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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
KSA940H2TU	-	보상요청	1692년	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			1.5W		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50														150V	1.5A		10μA(ICBO)			PNP	1.5V @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 10V	4MHz
NTMFS4936NCT1G	0.3300	보상요청	15	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerTDFN, 5리드	NTMFS4936	MOSFET(금속)			5-DFN(5x6)(8-SOFL)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1,500		N채널	30V	11.6A(Ta), 79A(Tc)	4.5V, 10V	3.8m옴 @ 30A, 10V	2.2V @ 250μA	43nC @ 10V	±20V	15V에서 3044pF	-	920mW(Ta), 43W(Tc)
FDZ197PZ	0.2300	보상요청	29	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UFBGA, WLCSP	FDZ19	MOSFET(금속)			6-WLCSP(1.0x1.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	5,000		P채널	20V	3.8A(타)	1.5V, 4.5V	64m옴 @ 2A, 4.5V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	±8V	1570pF @ 10V	-	1.9W(타)
2SD1802T-E	0.3200	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			1W		TP	다운로드				EAR99	8541.29.0075	1														50V	5A		1μA(ICBO)			NPN	0.5V @ 100mA, 2A	200 @ 100mA, 2V	150MHz
HUF76633S3S	0.5900	보상요청	5665	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	358		N채널	100V	39A(Tc)	4.5V, 10V	35m옴 @ 39A, 10V	3V @ 250μA	67nC @ 10V	±16V	25V에서 1820pF	-	145W(Tc)
FDU6676AS	0.2700	보상요청	1	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)			아이팩	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	75		N채널	30V	90A(타)	4.5V, 10V	5.8m옴 @ 16A, 10V	3V @ 250μA	64nC @ 10V	±20V	2470pF @ 15V	-	70W(타)
FQPF9N25CT	0.5700	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)			TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	250V	8.8A(Tc)	10V	430m옴 @ 4.4A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±30V	25V에서 710pF	-	38W(Tc)
HUF76143S3ST	0.6600	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)			TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	5.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	114nC @ 10V	±20V	3900pF @ 25V	-	225W(Tc)
FQPF5P10	0.3400	보상요청	4	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)			TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50		P채널	100V	2.9A(Tc)	10V	1.05옴 @ 1.45A, 10V	4V @ 250μA	8.2nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	23W(Tc)
HUF75344A3	1.3700	보상요청	616	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET(금속)			TO-3P	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	30		N채널	55V	75A(Tc)	10V	8m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	208nC @ 20V	±20V	25V에서 4855pF	-	288.5W(Tc)
BC856BMTF	-	보상요청	3208	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		310mW		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000														65V	100mA		15nA(ICBO)			PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	150MHz
FQPF6N80	-	보상요청	8071	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)			TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널	800V	3.3A(Tc)	10V	1.95옴 @ 1.65A, 10V	5V @ 250μA	31nC @ 10V	±30V	25V에서 1500pF	-	51W(Tc)
FDI038AN06A0_NL	3.8100	보상요청	169	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	60V	17A(Ta), 80A(Tc)	6V, 10V	3.8m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	124nC @ 10V	±20V	25V에서 6400pF	-	310W(Tc)
HUF76113SK8	0.5500	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VFSOP(0.091", 2.30mm 폭)		MOSFET(금속)			US8	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	30V	6.5A(타)	4.5V, 10V	30m옴 @ 6.5A, 10V	3V @ 250μA	21nC @ 10V	±20V	585pF @ 25V	-	2.5W(타)
NZT6729	1.0000	보상요청	6805	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	NZT67		1W		SOT-223-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	4,000														80V	1A		100nA(ICBO)			PNP	500mV @ 10mA, 250mA	50 @ 250mA, 1V	-
KSP94BU-FS	-	보상요청	7215	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1														400V	300mA		1μA			PNP	750mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
HUF75339G3	1.1300	보상요청	3	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		MOSFET(금속)			TO-247	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	300		N채널	55V	75A(Tc)	10V	12m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	130nC @ 20V	±20V	2000pF @ 25V	-	200W(Tc)
2N3904TA	1.0000	보상요청	8415	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW		TO-92-3	다운로드				EAR99	8541.21.0075	1														40V	200mA		-			NPN	300mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300MHz
FDU6682_NL	0.9600	보상요청	1	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak		MOSFET(금속)			TO-251(IPAK)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	30V	75A(타)	4.5V, 10V	6.2m옴 @ 17A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 5V	±20V	2400pF @ 15V	-	1.6W(타)
KSC945CGBU	0.0200	보상요청	257	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1														50V	150mA		100nA(ICBO)			NPN	300mV @ 10mA, 100mA	200@1mA, 6V	300MHz
FMS7G20US60	-	보상요청	5436	비교차일드	-	상자	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	오후 25시~AA			89W	삼상 다리 정류기	오후 25시~AA	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	30	브레이크가 있는 3상인터												-	600V	20A	2.7V @ 15V, 20A	250μA	예	30V에서 1.277nF
KSP55TA	-	보상요청	9254	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			625mW		TO-92-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1														60V	500mA		100nA			PNP	250mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	50MHz
FJP13009	1.0000	보상요청	1903년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			100W		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,200														400V	12A		-			NPN	3V @ 3A, 12A	8 @ 5A, 5V	4MHz
IRFR214BTFFP001	0.1200	보상요청	8950	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)			DPAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널	250V	2.2A(Tc)	10V	2옴 @ 1.1A, 10V	4V @ 250μA	10.5nC @ 10V	±30V	275pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 25W(Tc)
NDB7052L	0.7600	보상요청	800	비교차일드	-	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	800		N채널	50V	75A(Tc)	5V, 10V	7.5m옴 @ 37.5A, 10V	2V @ 250μA	130nC @ 5V	±16V	25V에서 4030pF	-	150W(Tc)
FDP15N65	1.4400	보상요청	9042	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	163		N채널	650V	15A(Tc)	10V	440m옴 @ 7.5A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	±30V	3095pF @ 25V	-	250W(Tc)
KSD1616GTA	-	보상요청	7609	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			750mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	4,000														50V	1A		100nA(ICBO)			NPN	300mV @ 50mA, 1A	200 @ 100mA, 2V	160MHz
KSB834YTU	0.4500	보상요청	57	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			1.5W		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50														60V	3A		100μA(ICBO)			PNP	1V @ 300mA, 3A	100 @ 500mA, 5V	9MHz
FQB9N08TM	0.3100	보상요청	7	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	800		N채널	80V	9.3A(Tc)	10V	210m옴 @ 4.65A, 10V	4V @ 250μA	7.7nC @ 10V	±25V	25V에서 250pF	-	3.75W(Ta), 40W(Tc)
FQP2N80	0.7200	보상요청	900	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널	800V	2.4A(Tc)	10V	6.3옴 @ 1.2A, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 550pF	-	85W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²