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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FDI8441	1.5600	보상요청	75	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400	N채널	40V	26A(Ta), 80A(Tc)	10V	2.7m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	280nC @ 10V	±20V	25V에서 15pF	-	300W(Tc)
FQAF19N20L	1.0900	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	360	N채널	200V	16A(티씨)	5V, 10V	140m옴 @ 8A, 10V	2V @ 250μA	35nC @ 5V	±20V	2200pF @ 25V	-	85W(Tc)
FDFS2P102	0.4300	보상요청	14	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,500	P채널	20V	3.3A(타)	4.5V, 10V	125m옴 @ 3.3A, 10V	2V @ 250μA	10nC @ 10V	±20V	10V에서 270pF	쇼트키 다이오드(절연)	900mW(타)
FJD3076TM	0.2400	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	FJD3076		1W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	0000.00.0000	1,268												32V	2A				1μA(ICBO)		NPN	800mV @ 200mA, 2A	130 @ 500mA, 3V	100MHz
FQN1N60CBU	-	보상요청	2920	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET(금속)		TO-92-3	-	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000	N채널	600V	300mA(Tc)	10V	11.5옴 @ 150mA, 10V	4V @ 250μA	6.2nC @ 10V	±30V	25V에서 170pF	-	1W(Ta), 3W(Tc)
FDD6670S	0.9800	보상요청	47	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	30V	64A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 13.8A, 10V	3V @ 1mA	24nC @ 10V	±20V	2010pF @ 15V	-	1.3W(타)
FDB7042L	0.6000	보상요청	119	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	800	N채널	30V	50A(타)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 25A, 10V	2V @ 250mA	51nC @ 4.5V	±12V	15V에서 2418pF	-	83W(타)
HUF76139P3	0.9500	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1	N채널	30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	78nC @ 10V	±20V	2700pF @ 25V	-	165W(Tc)
FQP24N08	1.0000	보상요청	7566	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1	N채널	80V	24A(TC)	10V	60m옴 @ 12A, 10V	4V @ 250μA	25nC @ 10V	±25V	25V에서 750pF	-	75W(Tc)
FDB8442	1.6700	보상요청	10	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	800	N채널	40V	28A(Ta), 80A(Tc)	10V	2.9m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 10V	±20V	25V에서 12200pF	-	254W(Tc)
FQA18N50V2	2.8400	보상요청	380	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	450	N채널	500V	20A(TC)	10V	265m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	55nC @ 10V	±30V	3290pF @ 25V	-	277W(Tc)
KSC1507YTU	0.3600	보상요청	30	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			15W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0075	50												300V	200μA				100μA(ICBO)		NPN	2V @ 5mA, 50mA	120 @ 10mA, 10V	80MHz
KSB564AYTA	0.0500	보상요청	13	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	2,000												25V	1A				100nA(ICBO)		PNP	500mV @ 100mA, 1A	120 @ 100mA, 1V	110MHz
FDMS2504SDC	2.1900	보상요청	7	비교차일드	Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널	25V	42A(Ta), 49A(Tc)	4.5V, 10V	1.25m옴 @ 32A, 10V	3V @ 1mA	119nC @ 10V	±20V	7770pF @ 13V	-	3.3W(Ta), 104W(Tc)
IRF630A	-	보상요청	4655	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1	N채널	200V	9A(TC)	10V	400m옴 @ 4.5A, 10V	4V @ 250μA	29nC @ 10V	±30V	25V에서 650pF	-	72W(Tc)
BCX70J	0.0300	보상요청	7992	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.21.0095	490												45V	200mA				20nA		NPN	550mV @ 1.25mA, 50mA	250 @ 2mA, 5V	125MHz
FQP20N06	-	보상요청	8934	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220-3	-					0000.00.0000	1	N채널	60V	20A(TC)	10V	60m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±25V	25V에서 590pF	-	53W(Tc)
FDS9400A	0.5200	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드				EAR99	8542.39.0001	622	P채널	30V	3.4A(타)	4.5V, 10V	130m옴 @ 1A, 10V	3V @ 250μA	3.5nC @ 5V	±25V	15V에서 205pF	-	2.5W(타)
FDS9412	0.2700	보상요청	116	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	30V	7.9A(타)	4.5V, 10V	22m옴 @ 7.9A, 10V	2V @ 250μA	22nC @ 10V	±20V	15V에서 830pF	-	2.5W(타)
SI4420DY	-	보상요청	1290	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	272	N채널	30V	12.5A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 12.5A, 10V	1V @ 250μA	53nC @ 5V	±20V	15V에서 2180pF	-	2.5W(타)
FDC796N	0.6400	보상요청	988	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-SSOT 빌드 기록, SuperSOT™-6 FLMP		MOSFET(금속)		SuperSOT™-6 FLMP	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널	30V	12.5A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 12.5A, 10V	3V @ 250μA	20nC @ 5V	±20V	15V에서 1444pF	-	2W(타)
KAR00061A	3.7800	보상요청	49	비교차일드	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	80
FQPF3N80CYDTU	0.6600	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드		MOSFET(금속)		TO-220F-3 (Y-형)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50	N채널	800V	3A(TC)	10V	4.8옴 @ 1.5A, 10V	5V @ 250μA	16.5nC @ 10V	±30V	25V에서 705pF	-	39W(Tc)
2SA1943RTU	2.7700	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-50°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA			150W	HPM F2	다운로드				EAR99	8541.29.0075	109												250V	17A				5μA(ICBO)		PNP	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30MHz
KSC5024RTU	0.6700	보상요청	496	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			90W	TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	496												500V	10A				10μA(ICBO)		NPN	1V @ 800mA, 4A	15 @ 800mA, 5V	18MHz
KST3906MTF	1.0000	보상요청	5074	비교차일드	-	대부분	활동적인	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KST39		350mW	SOT-23-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000												40V	200mA				-		PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
FQB6N60TM	1.3600	보상요청	19	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	800	N채널	600V	6.2A(Tc)	10V	1.5옴 @ 3.1A, 10V	5V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 1000pF	-	3.13W(Ta), 130W(Tc)
MMBFJ177	-	보상요청	7221	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBFJ1		225mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000	P채널								-					30V	1.5mA @ 15V	800mV @ 10nA		300옴
FDD14AN06LA0	2.1500	보상요청	85	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	60V	9.5A(Ta), 50A(Tc)	5V, 10V	11.6m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	32nC @ 5V	±20V	25V에서 2810pF	-	125W(Tc)
HUF75345S3S	1.0000	보상요청	1906년	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400	N채널	55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²