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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FDD6688S Fairchild Semiconductor FDD6688S 1.3900
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ECAD 6 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 88A(타) 4.5V, 10V 5.1m옴 @ 18.5A, 10V 3V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 3290pF @ 15V - 69W(타)
KSP92BU Fairchild Semiconductor KSP92BU 0.0500
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0095 6,073 300V 500mA 250nA(ICBO) PNP 500mV @ 2mA, 20mA 25 @ 30mA, 10V 50MHz
2N5551 Fairchild Semiconductor 2N5551 -
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ECAD 4074 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,000 160V 600mA 50nA(ICBO) NPN 200mV @ 5mA, 50mA 80 @ 10mA, 5V 300MHz
FGP90N30TU Fairchild Semiconductor FGP90N30TU 1.0000
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ECAD 1406 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 192W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 - - 300V 90A 130A 1.4V @ 15V, 20A - 130nC -
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0.0200
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ECAD 34 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 1,000 45V 100mA 50nA(ICBO) PNP 700mV @ 5mA, 100mA 200@1mA, 5V 190MHz
FDMD8260LET60 Fairchild Semiconductor FDMD8260LET60 3.1200
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 12-PowerWDFN FDMD8260 MOSFET(금속) 1.1W 12-전력3.3x5 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 2 N채널(듀얼) 60V 15A 5.8m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 68nC @ 10V 5245pF @ 30V -
FDW2503NZ Fairchild Semiconductor FDW2503NZ 0.5500
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ECAD 136 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET(금속) 600mW 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 20V 5.5A 20m옴 @ 5.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 17nC @ 4.5V 1286pF @ 10V 게임 레벨 레벨
NVMD3P03R2G Fairchild Semiconductor NVMD3P03R2G -
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ECAD 3256 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NVMD3 MOSFET(금속) 730mW(타) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 2 P채널(듀얼) 30V 2.34A(티제이) 85m옴 @ 3.05A, 10V 2.5V @ 250μA 25nC @ 10V 24V에서 750pF -
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
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ECAD 33 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 50A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 25A, 10V 2V @ 250mA 51nC @ 4.5V ±12V 15V에서 2418pF - 83W(타)
BC238BBU Fairchild Semiconductor BC238BBU 0.0200
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ECAD 5464 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92-3 - ROHS3 준수 2156-BC238BBU-FS EAR99 8541.21.0075 1,000 25V 100mA 15nA NPN 600mV @ 5mA, 100mA 180 @ 2mA, 5V 250MHz
BC856CMTF Fairchild Semiconductor BC856CMTF -
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ECAD 7356 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 150MHz
KSC838YTA Fairchild Semiconductor KSC838YTA 0.0200
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ECAD 1999년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 1,751 30V 30mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 1mA, 10mA 120 @ 2mA, 12V 250MHz
FJE3303H2TU Fairchild Semiconductor FJE3303H2TU 0.2500
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ECAD 31 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 20W TO-126-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1,212 400V 1.5A 10μA(ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5A 14 @ 500mA, 2V 4MHz
MJD32CTM Fairchild Semiconductor MJD32CTM -
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ECAD 4788 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.56W TO-252-3(DPAK) 다운로드 해당 없음 EAR99 8541.29.0095 2,500 100V 3A 50μA PNP 1.2V @ 375mA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
NDS9435A Fairchild Semiconductor NDS9435A -
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ECAD 7896 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 5.3A(타) 4.5V, 10V 50m옴 @ 5.3A, 10V 3V @ 250μA 14nC @ 10V ±25V 528pF @ 15V - 2.5W(타)
IRFP460C Fairchild Semiconductor IRFP460C -
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ECAD 8134 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 500V 20A(TC) 10V 240m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 170nC @ 10V ±30V 6000pF @ 25V - 235W(Tc)
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0.4000
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ECAD 19 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 50V 14A(TC) 5V 100m옴 @ 14A, 5V 2V @ 250μA 40nC @ 10V ±10V 25V에서 670pF - 48W(Tc)
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor IRFW620BTM 0.4000
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ECAD 933 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 200V 5A(Tc) 10V 800m옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 16nC @ 10V ±30V 390pF @ 25V - 3.13W(Ta), 47W(Tc)
FGI3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGI3040G2-F085 -
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ECAD 5990 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, EcoSPARK® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 논리 150W I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 300V, 6.5A, 1k옴, 5V 1.9μs - 400V 41A 1.25V @ 4V, 6A - 21nC -/4.8μs
HUF75345P3 Fairchild Semiconductor HUF75345P3 -
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ECAD 6800 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HUF75345P3-600039 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 7m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 275nC @ 20V ±20V 25V에서 4000pF - 325W(Tc)
FDS6682 Fairchild Semiconductor FDS6682 -
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ECAD 4662 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 14A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 14A, 10V 3V @ 250μA 31nC @ 5V ±20V 15V에서 2310pF - 1W(타)
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor FQU5N40TU 0.5600
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ECAD 28 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 EAR99 8542.39.0001 535 N채널 400V 3.4A(Tc) 10V 1.6옴 @ 1.7A, 10V 5V @ 250μA 13nC @ 10V ±30V 25V에서 460pF - 2.5W(Ta), 45W(Tc)
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0.7500
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 D45H 60W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 30V 8A 10μA(ICBO) PNP 1V @ 400mA, 8A 100 @ 8A, 5V 25MHz
KSC5030FRTU Fairchild Semiconductor KSC5030FRTU 0.9000
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ECAD 7247 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-3P-3 풀팩 60W TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 300 800V 6A 10μA(ICBO) NPN 2V @ 600mA, 3A 10 @ 600mA, 5V -
FDU6692 Fairchild Semiconductor FDU6692 1.2800
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ECAD 62 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 54A(타) 4.5V, 10V 12m옴 @ 14A, 10V 3V @ 250μA 25nC @ 5V ±16V 15V에서 2164pF - 1.6W(타)
IRFW720BTM Fairchild Semiconductor IRFW720BTM 0.2900
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 3.3A(Tc) 10V 1.75옴 @ 1.65A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 3.13W(Ta), 49W(Tc)
FDMS8692 Fairchild Semiconductor FDMS8692 0.5000
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ECAD 65 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 12A(Ta), 28A(Tc) 4.5V, 10V 9m옴 @ 12A, 10V 3V @ 250μA 21nC @ 10V ±20V 15V에서 1265pF - 2.5W(Ta), 41W(Tc)
FD6M043N08 Fairchild Semiconductor FD6M043N08 6.6400
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 파워-SPM™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 EPM15 FD6M043 MOSFET(금속) - EPM15 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 19 2 N채널(듀얼) 75V 65A 4.3m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 148nC @ 10V 6180pF @ 25V -
SMUN5215T1G Fairchild Semiconductor SMUN5215T1G 1.0000
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ECAD 8891 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-SMUN5215T1G-600039 EAR99 8541.21.0095 1
FQB19N20TM Fairchild Semiconductor FQB19N20TM 0.8800
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ECAD 4720 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 254 N채널 200V 19.4A(Tc) 10V 150m옴 @ 9.7A, 10V 5V @ 250μA 40nC @ 10V ±30V 25V에서 1600pF - 3.13W(Ta), 140W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고