| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FD6M045N06 | 6.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워-SPM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | EPM15 | FD6M045 | MOSFET(금속) | - | EPM15 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 60A | 4.5m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 87nC @ 10V | 3890pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC654P | 0.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,789 | P채널 | 30V | 3.6A(타) | 4.5V, 10V | 75m옴 @ 3.6A, 10V | 3V @ 250μA | 9nC @ 10V | ±20V | 15V에서 298pF | - | 1.6W(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210TFR | 0.0200 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | - | 해당 없음 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 1mA, 10mA | 200 @ 100μA, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP48TU | 0.4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V | 1A | 1mA | NPN | 1V @ 200mA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP400N80Z | - | ![]() | 1882년 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 126 | N채널 | 800V | 14A(TC) | 10V | 400m옴 @ 5.5A, 10V | 4.5V @ 1.1mA | 56nC @ 10V | ±20V | 2350pF @ 1V | - | 195W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KSR1101MTF | 0.0700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KSR1101 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 20 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SI9426DY | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 20V | 10.5A(타) | 2.7V, 4.5V | 13.5m옴 @ 10.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 60nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 2150pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF | 0.3000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.75W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MJD117TF-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 2A | 20μA | PNP-달링턴 | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N65EF | 8.3400 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FCH041 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33725 | 0.0600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4080N3 | 1.6600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 13A(타) | 10V | 10.5m옴 @ 13A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1750pF | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3643 | 0.0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30V | 500mA | 50nA | NPN | 220mV @ 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP039N08B | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDP039N08B-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9230BTMAM002 | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | SFR9230 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80825MTF | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25V | 800mA | 100nA | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733GTA | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KSA733 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 40 @ 1mA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX33C | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 70W | TO-220AB | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-BDX33C-600039 | EAR99 | 0000.00.0000 | 842 | 100V | 10A | 500μA | NPN-달링턴 | 2.5V @ 6mA, 3A | 750 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA14N30 | 1.7300 | ![]() | 230 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 300V | 15A(Tc) | 10V | 290m옴 @ 7.5A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1360pF | - | 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BD159STU | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | BD159 | 20W | TO-126-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 350V | 500mA | 100μA(ICBO) | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF120N30TU | 4.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | 60W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | 300V | 120A | 180A | 1.4V @ 15V, 25A | - | 112nC | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF1943RTU | 0.7200 | ![]() | 621 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 50W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 230V | 15A | 5μA(ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1A, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1151YSTU | 0.3900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.3W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 831 | 60V | 5A | 10μA(ICBO) | PNP | 300mV @ 200mA, 2A | 160 @ 2A, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC238A | 0.0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 120 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N60 | 2.6500 | ![]() | 681 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 600V | 11.2A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 5.6A, 10V | 5V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±30V | 3600pF @ 25V | - | 120W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557BTF | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 934 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSI7N60BTU | 0.3900 | ![]() | 964 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 7A(TC) | 10V | 1.2옴 @ 3.5A, 10V | 4V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1800pF | - | 3.13W(Ta), 147W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQU3P20TU | 1.0100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | P채널 | 200V | 2.4A(Tc) | 10V | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | 5V @ 250μA | 8nC @ 10V | ±30V | 25V에서 250pF | - | 2.5W(Ta), 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76113DK8T | 0.5100 | ![]() | 77 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-VFSOP(0.091", 2.30mm 폭) | HUF76113 | MOSFET(금속) | 2.5W(타) | US8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6A(타) | 32m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 19.2nC @ 10V | 605pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7200 | - | ![]() | 9382 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDMC72 | MOSFET(금속) | 700mW, 900mW | 8-전원33(3x3) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6A, 8A | 23.5m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | 660pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HRF3205_NL | 1.0900 | ![]() | 392 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 100A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 59A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4000pF | - | 175W(Tc) |

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