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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
SS9013GBU Fairchild Semiconductor SS9013GBU 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 112 @ 50MA, 1V -
FGH30N120FTDTU Fairchild Semiconductor fgh30n120ftdtu 1.0000
RFQ
ECAD 7432 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 339 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 150 - 730 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 60 a 90 a 2V @ 15V, 30A - 208 NC -
FDMC6683 Fairchild Semiconductor FDMC6683 -
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 0000.00.0000 1 p 채널 20 v 12A (TA), 18A (TC) 1.8V, 5V 8.3mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 114 NC @ 4.5 v ± 8V 7835 pf @ 10 v - 2.3W (TA), 41W (TC)
FDS6912 Fairchild Semiconductor FDS6912 0.9000
RFQ
ECAD 79 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TA) 28mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 5v 740pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powerwdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 11.5A, 12A 11.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V 논리 논리 게이트
HUFA75321D3ST Fairchild Semiconductor hufa75321d3st 0.4200
RFQ
ECAD 79 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
FQPF5N90 Fairchild Semiconductor FQPF5N90 1.4700
RFQ
ECAD 450 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 205 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 2.3ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1550 pf @ 25 v - 51W (TC)
2N4403RP Fairchild Semiconductor 2N4403RP 0.0200
RFQ
ECAD 349 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4403 625 MW To-92 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 60 @ 1ma, 10V 200MHz
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
FJNS4202RTA Fairchild Semiconductor FJNS4202RTA 0.0200
RFQ
ECAD 477 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns42 300MW 92S 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
FGS15N40LTF Fairchild Semiconductor FGS15N40LTF 0.5100
RFQ
ECAD 161 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 기준 2 w 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 도랑 400 v 130 a 8V @ 4V, 130A - -
KSC2690YSTU Fairchild Semiconductor KSC2690YSTU 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 1.2 w TO-126-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-KSC2690YSTU-600039 1,750 120 v 1.2 a 1µA (ICBO) NPN 700mv @ 200ma, 1a 160 @ 300ma, 5V 155MHz
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 7a, 5a 30mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 26NC @ 10V 575pf @ 15V 논리 논리 게이트
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0.0600
RFQ
ECAD 620 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 1 W. To-92-3 다운로드 0000.00.0000 5,124 25 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80ma, 800ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BD1396STU Fairchild Semiconductor BD1396STU 0.2000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD139 1.25 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 80 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
KSC1008YBU Fairchild Semiconductor KSC1008YBU 0.0600
RFQ
ECAD 390 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 5,323 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FGH50N6S2D Fairchild Semiconductor fgh50n6s2d 10.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 463 w TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 29 390v, 30a, 3ohm, 15v 55 ns - 600 v 75 a 240 a 2.7V @ 15V, 30A 260µJ (on), 250µJ (OFF) 70 NC 13ns/55ns
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 15,000 140 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
KSC1674OTA Fairchild Semiconductor KSC1674OTA 0.0200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 250MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 - 20V 20MA NPN 70 @ 1ma, 6V 600MHz 3DB ~ 5dB @ 100MHz
FDP6035AL Fairchild Semiconductor FDP6035AL 1.3600
RFQ
ECAD 106 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 48A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 24A, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 52W (TC)
ISL9N312AD3STNL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3STNL -
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 150 n 채널 30 v 50A (TC) 12MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 15 v - 75W (TA)
FQAF19N20 Fairchild Semiconductor FQAF19N20 0.8300
RFQ
ECAD 684 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 200 v 15A (TC) 10V 150mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 85W (TC)
FDS6676AS Fairchild Semiconductor FDS6676AS 0.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 614 n 채널 30 v 14.5A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 14.5A, 10V 3V @ 1mA 63 NC @ 10 v ± 20V 2510 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BC238BBU Fairchild Semiconductor BC238BBU 0.0200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 - Rohs3 준수 2156-BC238BBU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
BD159STU Fairchild Semiconductor BD159STU -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD159 20 W. TO-126-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 350 v 500 MA 100µA (ICBO) NPN - 30 @ 50MA, 10V -
KSC1623YMTF Fairchild Semiconductor KSC1623YMTF 0.0200
RFQ
ECAD 939 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC1623 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 135 @ 1ma, 6V 250MHz
FP7G50US60 Fairchild Semiconductor FP7G50US60 28.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 EPM7 250 W. 기준 EPM7 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 11 반 반 - 600 v 50 a 2.8V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 2.92 NF @ 30 v
FDI8441 Fairchild Semiconductor FDI8441 1.5600
RFQ
ECAD 75 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 26A (TA), 80A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15 pf @ 25 v - 300W (TC)
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 50A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 250ma 51 NC @ 4.5 v ± 12V 2418 pf @ 15 v - 83W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고