SIC
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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDFMJ2P023Z Fairchild Semiconductor FDFMJ2P023Z 0.3300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 MOSFET (금속 (() SC-75,, 펫 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.9A (TA) 1.5V, 4.5V 112mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
FDD6780 Fairchild Semiconductor FDD6780 0.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.5A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 32.6W (TC)
HUF75829D3 Fairchild Semiconductor HUF75829D3 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 70 NC @ 20 v ± 20V 1080 pf @ 25 v - 110W (TC)
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
KSH45H11TF Fairchild Semiconductor KSH45H11TF 1.0000
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH45 1.75 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,000 80 v 8 a 10µA PNP 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 40MHz
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor fga15n120ftdtu -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 기준 220 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 - 575 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V, 15a - 100 NC -
FQU2N60CTLTU Fairchild Semiconductor fqu2n60ctltu 0.3400
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 5 n 채널 600 v 1.9A (TC) 10V 4.7ohm @ 950ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 235 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
FGPF120N30TU Fairchild Semiconductor FGPF120N30TU 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 60 W. TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 - - 300 v 120 a 180 a 1.4V @ 15V, 25A - 112 NC -
BC81825MTF Fairchild Semiconductor BC81825MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 25 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
KSH31CTM Fairchild Semiconductor KSH31CTM 0.2000
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.56 w TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
BDX53BTU Fairchild Semiconductor BDX53BTU -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 60 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 844 80 v 8 a 500µA npn-달링턴 2v @ 12ma, 3a 750 @ 3a, 3v -
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 520 v 1.5A (TC) 10V 5.3ohm @ 750ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFU024ATU Fairchild Semiconductor irfu024atu -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 IRFU024 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
FGA120N30DTU Fairchild Semiconductor fga120n30dtu 1.4000
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA120N30 기준 290 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 v 120 a 300 a 1.4V @ 15V, 25A - 120 NC -
IRFS530A Fairchild Semiconductor IRFS530A 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 10.7A (TC) 10V 110mohm @ 5.35a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
SS9015ABU Fairchild Semiconductor SS9015ABU 0.0200
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-SS9015ABU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 60 @ 1ma, 5V 190mhz
2N3904TA Fairchild Semiconductor 2N3904TA 1.0000
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 188 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 20V 3274 pf @ 15 v - 3W (TA)
FDS6612A Fairchild Semiconductor FDS6612A 0.3300
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 917 n 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 8.4a, 10V 3V @ 250µA 7.6 NC @ 5 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
KSB564AYBU Fairchild Semiconductor KSB564AYBU 0.0300
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 9,000 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 110MHz
SFW9530TM Fairchild Semiconductor SFW9530TM 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 10.5A (TC) 10V 300mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1035 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 66W (TC)
KSC5502DTM Fairchild Semiconductor KSC5502DTM -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 118.16 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 750 v 2 a 100µA NPN 1.5v @ 200ma, 1a 15 @ 200ma, 1v 11MHz
FJC1386PTF Fairchild Semiconductor fjc1386ptf 0.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 4,000 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 80 @ 500ma, 2v -
FDMS8558SDC Fairchild Semiconductor FDMS8558SDC -
RFQ
 ECAD 2392 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 25 v 38A (TA), 90A (TC) 1.5mohm @ 38a, 10V 2.2v @ 1ma 81 NC @ 10 v ± 12V 5118 pf @ 13 v - 3.3W (TA), 89W (TC)
FDS6680 Fairchild Semiconductor FDS6680 0.8800
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 2070 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FDP2710_SN00168 Fairchild Semiconductor FDP2710_SN00168 1.0000
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDP2710 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
FDMD8540L Fairchild Semiconductor FDMD8540L -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMD8540 MOSFET (금속 (() 2.3W 8 파워 5x6 - 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널 교량) 40V 33a, 156a 1.5mohm @ 33a, 10V 3V @ 250µA 113NC @ 10V 7940pf @ 20V -
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 75W (TC)
BC546B Fairchild Semiconductor BC546B -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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