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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | FJC1963RTF | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 500MW | SOT-89-3 | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30 v | 3 a | 500NA | NPN | 450MV @ 150MA, 1.5A | 180 @ 500ma, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjp3307dh2tu | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 80 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 v | 8 a | - | NPN | 3v @ 2a, 8a | 26 @ 2a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjaf4310ytu | 1.1600 | ![]() | 558 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | To-3pfm, SC-93-3 | 80 W. | to-3pf-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 140 v | 10 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 500ma, 5a | 90 @ 3A, 4V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6729A | 0.1600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W. | TO-226-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 250ma | 50 @ 250ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8958 | 1.0000 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 30V | 7a, 5a | 28mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 26NC @ 10V | 789pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQP19N20C | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 200 v | 19A (TC) | 10V | 170mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1080 pf @ 25 v | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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![]() | FQPF22N30 | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 300 v | 12A (TC) | 10V | 160mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2200 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC3300NZA | 0.5400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | FDMC3300 | MOSFET (금속 (() | 2.1W | 8-power33 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 8a | 26mohm @ 8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 12NC @ 4.5V | 815pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2070N7 | 2.0100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4.1A (TA) | 6V, 10V | 78mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 1884 pf @ 75 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N65F-F085 | 9.5400 | ![]() | 163 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | n 채널 | 650 v | 76A (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 304 NC @ 10 v | ± 20V | 13566 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25CTM | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 8.8A (TC) | 10V | 430mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 710 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | fqu3n50ctu | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 365 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6685 | 1.3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.8A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.8a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 5 v | ± 25V | 1604 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf4n90ct | 1.0000 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 900 v | 4A (TC) | 10V | 4.2ohm @ 2a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 25 v | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623YMTF | 0.0200 | ![]() | 939 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KSC1623 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10ma, 100ma | 135 @ 1ma, 6V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS5361L | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMS5361 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqi7n10ltu | 0.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 7.3A (TC) | 5V, 10V | 350mohm @ 3.65a, 10V | 2V @ 250µA | 6 nc @ 5 v | ± 20V | 290 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | fqu12n20tu | - | ![]() | 5171 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.5a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 910 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDC655N | 0.1900 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDC655 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556ABU | 0.0400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,435 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 110 @ 2MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFM9110TF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 100 v | 1A (TA) | 10V | 1.2ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 30V | 335 pf @ 25 v | - | 2.52W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | hgtg11n120cnd | - | ![]() | 3823 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 298 w | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 960v, 11a, 10ohm, 15v | 70 ns | NPT | 1200 v | 43 a | 80 a | 2.4V @ 15V, 11a | 950µJ (on), 1.3mj (OFF) | 100 NC | 23ns/180ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7698 | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 13.5A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13.5a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1605 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60B3-FS | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB40N6S2T | 3.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 290 W. | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V, 20A, 3OHM, 15V | - | 600 v | 75 a | 180 a | 2.7V @ 15V, 20A | 115µJ (on), 195µJ (OFF) | 35 NC | 8ns/35ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | fga40t65uqdf | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 기준 | 231 W. | 3pn | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 6ohm, 15V | 89 ns | NPT | 650 v | 80 a | 120 a | 1.67V @ 15V, 40A | 989µJ (on), 310µJ (OFF) | 306 NC | 32ns/271ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31CTM | 0.2000 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 1.56 w | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | 100 v | 3 a | 50µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI19N20TU | 0.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 19.4A (TC) | 10V | 150mohm @ 9.7a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC638TA | 0.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 1 W. | To-92-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,912 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 100MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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