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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FQP3N90	0.5900	보상요청	22	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널	900V	3.6A(Tc)	10V	4.25옴 @ 1.8A, 10V	5V @ 250μA	26nC @ 10V	±30V	25V에서 910pF	-	130W(Tc)
RFD8P05SM	1.0000	보상요청	7129	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	75		P채널	50V	8A(TC)		300m옴 @ 8A, 10V	4V @ 250μA	80nC @ 20V			-
IRF710	0.3700	보상요청	19	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	400V	2A(TC)		3.6옴 @ 1.1A, 10V	4V @ 250μA	12nC @ 10V	±20V	25V에서 135pF	-	36W(Tc)
FDMC15N06	-	보상요청	1274	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN		MOSFET(금속)		8-MLP(3.3x3.3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널	55V	2.4A(Ta), 15A(Tc)	10V	900m옴 @ 15A, 10V	4V @ 250μA	11.5nC @ 10V	±20V	25V에서 350pF	-	2.3W(Ta), 35W(Tc)
FQPF28N15	0.8300	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	150V	16.7A(Tc)	10V	90m옴 @ 8.35A, 10V	4V @ 250μA	52nC @ 10V	±25V	25V에서 1600pF	-	60W(Tc)
SFW9Z24TM	0.4300	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800		P채널	60V	9.7A(Tc)	10V	280m옴 @ 4.9A, 10V	4V @ 250μA	19nC @ 10V	±30V	25V에서 600pF	-	3.8W(Ta), 49W(Tc)
FDC658AP	-	보상요청	5488	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	FDC658	MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		P채널	30V	4A(타)	4.5V, 10V	50m옴 @ 4A, 10V	3V @ 250μA	8.1nC @ 5V	±25V	470pF @ 15V	-	1.6W(타)
SI4532DY	-	보상요청	3306	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	SI4532	MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	N 및 P 채널		30V	3.9A, 3.5A		65m옴 @ 3.9A, 10V	3V @ 250μA	15nC @ 10V		235pF @ 10V	-
MPSA05RA	0.0700	보상요청	5	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	5,829													60V	500mA	100μA(ICBO)	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
FGB3236	1.2600	보상요청	18	비교차일드	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	800
BC859B	0.0800	보상요청	75	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250mW	SOT-23-3(TO-236)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000													30V	100mA	15nA(ICBO)	PNP	650mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2mA, 5V	100MHz
FDS6670AS	1.0000	보상요청	7291	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	FDS66	MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널	30V	13.5A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 13.5A, 10V	3V @ 1mA	38nC @ 10V	±20V	1540pF @ 15V	-	2.5W(타)
FQP13N06	0.3100	보상요청	79	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	60V	13A(티씨)	10V	135m옴 @ 6.5A, 10V	4V @ 250μA	7.5nC @ 10V	±25V	310pF @ 25V	-	45W(Tc)
HUF76633S3ST	0.5000	보상요청	12	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널	100V	39A(Tc)	4.5V, 10V	35m옴 @ 39A, 10V	3V @ 250μA	67nC @ 10V	±16V	25V에서 1820pF	-	145W(Tc)
FQAF70N15	2.3700	보상요청	925	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360		N채널	150V	44A(Tc)	10V	28m옴 @ 22A, 10V	4V @ 250μA	175nC @ 10V	±25V	5400pF @ 25V	-	130W(Tc)
FDD16AN08A0	-	보상요청	5862	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)			다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널	75V	9A(Ta), 50A(Tc)	6V, 10V	16m옴 @ 50A, 10V	4V @ 250μA	47nC @ 10V	±20V	25V에서 1874pF	-	135W(Tc)
FQP6N80C	-	보상요청	8405	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널	800V	5.5A(Tc)	10V	2.5옴 @ 2.75A, 10V	5V @ 250μA	30nC @ 10V	±30V	25V에서 1310pF	-	158W(Tc)
HUFA75344S3	1.0400	보상요청	9	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널	55V	75A(Tc)	10V	8m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	210nC @ 20V	±20V	3200pF @ 25V	-	285W(Tc)
FCI25N60N	-	보상요청	9481	비교차일드	슈프리모스™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	FCI25	MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널	600V	25A(TC)	10V	125m옴 @ 12.5A, 10V	4V @ 250μA	74nC @ 10V	±30V	100V에서 3352pF	-	216W(Tc)
FDS7788	2.6000	보상요청	73	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	30V	18A(타)	4.5V, 10V	4m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	48nC @ 5V	±20V	15V에서 3845pF	-	2.5W(타)
FQI13N06TU	0.3100	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	60V	13A(티씨)	10V	135m옴 @ 6.5A, 10V	4V @ 250μA	7.5nC @ 10V	±25V	310pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 45W(Tc)
FJA4213RTU	2.6300	보상요청	8519	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			130W	TO-3P	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1													250V	17A	5μA(ICBO)	PNP	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30MHz
HUFA75637P3	0.6000	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널	100V	44A(Tc)	10V	30m옴 @ 44A, 10V	4V @ 250μA	108nC @ 20V	±20V	25V에서 1700pF	-	155W(Tc)
FQA6N90	1.0000	보상요청	2704	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	450		N채널	900V	6.4A(Tc)	10V	1.9옴 @ 3.2A, 10V	5V @ 250μA	52nC @ 10V	±30V	1880pF @ 25V	-	198W(Tc)
SI4425DY	-	보상요청	9161	비교차일드	파워트렌치™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널	30V	11A(타)	4.5V, 10V	14m옴 @ 11A, 10V	3V @ 250μA	42nC @ 5V	±20V	15V에서 3000pF	-	1W(타)
KSB1116YBU	1.0000	보상요청	6782	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			750mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	10,000													50V	1A	100nA(ICBO)	PNP	300mV @ 50mA, 1A	135 @ 100mA, 2V	120MHz
IRFR120	0.4200	보상요청	990	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		D-박	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-IRFR120-600039			1		N채널	100V	7.7A(Tc)	10V	270m옴 @ 4.6A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±20V	360pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 42W(Tc)
FQD2N60TF	0.5100	보상요청	7	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널	600V	2A(TC)	10V	4.7옴 @ 1A, 10V	5V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	25V에서 350pF	-	2.5W(Ta), 45W(Tc)
FJP3305H1TU	0.3700	보상요청	87	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			75W	TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	817													400V	4A	1μA(ICBO)	NPN	1V @ 1A, 4A	8 @ 2A, 5V	4MHz
NVD6416ANLT4G	1.0000	보상요청	2571	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	100V	19A(TC)	4.5V, 10V	74m옴 @ 19A, 10V	2.2V @ 250μA	40nC @ 10V	±20V	25V에서 1000pF	-	71W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²