| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQI13N06LTU | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 13.6A(Tc) | 5V, 10V | 110m옴 @ 6.8A, 10V | 2.5V @ 250μA | 6.4nC @ 5V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 3.75W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP11N50CF | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | FRFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 11A(티씨) | 10V | 550m옴 @ 5.5A, 10V | 4V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 195W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ1028N | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75-6 FLMP | FDJ1028 | MOSFET(금속) | 1.5W | SC75-6 FLMP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 3.2A | 90m옴 @ 3.2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 3nC @ 4.5V | 200pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0222 | 0.1400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMC02 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31CTM | 0.2000 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.56W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 100V | 3A | 50μA | NPN | 1.2V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGS13N60UFDTU | 0.5100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | SGS13 | 기준 | 45W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50옴, 15V | 55ns | - | 600V | 13A | 52A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) | 25nC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G15US60 | 20.4000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오후 25시~AA | 73W | 삼상 다리 정류기 | 오후 25시~AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 브레이크가 있는 3상인터 | - | 600V | 15A | 2.7V @ 15V, 15A | 250μA | 예 | 30V에서 935pF | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS4202RTA | 0.0200 | ![]() | 477 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | FJNS42 | 300mW | TO-92S | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 200MHz | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116GTA | 0.0400 | ![]() | 2375 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,855 | 50V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 50mA, 1A | 200 @ 100mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550CTA | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,948 | 25V | 1.5A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 80mA, 800mA | 120 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329D3S | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 55V | 20A(TC) | 10V | 26m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 65nC @ 20V | ±20V | 1060pF @ 25V | - | 128W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S3N60A4DS9A | 1.6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 70W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 3A, 50옴, 15V | 29ns | - | 600V | 17A | 40A | 2.7V @ 15V, 3A | 37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) | 21nC | 6ns/73ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8540L | - | ![]() | 1005 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDMD8540 | MOSFET(금속) | 2.3W | 8-전원 5x6 | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 N 채널(하프 다리) | 40V | 33A, 156A | 1.5m옴 @ 33A, 10V | 3V @ 250μA | 113nC @ 10V | 7940pF @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD471AYBU | 0.0500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 120 @ 100mA, 1V | 130MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N7 | 1.0000 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 16.5A(타) | 4.5V | 7m옴 @ 16.5A, 4.5V | 2V @ 250μA | 48nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 3355pF | - | 3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S7N60A4DS9A | - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 125W | TO-263AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 390V, 7A, 25옴, 15V | 34ns | - | 600V | 34A | 56A | 2.7V @ 15V, 7A | 120μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐) | 60nC | 11ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50C | 1.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FQPF1 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 500V | 13A(티씨) | 10V | 480m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76645P3 | 1.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±16V | 25V에서 4400pF | - | 310W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2328AOTA | 0.0800 | ![]() | 2998년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 574 | 30V | 2A | 100nA(ICBO) | NPN | 2V @ 30mA, 1.5A | 100 @ 500mA, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60B3-FS | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3009R | 1.0000 | ![]() | 8646 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200mW | SOT-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 1mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329P3 | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 42A(Tc) | 25m옴 @ 42A, 10V | 4V @ 250μA | 75nC @ 20V | ±20V | 1060pF @ 25V | - | 94W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD244A | - | ![]() | 2717 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 65W | TO-220 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BD244A-600039 | 1 | 60V | 6A | 700μA | PNP | 1.5V @ 1A, 6A | 15 @ 3A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP120TU-F129 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9510R4941 | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 100V | 3A(TC) | 10V | 1.2옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±20V | 25V에서 180pF | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSW2N60BTM | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 2A(TC) | 10V | 5옴 @ 1A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 54W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N30TF | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 300V | 4.4A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.2A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 430pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF7N90 | 1.4700 | ![]() | 877 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 900V | 5.2A(Tc) | 10V | 1.55옴 @ 2.6A, 10V | 5V @ 250μA | 59nC @ 10V | ±30V | 2280pF @ 25V | - | 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3S | 1.3700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 100V | 56A(티씨) | 10V | 25m옴 @ 56A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 20V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP3N80A | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 4.8옴 @ 850mA, 10V | 250μA에서 3.5V | 35nC @ 10V | ±30V | 25V에서 750pF | - | 100W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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