| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD6688S | 1.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 88A(타) | 4.5V, 10V | 5.1m옴 @ 18.5A, 10V | 3V @ 1mA | 81nC @ 10V | ±20V | 3290pF @ 15V | - | 69W(타) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSP92BU | 0.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,073 | 300V | 500mA | 250nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551 | - | ![]() | 4074 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 160V | 600mA | 50nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP90N30TU | 1.0000 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 192W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 300V | 90A | 130A | 1.4V @ 15V, 20A | - | 130nC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015CBU | 0.0200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 100mA | 50nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 5mA, 100mA | 200@1mA, 5V | 190MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8260LET60 | 3.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 12-PowerWDFN | FDMD8260 | MOSFET(금속) | 1.1W | 12-전력3.3x5 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 15A | 5.8m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | 5245pF @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||
| FDW2503NZ | 0.5500 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET(금속) | 600mW | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 5.5A | 20m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 17nC @ 4.5V | 1286pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMD3P03R2G | - | ![]() | 3256 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | NVMD3 | MOSFET(금속) | 730mW(타) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 2.34A(티제이) | 85m옴 @ 3.05A, 10V | 2.5V @ 250μA | 25nC @ 10V | 24V에서 750pF | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP7042L | 0.6600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 50A(타) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 250mA | 51nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 2418pF | - | 83W(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC238BBU | 0.0200 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | 2156-BC238BBU-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856CMTF | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC838YTA | 0.0200 | ![]() | 1999년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,751 | 30V | 30mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJE3303H2TU | 0.2500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 20W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,212 | 400V | 1.5A | 10μA(ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5A | 14 @ 500mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD32CTM | - | ![]() | 4788 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.56W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100V | 3A | 50μA | PNP | 1.2V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9435A | - | ![]() | 7896 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 5.3A(타) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 5.3A, 10V | 3V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±25V | 528pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP460C | - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 500V | 20A(TC) | 10V | 240m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±30V | 6000pF @ 25V | - | 235W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFP14N05L | 0.4000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 50V | 14A(TC) | 5V | 100m옴 @ 14A, 5V | 2V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±10V | 25V에서 670pF | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW620BTM | 0.4000 | ![]() | 933 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 200V | 5A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±30V | 390pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 47W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | FGI3040G2-F085 | - | ![]() | 5990 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, EcoSPARK® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | 논리 | 150W | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 6.5A, 1k옴, 5V | 1.9μs | - | 400V | 41A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 21nC | -/4.8μs | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75345P3 | - | ![]() | 6800 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-HUF75345P3-600039 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 275nC @ 20V | ±20V | 25V에서 4000pF | - | 325W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6682 | - | ![]() | 4662 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 31nC @ 5V | ±20V | 15V에서 2310pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU5N40TU | 0.5600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 535 | N채널 | 400V | 3.4A(Tc) | 10V | 1.6옴 @ 1.7A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 460pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | D45H2A | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | D45H | 60W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 8A | 10μA(ICBO) | PNP | 1V @ 400mA, 8A | 100 @ 8A, 5V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5030FRTU | 0.9000 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | 60W | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 800V | 6A | 10μA(ICBO) | NPN | 2V @ 600mA, 3A | 10 @ 600mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6692 | 1.2800 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 54A(타) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 25nC @ 5V | ±16V | 15V에서 2164pF | - | 1.6W(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRFW720BTM | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 3.3A(Tc) | 10V | 1.75옴 @ 1.65A, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±30V | 25V에서 600pF | - | 3.13W(Ta), 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8692 | 0.5000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 12A(Ta), 28A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 12A, 10V | 3V @ 250μA | 21nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1265pF | - | 2.5W(Ta), 41W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
| FD6M043N08 | 6.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워-SPM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | EPM15 | FD6M043 | MOSFET(금속) | - | EPM15 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 N채널(듀얼) | 75V | 65A | 4.3m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 148nC @ 10V | 6180pF @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMUN5215T1G | 1.0000 | ![]() | 8891 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-SMUN5215T1G-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB19N20TM | 0.8800 | ![]() | 4720 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 254 | N채널 | 200V | 19.4A(Tc) | 10V | 150m옴 @ 9.7A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1600pF | - | 3.13W(Ta), 140W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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