 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | FCPF4300N80Z | 1.0600 |  | 931 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 284 | N채널 | 800V | 1.6A(Tc) | 10V | 4.3옴 @ 800mA, 10V | 4.5V에서 160μA | 8.8nC @ 10V | ±20V | 100V에서 355pF | - | 19.2W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDU8896 | 0.7200 |  | 116 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 30V | 17A(타), 94A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.7m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V | - | 80W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDMA1023PZ | - |  | 3139 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VDFN 옆 패드 | FDMA1023 | MOSFET(금속) | 700mW | 6-MicroFET(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.7A | 72m옴 @ 3.7A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 12nC @ 4.5V | 655pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PN3563 | 0.0400 |  | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 14dB ~ 26dB | 15V | 50mA | NPN | 20 @ 8mA, 10V | 1.5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC546B | - |  | 8350 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5088TA | 1.0000 |  | 7338 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 350 @ 1mA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDB42AN15A0-F085 | 1.0000 |  | 6651 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB42 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 150V | 35A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±20V | 2040pF @ 25V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | BCX70K | - |  | 9201 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225mW | SOT-23-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-BCX70K-600039 | 1 | 45V | 200mA | 20nA | NPN | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 380 @ 2mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC857CMTF | 0.0200 |  | 105 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMBT200-FS | 0.0300 |  | 155 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45V | 500mA | 50nA | PNP | 400mV @ 20mA, 200mA | 100 @ 150mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC550 | 0.0400 |  | 17 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA75433S3ST | 1.1800 |  | 520 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-HUFA75433S3ST | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 64A(티씨) | 10V | 16m옴 @ 64A, 10V | 4V @ 250μA | 117nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1550pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA76432S3ST | 0.5100 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 60V | 59A (Tc) | 4.5V, 10V | 17m옴 @ 59A, 10V | 3V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1765pF | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | ISL9N322AS3ST | 1.0300 |  | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 22m옴 @ 35A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±20V | 970pF @ 15V | - | 50W(타) | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FDPF16N50UT | 1.2300 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 15A(Tc) | 10V | 480m옴 @ 7.5A, 10V | 5V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±30V | 1945pF @ 25V | - | 38.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | KSC945CGBU | 0.0200 |  | 257 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 200@1mA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FGA15N120FTDTU | - |  | 3612 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA15N120 | 기준 | 220W | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 575ns | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 30A | 45A | 2V @ 15V, 15A | - | 100nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | FJPF13007TU | 0.2900 |  | 8670 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 40W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 8A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 8 @ 2A, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | KSC5504DTTU | 0.2200 |  | 13 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 75W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V | 4A | 100μA | NPN | 1.5V @ 400mA, 2A | 4 @ 2A, 1V | 11MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FCD600N60Z | - |  | 6401 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FCD600N60Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 7.4A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 3.7A, 10V | 3.5V @ 250μA | 26nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1120pF | - | 89W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FDMC8200 | - |  | 7271 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDMC8200-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDV302P | - |  | 8849 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDV30 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | P채널 | 25V | 120mA(타) | 2.7V, 4.5V | 10옴 @ 200mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 0.31nC @ 4.5V | -8V | 11000pF @ 10V | - | 350mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PN5432 | 1.0000 |  | 8043 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N채널 | 30pF @ 10V(VGS) | 25V | 15V에서 150mA | 4V @ 3nA | 5옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA76409T3ST | 0.5200 |  | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | HUFA76409 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | KSA1242YTU | 0.1800 |  | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 10W | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 5,040 | 20V | 5A | 100μA(ICBO) | PNP | 1V @ 100mA, 4A | 160 @ 500mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2507N | 0.5100 |  | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | FDW25 | MOSFET(금속) | 1.1W | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 7.5A | 19m옴 @ 7.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 28nC @ 4.5V | 2152pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | TIP41CTU | - |  | 4398 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 6A | 700μA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6A | 30 @ 300mA, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N4400TF | 0.0200 |  | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40V | 600mA | - | NPN | 750mV @ 50mA, 500mA | 50 @ 150mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BSS138L | - |  | 1985년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 50V | 200mA(타) | 2.75V, 5V | 3.5옴 @ 200mA, 5V | 1.5V @ 1mA | 2.4nC @ 10V | ±20V | 25V에서 50pF | - | 350mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | EFC4C002NLTDG | - |  | 5939 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-XFBGA, WLCSP | EFC4C002 | MOSFET(금속) | 2.6W | 8-WLCSP(6x2.5) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 2 N채널(이중) 시작 | - | - | - | 2.2V @ 1mA | 45nC @ 4.5V | 6200pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | 

일일 평균 견적 요청량

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