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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
MMBFJ175	-	보상요청	5205	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBFJ1			225mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		P채널									-												30V	7mA @ 15V	3V @ 10nA		125옴
FDV305N	-	보상요청	6963	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		20V	900mA(타)	2.5V, 4.5V	220m옴 @ 900mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	1.5nC @ 4.5V	±12V	109pF @ 10V	-	350mW(타)
HGT1S7N60A4DS9A	-	보상요청	9272	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		125W	TO-263AB	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			390V, 7A, 25옴, 15V											34ns	-	600V	34A	56A	2.7V @ 15V, 7A	120μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐)	60nC	11ns/100ns
TIP41CTU	-	보상요청	4398	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1																100V	6A									700μA		NPN	1.5V @ 600mA, 6A	30 @ 300mA, 4V	3MHz
PF53012	0.0600	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92-3	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.21.0095	2,000		N채널									-												30V	10V에서 30μA	1.7V @ 1nA
MCH6437-P-TL-E	-	보상요청	6630	비교차일드	-	대부분	활동적인	-	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	MCH64		-		6-MCPH	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				998		-			7A(티제이)		-	-				-	-
IRFW720BTM	0.2900	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		400V	3.3A(Tc)	10V	1.75옴 @ 1.65A, 10V	4V @ 250μA	18nC @ 10V	±30V	25V에서 600pF	-	3.13W(Ta), 49W(Tc)
KSC5030FRTU	0.9000	보상요청	7247	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-	스루홀	TO-3P-3 풀팩				60W	TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	300																800V	6A									10μA(ICBO)		NPN	2V @ 600mA, 3A	10 @ 600mA, 5V	-
KSB1097YTU	0.3700	보상요청	940	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				2W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																60V	7A									10μA(ICBO)		PNP	500mV @ 500mA, 5A	100 @ 3A, 1V	-
FDU8876	0.5500	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	75		N채널		30V	15A(Ta), 73A(Tc)	4.5V, 10V	8.2m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	47nC @ 10V	±20V	1700pF @ 15V	-	70W(Tc)
FDS4410A	1.0000	보상요청	2286	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS44		MOSFET(금속)		8-SOIC	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		30V	10A(타)		13.5m옴 @ 10A, 10V	3V @ 250μA	16nC @ 5V		1205pF @ 15V	-	-
FDU6644	1.4800	보상요청	41	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak			MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	204		N채널		30V	67A(타)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 16A, 10V	3V @ 250μA	35nC @ 5V	±16V	3087pF @ 15V	-	1.6W(타)
2N3905TFR	0.0200	보상요청	6136	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	4,373																40V	200mA									-		PNP	400mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 1V	-
HUFA75852G3-F085	3.1200	보상요청	166	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	HUFA75		MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		150V	75A(Tc)	10V	16m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	480nC @ 20V	±20V	25V에서 7690pF	-	500W(Tc)
KSA642YTA	0.0200	보상요청	97	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				400mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																25V	300mA									100nA(ICBO)		PNP	600mV @ 30mA, 300mA	120 @ 50mA, 1V	-
BC80816MTF	0.0600	보상요청	14	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																25V	800mA									100nA		PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
FDZ204P	0.2900	보상요청	157	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	9-WFBGA			MOSFET(금속)		9-BGA(2x2.1)	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널		20V	4.5A(타)	2.5V, 4.5V	45m옴 @ 4.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	13nC @ 4.5V	±12V	10V에서 884pF	-	1.8W(타)
FDMS8025S	0.5800	보상요청	171	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	563		N채널		30V	24A(Ta), 49A(Tc)	4.5V, 10V	2.8m옴 @ 24A, 10V	3V @ 1mA	47nC @ 10V	±20V	15V에서 3000pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
2N4401TF	0.0400	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	8,398																40V	600mA									-		NPN	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250MHz
KSC5200OTU	0.4900	보상요청	5	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA	KSC5200			130W	HPM F2	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1																230V	13A											NPN	3V @ 800mA, 8A	80 @ 1A, 5V	30MHz
2N5210TA	0.0200	보상요청	75	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	2N5210			625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																50V	100mA									50nA(ICBO)		NPN	700mV @ 1mA, 10mA	200 @ 100μA, 5V	30MHz
HUF75307D3ST_NL	0.3300	보상요청	2	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		55V	15A(Tc)	10V	90m옴 @ 15A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 20V	±20V	25V에서 250pF	-	45W(Tc)
FDMS3606AS	1.0900	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3606		MOSFET(금속)	1W	8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열			30V	13A, 27A		8m옴 @ 13A, 10V	2.7V @ 250μA	29nC @ 10V		15V에서 1695pF	게임 레벨 레벨
KSD1616AGTA	0.1000	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				750mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	2,950																60V	1A									100nA(ICBO)		NPN	300mV @ 50mA, 1A	200 @ 100mA, 2V	160MHz
FDZ3N513ZT	0.3200	보상요청	25	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	4-XFBGA, WLCSP			MOSFET(금속)		4-WLCSP(1x1)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		P채널		30V	1.1A		462m옴 @ 300mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	1nC @ 4.5V	+5.5V, -300mV	15V에서 85pF	쇼트키 다이오드(절연)	1W(타)
KSP06TA	0.0500	보상요청	179	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-KSP06TA-600039			1																80V	500mA									100nA		NPN	250mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	100MHz
PN2369	-	보상요청	8245	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	535																15V	200mA									400nA(ICBO)		NPN	250mV @ 1mA, 10mA	40 @ 10mA, 1V	-
KSH45H11TF	1.0000	보상요청	4431	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	KSH45			1.75W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000																80V	8A									10μA		PNP	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4A, 1V	40MHz
FQU1N50TU	0.1700	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5,040		N채널		500V	1.1A(Tc)	10V	9옴 @ 550mA, 10V	5V @ 250μA	5.5nC @ 10V	±30V	25V에서 150pF	-	2.5W(Ta), 25W(Tc)
FDB8876	0.4800	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		30V	71A (Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 250μA	45nC @ 10V	±20V	1700pF @ 15V	-	70W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²