SIC
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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FCPF190N60-F152 Fairchild Semiconductor FCPF190N60-F152 -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FCPF190N60-F152 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 20.2A (TC) 10V 199MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 39W (TC)
FDP15N65 Fairchild Semiconductor FDP15N65 1.4400
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 163 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 3095 pf @ 25 v - 250W (TC)
FDT461N Fairchild Semiconductor FDT461N 0.5000
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 540MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 540ma, 10V 2V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 20V 74 pf @ 25 v - 1.13W (TA)
BD680ASTU Fairchild Semiconductor bd680astu 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 14 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 80 v 4 a 500µA pnp- 달링턴 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2a, 3v -
HUF76423P3 Fairchild Semiconductor HUF76423P3 -
RFQ
 ECAD 1419 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 35a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 16V 1060 pf @ 25 v - 85W (TC)
FDS5680 Fairchild Semiconductor FDS5680 1.0000
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS56 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
MMBFJ175 Fairchild Semiconductor MMBFJ175 -
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ1 225 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 p 채널 - 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
HUF76419D3ST Fairchild Semiconductor HUF76419D3ST 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 27.5 nc @ 10 v ± 16V 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
FDP8860 Fairchild Semiconductor FDP8860 1.2600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 238 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 80a, 10V 2.5V @ 250µA 222 NC @ 10 v ± 20V 12240 pf @ 15 v - 254W (TC)
FQP2N60 Fairchild Semiconductor FQP2N60 0.9000
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 4.7ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 64W (TC)
KST5087MTF Fairchild Semiconductor KST5087MTF -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-KST5087MTF-600039 1 50 v 50 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 250 @ 10ma, 5V 40MHz
FQP20N06 Fairchild Semiconductor FQP20N06 -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 53W (TC)
FGA90N33ATDTU Fairchild Semiconductor FGA90N33ATDTU -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga90 기준 223 w to-3p - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 - 23 ns 도랑 330 v 90 a 330 a 1.4V @ 15V, 20A - 95 NC -
FQPF6P25 Fairchild Semiconductor FQPF6P25 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 4.2A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.1a, 10V 5V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 780 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFS634B Fairchild Semiconductor IRFS634B 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 250 v 8.1A (TJ) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 38W (TC)
HUFA75433S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75433S3ST 1.1800
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HUFA75433S3ST 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 64A (TC) 10V 16mohm @ 64a, 10V 4V @ 250µA 117 NC @ 20 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 150W (TC)
ISL9N312AD3_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3_NL -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 340 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 15 v - 75W (TA)
HUF76131SK8T Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 1605 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
FQB7P06TM Fairchild Semiconductor FQB7P06TM 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 7A (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 45W (TC)
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121P3 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 47A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 25 v - 75W (TC)
RFP15N05L Fairchild Semiconductor RFP15N05L 0.8500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 50 v 15A (TC) 140mohm @ 15a, 5V 2V @ 250µA ± 10V 900 pf @ 25 v - 60W (TC)
2SC5242RTU Fairchild Semiconductor 2SC5242RTU 1.5000
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1 250 v 17 a 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800ma, 8a 55 @ 1a, 5V 30MHz
MPS6513 Fairchild Semiconductor MPS6513 1.0000
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 90 @ 2MA, 10V -
FDB8860-F085 Fairchild Semiconductor FDB8860-F085 -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDB8860-F085-600039 1 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 214 NC @ 10 v ± 20V 12585 pf @ 15 v - 254W (TC)
FJP3307DH2TU Fairchild Semiconductor fjp3307dh2tu 0.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 80 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 200 400 v 8 a - NPN 3v @ 2a, 8a 26 @ 2a, 5V -
FJAF4310YTU Fairchild Semiconductor fjaf4310ytu 1.1600
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-3pfm, SC-93-3 80 W. to-3pf-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 140 v 10 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 500ma, 5a 90 @ 3A, 4V 30MHz
TN6729A Fairchild Semiconductor TN6729A 0.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. TO-226-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 250ma 50 @ 250ma, 1V -
FDS8958 Fairchild Semiconductor FDS8958 1.0000
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 30V 7a, 5a 28mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 26NC @ 10V 789pf @ 10V 논리 논리 게이트
FQP19N20C Fairchild Semiconductor FQP19N20C 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 19A (TC) 10V 170mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1080 pf @ 25 v - 139W (TC)
FDD9409 Fairchild Semiconductor FDD9409 -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDD940 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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