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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
IRF614BFP001	1.0000	보상요청	7644	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널		250V	2.8A(Tc)		2옴 @ 1.4A, 10V	4V @ 250μA	10.5nC @ 10V	±30V	275pF @ 25V	-	40W(Tc)
FQA13N50C	2.0800	보상요청	9	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	450		N채널		500V	13.5A(Tc)	10V	480m옴 @ 6.75A, 10V	4V @ 250μA	56nC @ 10V	±30V	2055pF @ 25V	-	218W(Tc)
SGP5N60RUFTU	0.5100	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	SGP6N	기준		60W	TO-220	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			300V, 5A, 40옴, 15V												-	600V	8A	15A	2.8V @ 15V, 5A		24nC	13ns/34ns
FJY3015R	0.0200	보상요청	19	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-89, SOT-490	FJY301				SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA						100nA(ICBO)	NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	33 @ 10mA, 5V	250MHz	2.2kΩ	10kΩ
IRLR120ATF	0.6100	보상요청	30	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널		100V	8.4A(Tc)	5V	220m옴 @ 4.2A, 5V	2V @ 250μA	15nC @ 5V	±20V	25V에서 440pF	-	2.5W(Ta), 35W(Tc)
FDBL86210	-	보상요청	8016	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDBL862		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	2,000												-
TN6717A	0.1200	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN6717			1W	TO-226-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																80V	1.2A						100nA(ICBO)	NPN	350mV @ 10mA, 250mA	50 @ 250mA, 1V	-
FDD8424H-F085A	-	보상요청	8930	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD	FDD8424		MOSFET(금속)	1.3W	TO-252-4	다운로드	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	50	N 및 P 채널			40V	9A, 6.5A		24m옴 @ 9A, 10V	3V @ 250μA	20nC @ 10V		1000pF @ 20V	게임 레벨 레벨
HGTG11N120CND	-	보상요청	3823	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		298W	TO-247	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			960V, 11A, 10옴, 15V											70ns	NPT	1200V	43A	80A	2.4V @ 15V, 11A	950μJ(켜짐), 1.3mJ(꺼짐)	100nC	23ns/180ns
FDS7064N	1.2700	보상요청	65	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		30V	16A(타)	4.5V	7.5m옴 @ 16A, 4.5V	2V @ 250μA	48nC @ 4.5V	±12V	15V에서 3355pF	-	3W(타)
FDW2509NZ	0.4600	보상요청	220	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)	FDW25		MOSFET(금속)	1.1W(타)	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(이중) 시작			20V	7.1A(타)		20m옴 @ 7.1A, 4.5V	250μA에서 1.5V	19nC @ 4.5V		1263pF @ 10V	-
FP210-TL-E	0.2400	보상요청	4	비교차일드	*	대부분	활동적인									다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FP210-TL-E-600039			1
FDB8445	-	보상요청	5935	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDB8445	EAR99	8541.29.0095	1		N채널		40V	70A(Tc)	10V	9m옴 @ 70A, 10V	4V @ 250μA	62nC @ 10V	±20V	3805pF @ 25V	-	92W(Tc)
KSC2669YTA	0.0200	보상요청	9489	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어				200mW	TO-92S	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,752																30V	30mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
PN2907ARA	0.0200	보상요청	1868년	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	PN2907			625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	4,000																60V	800mA						50nA	PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
PZTA64	0.1500	보상요청	76	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				1W	SOT-223-4	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1,994																30V	1.2A						100nA(ICBO)	PNP-달링턴	1.5V @ 100μA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125MHz
HUF75309D3S	0.2900	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	1,800		N채널		55V	19A(TC)		70m옴 @ 19A, 10V	4V @ 250μA	24nC @ 20V	±20V	25V에서 350pF	-	55W(Tc)
FQI32N20CTU	0.9800	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		200V	28A(TC)	10V	82m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±30V	2220pF @ 25V	-	3.13W(Ta), 156W(Tc)
FDB33N25TM	-	보상요청	7869	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		250V	33A(티씨)	10V	94m옴 @ 16.5A, 10V	5V @ 250μA	48nC @ 10V	±30V	2135pF @ 25V	-	235W(Tc)
FQA19N60	-	보상요청	1324	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		600V	18.5A(Tc)	10V	380m옴 @ 9.3A, 10V	5V @ 250μA	90nC @ 10V	±30V	3600pF @ 25V	-	300W(Tc)
338년	0.0400	보상요청	8136	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	258																25V	800mA						100nA	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
PN3642	0.0500	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																45V	500mA						50nA	NPN	220mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
HUF75345S3S	1.0000	보상요청	1906년	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)
FQPF3N90	1.2300	보상요청	53	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		900V	2.1A(Tc)	10V	4.25옴 @ 1.05A, 10V	5V @ 250μA	26nC @ 10V	±30V	25V에서 910pF	-	43W(Tc)
FDP8443	1.2300	보상요청	12	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		40V	20A(타), 80A(Tc)	10V	3.5m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	185nC @ 10V	±20V	25V에서 9310pF	-	188W(Tc)
ISL9N312AD3ST_NL	-	보상요청	9363	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252AA	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	184		N채널		30V	50A(Tc)	4.5V, 10V	12m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	38nC @ 10V	±20V	15V에서 1450pF	-	75W(타)
FQB7N65CTM	1.4400	보상요청	7	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		650V	7A(TC)	10V	1.4옴 @ 3.5A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±30V	25V에서 1245pF	-	173W(Tc)
IRFP150A	-	보상요청	9521	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	185		N채널		100V	43A(Tc)		40m옴 @ 21.5A, 10V	4V @ 250μA	97nC @ 10V	±20V	2270pF @ 25V	-	193W(Tc)
FDMS0308CS	1.5000	보상요청	14	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널		30V	22A(타)		3m옴 @ 21A, 10V	3V @ 1mA	66nC @ 10V		15V에서 4225pF	-	2.5W(Ta), 65W(Tc)
FDS4470	0.9100	보상요청	194	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드					EAR99	8541.29.0095	329		N채널		40V	12.5A(타)	10V	9m옴 @ 12.5A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	+30V, -20V	20V에서 2659pF	-	2.5W(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²