB6676 Fairchild Semiconductor FDB6676 0.7800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 42A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 5324 pf @ 15 v - 93W (TC)
HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor HGTP20N35G3VL 1.3700
RFQ
ECAD 326 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 논리 150 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 380 v 20 a 2.8V @ 5V, 20A - 28.7 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고