SIC
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트랜지스터 (3825)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
FQI9N25CTU Fairchild Semiconductor fqi9n25ctu 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.8A (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 74W (TC)
KSC2330YBU Fairchild Semiconductor KSC2330YBU 0.0700
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 500 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 120 @ 20MA, 10V 50MHz
KSB564AYTA Fairchild Semiconductor KSB564AYTA 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 110MHz
FCPF11N60T Fairchild Semiconductor fcpf11n60t -
RFQ
 ECAD 9096 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF11 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1490 pf @ 25 v - 36W (TC)
HRF3205 Fairchild Semiconductor HRF3205 1.5800
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 100A (TC) 8mohm @ 59a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 175W (TC)
FQU4N50TU Fairchild Semiconductor fqu4n50tu 0.7000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 2.6A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
PZTA64 Fairchild Semiconductor PZTA64 0.1500
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223-4 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1,994 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FGI3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGI3040G2-F085 -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 논리 150 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 6.5A, 1KOHM, 5V 1.9 µs - 400 v 41 a 1.25V @ 4V, 6A - 21 NC -/4.8µs
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0 2.1500
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.5A (TA), 50A (TC) 5V, 10V 11.6MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 125W (TC)
FDU8896_NL Fairchild Semiconductor FDU8896_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 17A (TA), 94A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor SSW2N60BTM 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 54W (TC)
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor fqd7n20ltm -
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor FDZ661PZ 0.3200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.8x0.8) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 952 p 채널 20 v 2.6A (TA) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 8.8 NC @ 4.5 v ± 8V 555 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
SFP9Z24 Fairchild Semiconductor SFP9Z24 0.1900
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,489 p 채널 60 v 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 49W (TC)
FDPF10N50UT Fairchild Semiconductor fdpf10n50ut 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 351 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 1.05ohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1130 pf @ 25 v - 42W (TC)
FJMA790 Fairchild Semiconductor FJMA790 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 fjma79 1.56 w 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 35 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 450MV @ 50MA, 2A 100 @ 1.5A, 1.5V -
SSI7N60BTU Fairchild Semiconductor SSI7N60BTU 0.3900
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
RFD14N05 Fairchild Semiconductor RFD14N05 -
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 20 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 48W (TC)
KSC945CGBU Fairchild Semiconductor KSC945CGBU 0.0200
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 1ma, 6v 300MHz
IRF820B Fairchild Semiconductor IRF820B 1.0000
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRFP350A Fairchild Semiconductor IRFP350A -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 36 n 채널 400 v 17A (TC) 10V 300mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 25 v - 202W (TC)
FQP3N60 Fairchild Semiconductor FQP3N60 0.5900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFW730BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW730BTMNL 0.5900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 73W (TC)
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 33A (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 2135 pf @ 25 v - 235W (TC)
NTP082N65S3F Fairchild Semiconductor NTP082N65S3F -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET®, SUPERFET® II 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-NTP082N65S3F 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 30V 3410 pf @ 400 v - 313W (TC)
KSA614Y Fairchild Semiconductor KSA614Y -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSA614 25 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 55 v 3 a 50µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 500ma, 5V -
SFM9110TF Fairchild Semiconductor SFM9110TF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 100 v 1A (TA) 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 335 pf @ 25 v - 2.52W (TA)
IRFP150A Fairchild Semiconductor IRFP150A -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 185 n 채널 100 v 43A (TC) 40mohm @ 21.5a, 10V 4V @ 250µA 97 NC @ 10 v ± 20V 2270 pf @ 25 v - 193W (TC)
HUF75631SK8 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 5.5A (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 v ± 20V 1225 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
FJN3309RTA Fairchild Semiconductor fjn3309rta 0.0200
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 fjn330 300MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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