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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FDP5680	1.6500	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		60V	40A(Tc)	6V, 10V	20m옴 @ 20A, 10V	4V @ 250μA	46nC @ 10V	±20V	25V에서 1850pF	-	65W(Tc)
KSE13003-AS	0.1400	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				20W		TO-126-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,219																400V	1.5A						-		NPN	3V @ 500mA, 1.5A	8 @ 500mA, 2V	4MHz
FCH110N65F-F155	4.5300	보상요청	69	비교차일드	FRFET®, SuperFET® II	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)			TO-247-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	69		N채널		650V	35A(Tc)	10V	110m옴 @ 17.5A, 10V	5V @ 3.5mA	145nC @ 10V	±20V	100V에서 4895pF	-	357W(Tc)
D44H8	-	보상요청	2482	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	D44H8			2W		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	630																60V	10A						10μA		NPN	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4A, 1V	50MHz
FQP8N90C	1.0000	보상요청	8403	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		900V	6.3A(Tc)	10V	1.9옴 @ 3.15A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±30V	2080pF @ 25V	-	171W(Tc)
KSC2330OTA	0.0700	보상요청	105	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드)	KSC2330			1W		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																300V	100mA						100nA(ICBO)		NPN	500mV @ 1mA, 10mA	70 @ 20mA, 10V	50MHz
FDMS8672AS	0.5900	보상요청	41	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)			8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널		30V	18A(타), 28A(Tc)	4.5V, 10V	5m옴 @ 18A, 10V	3V @ 1mA	40nC @ 10V	±20V	2600pF @ 15V	-	2.5W(Ta), 70W(Tc)
IRF830B	0.5400	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		500V	4.5A(Tc)	10V	1.5옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±30V	25V에서 1050pF	-	73W(Tc)
NDS9430	0.6400	보상요청	112	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널		30V	5.3A(타)	4.5V, 10V	60m옴 @ 5.3A, 10V	3V @ 250μA	14nC @ 10V	±20V	528pF @ 15V	-	2.5W(타)
HGT1S7N60A4DS	-	보상요청	2626	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		125W		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			390V, 7A, 25옴, 15V											34ns	-	600V	34A	56A	2.7V @ 15V, 7A	55μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐)	37nC	11ns/100ns
FQA34N20L	1.3900	보상요청	669	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)			TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30		N채널		200V	34A(티씨)	5V, 10V	75m옴 @ 17A, 10V	2V @ 250μA	72nC @ 5V	±20V	3900pF @ 25V	-	210W(Tc)
FQB10N20LTM	0.5900	보상요청	5050	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	457		N채널		200V	10A(TC)	5V, 10V	360m옴 @ 5A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 5V	±20V	25V에서 830pF	-	3.13W(Ta), 87W(Tc)
FQH18N50V2	3.0300	보상요청	4	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)			TO-247	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	450		N채널		500V	20A(TC)	10V	265m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	55nC @ 10V	±30V	3290pF @ 25V	-	277W(Tc)
FDU044AN03L	0.9800	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)			아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,800		N채널		30V	21A(타), 35A(Tc)	4.5V, 10V	3.9m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	118nC @ 10V	±20V	15V에서 5160pF	-	160W(Tc)
FJAF6810DTU	1.5300	보상요청	2	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩				60W		TO-3PF	다운로드	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	30																750V	10A						1mA		NPN	3V @ 1.5A, 6A	5 @ 6A, 5V	-
FMG1G400US60L	104.0200	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준				1136W	기준	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1	하나의														-	600V	400A		2.7V @ 15V, 400A				250μA	아니요
BC548BTA	0.0400	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW		TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	8,662																30V	100mA						15nA(ICBO)		NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	300MHz
KSA1220YSTU	-	보상요청	6049	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				1.2W		TO-126	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	918																120V	1.2A						1μA(ICBO)		PNP	700mV @ 200mA, 1A	160 @ 300mA, 5V	175MHz
FDD8896-F085	0.4500	보상요청	973	비교차일드	자동차, AEC-Q101, PowerTrench®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		30V	17A(타), 94A(Tc)	4.5V, 10V	5.7m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	60nC @ 10V	±20V	2525pF @ 15V	-	80W(Tc)
BC33840BU	0.0200	보상요청	21	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,000																25V	800mA						100nA		NPN	700mV @ 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 1V	100MHz
HGTD3N60C3S9A	0.4000	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		기준		33W		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			480V, 3A, 82옴, 15V												-	600V	6A	24A	2V @ 15V, 3A	85μJ(켜짐), 245μJ(꺼짐)	10.8nC	-
BC547BBU	-	보상요청	5621	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				500mW		TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																45V	100mA						15nA(ICBO)		NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	300MHz
HUF75639S3	-	보상요청	3715	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HUF75639S3-600039			1		N채널		100V	56A(티씨)	10V	25m옴 @ 56A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 20V	±20V	2000pF @ 25V	-	200W(Tc)
FDS9934C	-	보상요청	2274	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	FDS9934		MOSFET(금속)	900mW		8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N 및 P 채널			20V	6.5A, 5A		30m옴 @ 6.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	9nC @ 4.5V		650pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FDMC7660S	0.6100	보상요청	9	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)			파워33	다운로드					EAR99	8541.29.0095	491		N채널		30V	20A(Ta), 40A(Tc)	4.5V, 10V	2.2m옴 @ 20A, 10V	2.5V @ 1mA	66nC @ 10V	±20V	4325pF @ 15V	-	2.3W(Ta), 41W(Tc)
HUF75332P3_NL	-	보상요청	7342	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		55V	60A(Tc)	10V	19m옴 @ 60A, 10V	4V @ 250μA	85nC @ 20V	±20V	25V에서 1300pF	-	145W(Tc)
KSA916YBU	0.0500	보상요청	7508	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리				900mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	4,881																120V	800mA						100nA(ICBO)		PNP	1V @ 50mA, 500mA	120 @ 100mA, 5V	120MHz
FDPF5N50TYDTU	0.6000	보상요청	51	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드			MOSFET(금속)			TO-220F (LG형)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		500V	5A(Tc)	10V	1.4옴 @ 2.5A, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 640pF	-	28W(Tc)
FDU7N60NZTU	-	보상요청	4942	비교차일드	UniFET-II™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)			아이팩	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		600V	5.5A(Tc)	10V	1.25옴 @ 2.75A, 10V	5V @ 250μA	17nC @ 10V	±25V	25V에서 730pF	-	90W(Tc)
FQB70N10TM	-	보상요청	9023	비교차일드	QFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널		100V	57A (Tc)	10V	23m옴 @ 28.5A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±25V	3300pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 160W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²