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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
HGTP14N36G3VL	-	보상요청	8017	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		논리		100W	TO-220AB	-				2156-HGTP14N36G3VL			1			-												도랑	390V	18A		2.2V @ 5V, 14A	-	24nC	-
HUF76633P3-F085	0.9300	보상요청	2919	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			100V	39A(Tc)	4.5V, 10V	35m옴 @ 39A, 10V	3V @ 250μA	67nC @ 10V	±16V	25V에서 1820pF	-	145W(Tc)
MJE170STU	-	보상요청	1115	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	MJE170			1.5W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																40V	3A						100nA(ICBO)	PNP	1.7V @ 600mA, 3A	50 @ 100mA, 1V	50MHz
SI9926DY	0.2200	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	SI9926		MOSFET(금속)	900mW(타)	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널(듀얼)				20V	6.5A(타)		30m옴 @ 6.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	10nC @ 4.5V		700pF @ 10V	-
FDP8860	1.2600	보상요청	20	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	238		N채널			30V	80A(Tc)	4.5V, 10V	2.5m옴 @ 80A, 10V	2.5V @ 250μA	222nC @ 10V	±20V	12240pF @ 15V	-	254W(Tc)
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	보상요청	651	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널			100V	5.5A(타)	10V	39m옴 @ 5.5A, 10V	4V @ 250μA	79nC @ 20V	±20V	25V에서 1225pF	-	2.5W(타)
HGTP3N60A4	-	보상요청	2404	비교차일드	SMPS	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		기준		70W	TO-220-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HGTP3N60A4-600039			1			390V, 3A, 50옴, 15V												-	600V	17A	40A	2.7V @ 15V, 3A	37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐)	21nC	6ns/73ns
FQU7N20TU	0.6000	보상요청	17	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5,040		N채널			200V	5.3A(Tc)	10V	690m옴 @ 2.65A, 10V	5V @ 250μA	10nC @ 10V	±30V	25V에서 400pF	-	2.5W(Ta), 45W(Tc)
2N7002-G	-	보상요청	4946	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002		MOSFET(금속)		SOT-23-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2N7002-G	EAR99	8541.21.0095	1		N채널			60V	115mA(Tc)	5V, 10V	7.5옴 @ 500mA, 10V	2.5V @ 250μA		±20V	25V에서 50pF	-	200mW(Tc)
KST92MTF	-	보상요청	7917	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KST92			250mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000																300V	500mA						250nA(ICBO)	PNP	500mV @ 2mA, 20mA	25 @ 30mA, 10V	50MHz
FQP17N08L	0.4300	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널			80V	16.5A(Tc)	5V, 10V	100m옴 @ 8.25A, 10V	2V @ 250μA	11.5nC @ 5V	±20V	25V에서 520pF	-	65W(Tc)
FQB70N08TM	1.2000	보상요청	1	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널			80V	70A(Tc)	10V	17m옴 @ 35A, 10V	4V @ 250μA	98nC @ 10V	±25V	2700pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 155W(Tc)
FDD9409	-	보상요청	6158	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDD940		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1													-
HUFA75852G3-F085	3.1200	보상요청	166	비교차일드	자동차, AEC-Q101, UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	HUFA75		MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			150V	75A(Tc)	10V	16m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	480nC @ 20V	±20V	25V에서 7690pF	-	500W(Tc)
FDD6688	1.1100	보상요청	149	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널			30V	84A(타)	4.5V, 10V	5m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	56nC @ 10V	±20V	15V에서 3845pF	-	83W(타)
FQPF19N20T	0.6300	보상요청	2	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	FQPF1		MOSFET(금속)		TO-220F	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		N채널			100V	11.8A(Tc)	10V	150m옴 @ 5.9A, 10V	5V @ 250μA	40nC @ 10V	±30V	25V에서 1600pF	-	50W(Tc)
FDD4243	-	보상요청	4995	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		P채널			40V	6.7A(Ta), 14A(Tc)	4.5V, 10V	44m옴 @ 6.7A, 10V	3V @ 250μA	29nC @ 10V	±20V	20V에서 1550pF	-	42W(Tc)
KSB1097YTU	0.3700	보상요청	940	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				2W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																60V	7A						10μA(ICBO)	PNP	500mV @ 500mA, 5A	100 @ 3A, 1V	-
KSA643YTA	0.0500	보상요청	559	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																20V	500mA						200nA(ICBO)	PNP	400mV @ 50mA, 500A	120 @ 100mA, 1V	-
ISL9N306AD3	0.8700	보상요청	8	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			30V	50A(Tc)	4.5V, 10V	6m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	90nC @ 10V	±20V	15V에서 3400pF	-	125W(타)
PN3563	0.0400	보상요청	65	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000				14dB ~ 26dB												15V	50mA							NPN		20 @ 8mA, 10V	1.5GHz	-
FDU6644	1.4800	보상요청	41	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak			MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	204		N채널			30V	67A(타)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 16A, 10V	3V @ 250μA	35nC @ 5V	±16V	3087pF @ 15V	-	1.6W(타)
FDS8928A	1.0000	보상요청	1457	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS89		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드					EAR99	8541.21.0095	1	N 및 P 채널				30V, 20V	5.5A, 4A		30m옴 @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250μA	28nC @ 4.5V		900pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FDU8876	0.5500	보상요청	2	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	75		N채널			30V	15A(Ta), 73A(Tc)	4.5V, 10V	8.2m옴 @ 35A, 10V	2.5V @ 250μA	47nC @ 10V	±20V	1700pF @ 15V	-	70W(Tc)
FDS4410A	1.0000	보상요청	2286	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS44		MOSFET(금속)		8-SOIC	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			30V	10A(타)		13.5m옴 @ 10A, 10V	3V @ 250μA	16nC @ 5V		1205pF @ 15V	-	-
SS8050DBU	0.1000	보상요청	313	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				1W	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	2,929																25V	1.5A						100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 80mA, 800mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
2N3905TFR	0.0200	보상요청	6136	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	4,373																40V	200mA						-	PNP	400mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 1V	-
FDS4435A	1.2100	보상요청	27	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널			30V	9A(타)	4.5V, 10V	17m옴 @ 9A, 10V	2V @ 250μA	30nC @ 5V	±20V	2010pF @ 15V	-	2.5W(타)
FQD3N50CTM	1.0000	보상요청	6715	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			500V	2.5A(Tc)	10V	2.5옴 @ 1.25A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	25V에서 365pF	-	35W(Tc)
KSP94TA	-	보상요청	1014	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000																400V	300mA						1μA	PNP	750mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²