전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMS0308CS | 1.5000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA) | 3MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1mA | 66 NC @ 10 v | 4225 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUF75329P3 | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 25mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BD435S | - | ![]() | 9366 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD435 | 36 w | TO-126-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 32 v | 4 a | 100µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 40 @ 10ma, 5V | 3MHz | ||||||||||||||||
![]() | hufa75321s3st | 0.7700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 35A (TC) | 10V | 34mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 93W (TC) | |||||||||||||||
![]() | HUF75339G3 | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 300 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
![]() | NDH8302P | 0.4400 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) | NDH8302 | MOSFET (금속 (() | 800MW (TA) | SUPERSOT ™ -8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2A (TA) | 130mohm @ 2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11nc @ 4.5v | 515pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | FDS6900S | 0.5300 | ![]() | 296 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET (금속 (() | 900MW (TA) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.9A (TA), 8.2A (TA) | 30mohm @ 6.9a, 10v, 22mohm @ 8.2a, 10v | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA | 11nc @ 5v, 17nc @ 5v | 771pf @ 15v, 1238pf @ 15v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | FDS6892A | 0.5600 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS68 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 7.5A | 18mohm @ 7.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 1333pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
FDW2507N | 0.5100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 7.5A | 19mohm @ 7.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 28NC @ 4.5V | 2152pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | FDZ1827NZ | 0.1200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-XFBGA, WLCSP | FDZ1827 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 6-WLCSP (1.3x2.3) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 10A (TA) | 13mohm @ 1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 24NC @ 10V | 2055pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | HUF75344A3 | 1.3700 | ![]() | 616 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 208 NC @ 20 v | ± 20V | 4855 pf @ 25 v | - | 288.5W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQB17N08TM | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 16.5A (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 25V | 450 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||||
![]() | fqd3n60ctm | - | ![]() | 2545 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 2.4A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 565 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDS6982 | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.3a, 8.6a | 28mohm @ 6.3a, 10V | 3V @ 250µA | 12NC @ 5V | 760pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
![]() | 2N5088TA | 1.0000 | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | To-92-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | 100 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1ma, 10ma | 350 @ 1ma, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||
![]() | fqu3n50ctu | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 365 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||
FDW2521C | 1.0000 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 20V | 5.5A, 3.8A | 21mohm @ 5.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 1082pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||
![]() | KSD261CGTA | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50ma, 500ma | 200 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||
![]() | fpf1c2p5bf07a | 71.4300 | ![]() | 433 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | F1 모듈 | FPF1C2 | MOSFET (금속 (() | 250W | F1 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 5 n 채널 (채널 인버터) | 650V | 36a | 90mohm @ 27a, 10V | 3.8V @ 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N6520TA | 1.0000 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2N6520 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 350 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 1V @ 5MA, 50MA | 20 @ 50MA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | fjy3012r | 0.0200 | ![]() | 2009 년 년 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | fjy301 | 200 MW | SOT-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | BC239BBU | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 100 MA | 15NA | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 180 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | PZTA64 | 0.1500 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223-4 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,994 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | pnp- 달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||
FDB039N06 | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 3.9mohm @ 75a, 10V | 4.5V @ 250µA | 133 NC @ 10 v | ± 20V | 8235 pf @ 25 v | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2N5550/D26Z | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 15,000 | 140 v | 600 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3 | 0.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjn4310rbu | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN431 | 300MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 1ma, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||
![]() | FDU8896_NL | 1.0000 | ![]() | 1286 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 17A (TA), 94A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2525 pf @ 15 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQAF19N60 | 2.6500 | ![]() | 681 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 600 v | 11.2A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.6a, 10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 3600 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||||
![]() | 2SA1319S-AA | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-2SA1319S-AA-600039 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고