| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D45H2A | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | D45H | 60W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 8A | 10μA(ICBO) | PNP | 1V @ 400mA, 8A | 100 @ 8A, 5V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2690YSTU | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.2W | TO-126-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-KSC2690YSTU-600039 | 1,750 | 120V | 1.2A | 1μA(ICBO) | NPN | 700mV @ 200mA, 1A | 160 @ 300mA, 5V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4092 | - | ![]() | 5834 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF40 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | N채널 | 16pF @ 20V | 40V | 20V에서 15mA | 2V @ 1nA | 50옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5019MTA | 0.0700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSC5019 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 10V | 2A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 2A | 140 @ 500mA, 1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6729 | 1.0000 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | NZT67 | 1W | SOT-223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 4,000 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR310BTF | 0.1200 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,215 | N채널 | 400V | 1.7A(Tc) | 10V | 3.4옴 @ 850mA, 10V | 4V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±30V | 330pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 26W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1589YTU | - | ![]() | 7680 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 1.5W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 970 | 100V | 5A | 1μA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 3mA, 3A | 5000 @ 3A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB798GTF | 0.1400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 2W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 25V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 100mA, 1A | 200 @ 100mA, 1V | 110MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50FT | 0.9100 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 331 | N채널 | 500V | 4.5A(Tc) | 10V | 1.55옴 @ 2.25A, 10V | 5V @ 250μA | 8nC @ 10V | ±30V | 25V에서 700pF | - | 28W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6517CTA | 1.0000 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 400V | 500mA | 50nA(ICBO) | NPN | 1V @ 5mA, 50mA | 20 @ 50mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF721T1G | - | ![]() | 2316 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 300V | 50mA | 10nA(ICBO) | PNP | 800mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222ARP | - | ![]() | 7038 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2222 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 1A | 10nA | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA92 | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300V | 500mA | 250nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76113T3ST | 0.5500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 4.7A(타) | 4.5V, 10V | 31m옴 @ 4.7A, 10V | 3V @ 250μA | 20.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 625pF | - | 1.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60 | - | ![]() | 5436 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오후 25시~AA | 89W | 삼상 다리 정류기 | 오후 25시~AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 브레이크가 있는 3상인터 | - | 600V | 20A | 2.7V @ 15V, 20A | 250μA | 예 | 30V에서 1.277nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA6N80 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 800V | 6.3A(Tc) | 10V | 1.95옴 @ 3.15A, 10V | 5V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1500pF | - | 185W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2509NZ | 0.4600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | FDW25 | MOSFET(금속) | 1.1W(타) | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(이중) 시작 | 20V | 7.1A(타) | 20m옴 @ 7.1A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 19nC @ 4.5V | 1263pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP210-TL-E | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FP210-TL-E-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76437S3ST | 0.5200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 71A, 10V | 3V @ 250μA | 71nC @ 10V | ±16V | 2230pF @ 25V | - | 155W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI32N20CTU | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 200V | 28A(TC) | 10V | 82m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±30V | 2220pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445 | - | ![]() | 5935 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDB8445 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 3805pF @ 25V | - | 92W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80816MTF | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25V | 800mA | 100nA | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ARA | 0.0200 | ![]() | 1868년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PN2907 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 60V | 800mA | 50nA | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF6P25 | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 250V | 4.2A(Tc) | 10V | 1.1옴 @ 2.1A, 10V | 5V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±30V | 25V에서 780pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N | 1.2700 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 16A(타) | 4.5V | 7.5m옴 @ 16A, 4.5V | 2V @ 250μA | 48nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 3355pF | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGS6N60UFDTU | 1.0000 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | SGS6N | 기준 | 22W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 3A, 80옴, 15V | 52ns | - | 600V | 6A | 25A | 2.6V @ 15V, 3A | 57μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) | 15nC | 15ns/60ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75309D3S | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 55V | 19A(TC) | 70m옴 @ 19A, 10V | 4V @ 250μA | 24nC @ 20V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 55W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2669YTA | 0.0200 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | 200mW | TO-92S | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,752 | 30V | 30mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP032N08B | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDP032N08B-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76105SK8T | 0.3300 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 5.5A(타) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 5.5A, 10V | 3V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±20V | 325pF @ 25V | - | 2.5W(타) |

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