| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSD471AYBU | 0.0500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 120 @ 100mA, 1V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75332S3ST | 0.4700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 55V | 60A(Tc) | 10V | 19m옴 @ 60A, 10V | 4V @ 250μA | 85nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 145W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4124TFR | 0.0200 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2156-2N4124TFR-FSTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 120 @ 2mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2P25 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | P채널 | 250V | 2.3A(Tc) | 10V | 4옴 @ 1.15A, 10V | 5V @ 250μA | 8.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 250pF | - | 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4400TF | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40V | 600mA | - | NPN | 750mV @ 50mA, 500mA | 50 @ 150mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9431 | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDS99 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8926 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDS89 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC1963RTF | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 500mW | SOT-89-3 | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 3A | 500nA | NPN | 450mV @ 150mA, 1.5A | 180 @ 500mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU214BTU | - | ![]() | 2521 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 250V | 2.2A(Tc) | 10V | 2옴 @ 1.1A, 10V | 4V @ 250μA | 10.5nC @ 10V | ±30V | 275pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQP7P20 | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 200V | 7.3A(Tc) | 10V | 690m옴 @ 3.65A, 10V | 5V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 25V에서 770pF | - | 90W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550CTA | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,948 | 25V | 1.5A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 80mA, 800mA | 120 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S3N60A4DS9A | 1.6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 70W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 3A, 50옴, 15V | 29ns | - | 600V | 17A | 40A | 2.7V @ 15V, 3A | 37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) | 21nC | 6ns/73ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA13N50C | 2.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N채널 | 500V | 13.5A(Tc) | 10V | 480m옴 @ 6.75A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 218W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76429P3 | 1.0000 | ![]() | 6078 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 60V | 47A (Tc) | 4.5V, 10V | 22m옴 @ 47A, 10V | 3V @ 250μA | 46nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1480pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0_NL | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 9A(Ta), 50A(Tc) | 6V, 10V | 16m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 47nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1874pF | - | 135W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329D3S | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 55V | 20A(TC) | 10V | 26m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 65nC @ 20V | ±20V | 1060pF @ 25V | - | 128W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5321TU | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-KSC5321TU-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN358P | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN358 | MOSFET(금속) | 슈퍼SOT-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 30V | 1.5A(타) | 4.5V, 10V | 125m옴 @ 1.5A, 10V | 3V @ 250μA | 5.6nC @ 10V | ±20V | 15V에서 182pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6294 | 0.4500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS62 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 13A(타) | 4.5V, 10V | 11.3m옴 @ 13A, 10V | 3V @ 250μA | 14nC @ 5V | ±20V | 1205pF @ 15V | - | 3W(타) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB19N20TM | 0.8800 | ![]() | 4720 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 254 | N채널 | 200V | 19.4A(Tc) | 10V | 150m옴 @ 9.7A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1600pF | - | 3.13W(Ta), 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2330YH2TA | 0.2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 300V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 20mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6680 | 1.4100 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12A(Ta), 46A(Tc) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 12A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 1230pF @ 15V | - | 3.3W(Ta), 56W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC839CYTA | 0.0200 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,957 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD362RTU | - | ![]() | 2921 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 40W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 70V | 5A | 20μA(ICBO) | NPN | 1V @ 500mA, 5A | 40 @ 5A, 5V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030L | 0.5700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 48A(타) | 4.5V, 10V | 13m옴 @ 26A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1250pF | - | 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS9408 | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDMS940 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50T | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 5.3A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 2.65A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG2G400LS60 | - | ![]() | 5933 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오전 7시 - IA | FMG2 | 1.136W | 기준 | 오전 7시 - IA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | - | 600V | 400A | 1.8V @ 15V, 400A | 250μA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BTA | 1.0000 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 450mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1mA, 5V | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF6P25 | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 250V | 4.2A(Tc) | 10V | 1.1옴 @ 2.1A, 10V | 5V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±30V | 25V에서 780pF | - | 45W(Tc) |

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