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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor FQI13N06LTU 0.7200
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 13.6A(Tc) 5V, 10V 110m옴 @ 6.8A, 10V 2.5V @ 250μA 6.4nC @ 5V ±20V 25V에서 350pF - 3.75W(Ta), 45W(Tc)
FQP11N50CF Fairchild Semiconductor FQP11N50CF 1.7700
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 FRFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11A(티씨) 10V 550m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 250μA 55nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 195W(Tc)
FDJ1028N Fairchild Semiconductor FDJ1028N 0.2900
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ECAD 14 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75-6 FLMP FDJ1028 MOSFET(금속) 1.5W SC75-6 FLMP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 3.2A 90m옴 @ 3.2A, 4.5V 250μA에서 1.5V 3nC @ 4.5V 200pF @ 10V 게임 레벨 레벨
FDMC0222 Fairchild Semiconductor FDMC0222 0.1400
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ECAD 60 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 3,000 -
KSH31CTM Fairchild Semiconductor KSH31CTM 0.2000
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ECAD 7502 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.56W TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 450 100V 3A 50μA NPN 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
SGS13N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGS13N60UFDTU 0.5100
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ECAD 118 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 SGS13 기준 45W TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 6.5A, 50옴, 15V 55ns - 600V 13A 52A 2.6V @ 15V, 6.5A 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) 25nC 20ns/70ns
FMS7G15US60 Fairchild Semiconductor FMS7G15US60 20.4000
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ECAD 26 0.00000000 비교차일드 - 상자 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 오후 25시~AA 73W 삼상 다리 정류기 오후 25시~AA 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 30 브레이크가 있는 3상인터 - 600V 15A 2.7V @ 15V, 15A 250μA 30V에서 935pF
FJNS4202RTA Fairchild Semiconductor FJNS4202RTA 0.0200
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ECAD 477 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 FJNS42 300mW TO-92S 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0.0400
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ECAD 2375 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 750mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 1,855 50V 1A 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 50mA, 1A 200 @ 100mA, 2V 120MHz
SS8550CTA Fairchild Semiconductor SS8550CTA 0.0600
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ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.29.0075 4,948 25V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 80mA, 800mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
HUF75329D3S Fairchild Semiconductor HUF75329D3S 0.9600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 55V 20A(TC) 10V 26m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 20V ±20V 1060pF @ 25V - 128W(Tc)
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A 1.6600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 70W D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 50옴, 15V 29ns - 600V 17A 40A 2.7V @ 15V, 3A 37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) 21nC 6ns/73ns
FDMD8540L Fairchild Semiconductor FDMD8540L -
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ECAD 1005 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN FDMD8540 MOSFET(금속) 2.3W 8-전원 5x6 - 0000.00.0000 1 2 N 채널(하프 다리) 40V 33A, 156A 1.5m옴 @ 33A, 10V 3V @ 250μA 113nC @ 10V 7940pF @ 20V -
KSD471AYBU Fairchild Semiconductor KSD471AYBU 0.0500
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ECAD 85 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 30V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 1A 120 @ 100mA, 1V 130MHz
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
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ECAD 8665 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 16.5A(타) 4.5V 7m옴 @ 16.5A, 4.5V 2V @ 250μA 48nC @ 4.5V ±12V 15V에서 3355pF - 3W(타)
HGT1S7N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S7N60A4DS9A -
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ECAD 9272 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 125W TO-263AB 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 390V, 7A, 25옴, 15V 34ns - 600V 34A 56A 2.7V @ 15V, 7A 120μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐) 60nC 11ns/100ns
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
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ECAD 17 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 FQPF1 MOSFET(금속) TO-220F 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 500V 13A(티씨) 10V 480m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 250μA 56nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 48W(Tc)
HUF76645P3 Fairchild Semiconductor HUF76645P3 1.8700
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 100V 75A(Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 153nC @ 10V ±16V 25V에서 4400pF - 310W(Tc)
KSC2328AOTA Fairchild Semiconductor KSC2328AOTA 0.0800
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ECAD 2998년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) 1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 574 30V 2A 100nA(ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5A 100 @ 500mA, 2V 120MHz
HGTG40N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG40N60B3-FS -
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ECAD 5349 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1
FJY3009R Fairchild Semiconductor FJY3009R 1.0000
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ECAD 8646 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-89, SOT-490 FJY300 200mW SOT-523F 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
HUF75329P3 Fairchild Semiconductor HUF75329P3 -
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ECAD 9487 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 42A(Tc) 25m옴 @ 42A, 10V 4V @ 250μA 75nC @ 20V ±20V 1060pF @ 25V - 94W(Tc)
BD244A Fairchild Semiconductor BD244A -
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ECAD 2717 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 65W TO-220 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BD244A-600039 1 60V 6A 700μA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
TIP120TU-F129 Fairchild Semiconductor TIP120TU-F129 -
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ECAD 9032 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 - EAR99 8541.29.0095 1
IRF9510R4941 Fairchild Semiconductor IRF9510R4941 -
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ECAD 6749 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 3A(TC) 10V 1.2옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 25V에서 180pF - 20W(Tc)
SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM 0.4600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 2A(TC) 10V 5옴 @ 1A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 3.13W(Ta), 54W(Tc)
FQD5N30TF Fairchild Semiconductor FQD5N30TF 0.3700
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ECAD 6 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 300V 4.4A(Tc) 10V 900m옴 @ 2.2A, 10V 5V @ 250μA 13nC @ 10V ±30V 25V에서 430pF - 2.5W(Ta), 45W(Tc)
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
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ECAD 877 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 360 N채널 900V 5.2A(Tc) 10V 1.55옴 @ 2.6A, 10V 5V @ 250μA 59nC @ 10V ±30V 2280pF @ 25V - 107W(Tc)
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
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ECAD 20 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
SSP3N80A Fairchild Semiconductor SSP3N80A -
보상요청
ECAD 1457 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 800V 3A(TC) 10V 4.8옴 @ 850mA, 10V 250μA에서 3.5V 35nC @ 10V ±30V 25V에서 750pF - 100W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고