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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
NSBA144EDXV6T1G	0.0900	보상요청	36	비교차일드	*	대부분	활동적인					NSBA144						다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NSBA144EDXV6T1G-600039	EAR99	8541.21.0095	3,761
FDP55N06	-	보상요청	6365	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널					60V	55A(Tc)	10V	22m옴 @ 27.5A, 10V	4V @ 250μA	37nC @ 10V	±25V	25V에서 1510pF	-	114W(Tc)
MMBTA14-NB05232	0.1400	보상요청	21	비교차일드	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.21.0075	3,000
FDB4020P	0.7500	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		P채널					20V	16A(타)	2.5V, 4.5V	80m옴 @ 8A, 4.5V	1V @ 250μA	13nC @ 4.5V	±8V	10V에서 665pF	-	37.5W(Tc)
FCPF190N60-F152	-	보상요청	5550	비교차일드	SuperFET® II	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220F-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FCPF190N60-F152	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					600V	20.2A(Tc)	10V	199m옴 @ 10A, 10V	250μA에서 3.5V	74nC @ 10V	±20V	2950pF @ 25V	-	39W(Tc)
NDS9959	0.4700	보상요청	7722	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	NDS995			MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 N채널(듀얼)						50V	2A		300m옴 @ 1.5A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V		250pF @ 25V	-
FQPF4N80	0.8300	보상요청	4136	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	334		N채널					800V	2.2A(Tc)	10V	3.6옴 @ 1.1A, 10V	5V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 880pF	-	43W(Tc)
HUF75631SK8	0.9500	보상요청	4	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널					100V	5.5A(타)	10V	39m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	79nC @ 20V	±20V	25V에서 1225pF	-	2.5W(타)
IRFS254BFP001	0.2700	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널					250V	16A(티씨)	10V	140m옴 @ 8A, 10V	4V @ 250μA	123nC @ 10V	±30V	3400pF @ 25V	-	90W(Tc)
BC32740BU	-	보상요청	3513	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	52																			45V	800mA									100nA		PNP	700mV @ 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 1V	100MHz
FJPF6806DTU	-	보상요청	7696	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩					40W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																			750V	6A									1mA		NPN	5V @ 1A, 4A	4 @ 4A, 5V	-
HUF76113DK8T	0.5100	보상요청	77	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VFSOP(0.091", 2.30mm 폭)	HUF76113			MOSFET(금속)	2.5W(타)	US8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)						30V	6A(타)		32m옴 @ 6A, 10V	3V @ 250μA	19.2nC @ 10V		605pF @ 25V	게임 레벨 레벨
FQU3P20TU	1.0100	보상요청	13	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA				MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	70		P채널					200V	2.4A(Tc)	10V	2.7옴 @ 1.2A, 10V	5V @ 250μA	8nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	2.5W(Ta), 37W(Tc)
FQAF19N60	2.6500	보상요청	681	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360		N채널					600V	11.2A(Tc)	10V	380m옴 @ 5.6A, 10V	5V @ 250μA	90nC @ 10V	±30V	3600pF @ 25V	-	120W(Tc)
SI3948DV	-	보상요청	3735	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	SI3948			MOSFET(금속)	700mW(타)	SuperSOT™-6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)						30V	2.5A(타)		145m옴 @ 2A, 4.5V	3V @ 250μA	3.2nC @ 5V		220pF @ 15V	게임 레벨 레벨
FDMC7200	-	보상요청	9382	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	FDMC72			MOSFET(금속)	700mW, 900mW	8-전원33(3x3)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널(듀얼)						30V	6A, 8A		23.5m옴 @ 6A, 10V	3V @ 250μA	10nC @ 10V		660pF @ 15V	게임 레벨 레벨
BC557BTF	-	보상요청	5902	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					500mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	934																			45V	100mA									15nA(ICBO)		PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	150MHz
HGT1S20N36G3VL	1.8700	보상요청	58	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		논리			150W	I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400				300V, 10A, 25옴, 5V														-	395V	37.7A	1.9V @ 5V, 20A	-	28.7nC	-/15μs
BC80825MTF	0.0400	보상요청	15	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																			25V	800mA									100nA		PNP	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
HUFA76432S3ST	0.5100	보상요청	2	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널					60V	59A (Tc)	4.5V, 10V	17m옴 @ 59A, 10V	3V @ 250μA	53nC @ 10V	±16V	25V에서 1765pF	-	130W(Tc)
MMBF5484	-	보상요청	6373	비교차일드	-	대부분	활동적인	25V		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			400MHz	JFET		SOT-23-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	N채널		5mA		-	-											4dB								15V
JFTJ105	-	보상요청	9816	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA					1W	SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널												-												25V	15V에서 500mA	4.5V @ 1μA		3옴
NDS9953A	0.5700	보상요청	282	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	NDS995			MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)						30V	2.9A		130m옴 @ 1A, 10V	2.8V @ 250μA	25nC @ 10V		350pF @ 10V	게임 레벨 레벨
KSC1623YMTF	0.0200	보상요청	939	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KSC1623				200mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																			50V	100mA									100nA(ICBO)		NPN	300mV @ 10mA, 100mA	135@1mA, 6V	250MHz
MPSH24	-	보상요청	3934	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,322																			30V	50mA									50nA(ICBO)		NPN	-	30 @ 8mA, 10V	400MHz
FQNL2N50BBU	-	보상요청	4931	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드)				MOSFET(금속)		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	6,000		N채널					500V	350mA(Tc)	10V	5.3옴 @ 175mA, 10V	250μA에서 3.7V	8nC @ 10V	±30V	230pF @ 25V	-	1.5W(Tc)
FDS4470	0.9100	보상요청	194	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드					EAR99	8541.29.0095	329		N채널					40V	12.5A(타)	10V	9m옴 @ 12.5A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	+30V, -20V	20V에서 2659pF	-	2.5W(타)
BD14010S	1.0000	보상요청	6439	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3					1.25W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	250																			80V	1.5A									100nA(ICBO)		PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FQPF8N80CYDTU	1.2100	보상요청	417	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드				MOSFET(금속)		TO-220F-3 (Y-형)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	249		N채널					800V	8A(TC)	10V	1.55옴 @ 4A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±30V	2050pF @ 25V	-	59W(Tc)
BC238BBU	0.0200	보상요청	5464	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수			2156-BC238BBU-FS	EAR99	8541.21.0075	1,000																			25V	100mA									15nA		NPN	600mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2mA, 5V	250MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²